公开(公告)号：CN114823526A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210210227.3

申请日：2022-03-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈嘉伟 ,  徐伟程 ,  陈蕙祺 ,  陈建豪 ,  游国丰 ,  邱诗航 ,  王唯诚 ,  刘冠廷 ,  陈彦儒 ,  郑钧智 ,  萧伟镇

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/11

Abstract: 一种半导体装置，包括多个有源区结构，所述有源区结构各自在垂直方向上向上突出。有源区结构各自在第一水平方向上延伸。有源区结构在不同于第一水平方向的第二水平方向上彼此分离。栅极结构设置在有源区结构上方。栅极结构在第二水平方向上延伸。栅极结构部分包绕有源区结构的每一者。导电盖层设置在栅极结构上方。栅极导孔设置在导电盖层上方。导电盖层在第二水平方向上测量的尺寸实质上大于栅极导孔在第二水平方向上测量的最大尺寸。

公开(公告)号：CN110021529A

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201811433002.4

申请日：2018-11-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王怡琇 ,  陈彦兆 ,  夏英庭 ,  江照平 ,  郑钧智

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 本揭露涉及一种半导体装置及其制作方法。一种制作半导体装置的方法，其包含以下操作。接收半导体衬底。在所述半导体衬底上方形成第一半导电层。在所述第一半导电层的第一部分中形成多种掺杂剂。去除所述第一半导电层的第二部分以形成图案化第一半导电层。通过调整所述第一部分中的所述多种掺杂剂的分布来控制去除所述第一半导电层的所述第二部分之后的所述第一部分的第一侧壁轮廓。

公开(公告)号：CN220510045U

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202321648378.3

申请日：2023-06-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 锺佳玲 ,  庄英良 ,  郑钧智 ,  黄国彬 ,  叶明熙

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423

Abstract: 一种半导体装置，包括一基底具有一金属栅极、位于所述金属栅极的侧面的栅极间隔物、一蚀刻停止层以及一源极/漏极区域上方的一层间介电材料；一钨帽盖由钨材料形成且沉积在金属栅极的上方和位于栅极间隔物之间；以及在钨帽盖的上方形成的一通孔栅极。

公开(公告)号：CN220569680U

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202321428857.4

申请日：2023-06-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 锺佳玲 ,  庄英良 ,  郑钧智 ,  黄国彬 ,  叶明熙

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/49 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种半导体装置，包括一栅极结构在一半导体基底的上方，此栅极结构包括一低介电常数的介电层、一高介电常数的介电层、一p型功函数金属层、一n型功函数金属层、具有氧化硅的一硅帽盖层及一黏合层；半导体装置还包括一连续的钨帽盖在栅极结构的上方，其通过预处理栅极结构、沉积和回蚀钨材料、蚀刻硅帽盖层、沉积其他钨材料以及去除不需要的钨材料而形成。

公开(公告)号：CN218004863U

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202221747365.7

申请日：2022-07-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈嘉伟 ,  徐伟程 ,  陈蕙祺 ,  陈建豪 ,  游国丰 ,  邱诗航 ,  王唯诚 ,  陈彦儒 ,  郑钧智

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 半导体装置包括纳米结构的堆叠，其在第一水平方向上各自延伸。上述堆叠在垂直方向上各自延伸且在第二水平方向上彼此分隔。第一栅极设置于堆叠的第一子集合上。第二栅极设置于堆叠的第二子集合上。第一导电盖层设置于第一栅极的上表面的实质上的整体上。第二导电盖层设置于第二栅极的上表面的实质上的整体上。介电结构在第二水平方向上设置于第一栅极与第二栅极之间。介电结构实体且电性分隔第一栅极与第二栅极。介电结构的上表面实质上不具有设置于其上的第一或第二导电盖层。