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公开(公告)号：CN113540034A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110390184.7
申请日：2021-04-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L29/423 , H01L27/088 , H01L21/768 , H01L21/8234 , H01L21/28
Abstract: 提供一种半导体装置及其形成方法。半导体装置包含半导体鳍状物。半导体装置包含在半导体鳍状物上方的栅极间隔物，栅极间隔物的下部围绕第一区域，并且栅极间隔物的上部围绕第二区域。半导体装置包含在第一区域内的栅极介电质。半导体装置包含在第一区域内的金属栅极。半导体装置包含与栅极介电质接触的介电保护层，介电保护层包含在第二区域内的第一部分以及内衬金属栅极的顶表面的第二部分。
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公开(公告)号：CN113314466A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110042908.9
申请日：2021-01-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本公开涉及半导体器件及方法。公开了用于改善半导体器件中的沟道区域的轮廓的方法以及通过这些方法形成的半导体器件。在一个实施例中，一种方法包括：在半导体衬底之上形成半导体鳍，该半导体鳍包括锗，该半导体鳍的第一部分的锗浓度大于该半导体鳍的第二部分的锗浓度，该第一部分与半导体衬底的主表面之间的第一距离小于该第二部分与半导体衬底的主表面之间的第二距离；以及修整半导体鳍，半导体鳍的第一部分以比半导体鳍的第二部分更大的速率被修整。
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公开(公告)号：CN109727890B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201810325087.8
申请日：2018-04-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/673 , H01L21/683 , H01L21/02
Abstract: 本发明一实施例提供一种基板处理设备，包括旋转式固定座以及处理流体供给设备。旋转式固定座包括多个承载件以及旋转驱动机构。承载件耦接至旋转式基座，承载件中的每一者包括销，销具有倾斜部，用以在基板的上缘及销间提供一间隙。旋转驱动机构用以转动旋转式基座。处理流体供给设备是设置在旋转式固定座上。
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公开(公告)号：CN112420500A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201911367885.8
申请日：2019-12-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L27/088
Abstract: 本公开涉及鳍式场效应晶体管器件及其形成方法。一种形成半导体器件的方法，包括：在突出于衬底上方的鳍上方形成第一虚设栅极结构和第二虚设栅极结构，其中，第一虚设栅极结构和第二虚设栅极结构被电介质层围绕；分别用第一金属栅极和第二金属栅极替代第一虚设栅极结构和第二虚设栅极结构，其中，替代包括：移除第一虚设栅极结构和第二虚设栅极结构以在电介质层中分别形成第一凹槽和第二凹槽；在第一凹槽和第二凹槽中形成栅极电介质层；在第二凹槽中的栅极电介质层上方依次形成N型功函数层和帽盖层，而不在第一凹槽中形成；以及用导电材料填充第一凹槽和第二凹槽。
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公开(公告)号：CN110783404A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910375551.9
申请日：2019-05-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/49 , H01L21/336
Abstract: 本发明实施例说明鳍状场效晶体管装置的结构与形成方法。鳍状场效晶体管装置包括：基板；鳍状物，位于基板上；以及栅极结构，位于鳍状物上。栅极结构包括功函数金属层，位于栅极结构的内侧侧壁上。功函数金属层的最顶侧表面低于栅极结构的上表面。栅极结构亦包括充填栅极金属层，位于功函数金属层的最顶侧表面上。充填栅极金属层的上表面与栅极结构的上表面实质上共平面。栅极结构亦包括自组装单层，位于充填栅极金属层与功函数金属层之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110323180A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201811376134.8
申请日：2018-11-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 于一例示性面向中，一种半导体装置的形成方法，包括：提供半导体结构，此半导体结构具有基底、于基底上方的一或多个第一介电层、于一或多个第一介电层中的第一金属插塞，以及于一或多个第一介电层与第一金属插塞上方的一或多个第二介电层。此方法还包括：蚀刻导通孔(via hole)至一或多个第二介电层中以暴露第一金属插塞，蚀刻第一金属插塞的表面以于其上形成凹槽，以及施加包含金属腐蚀抑制剂的金属腐蚀保护剂至第一金属插塞的顶表面。
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公开(公告)号：CN110224026A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201810525377.7
申请日：2018-05-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/49 , H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本公开实施例提供的湿式工艺辅助方法与其形成的结构，可实施于置换栅极工艺。一般而言，一些例子中用于移除盖层的湿蚀刻工艺可形成第一单层于下方层上以作为粘着层，并形成第二单层于栅极间隔物与鳍状物之间的界面介电层上以作为蚀刻保护机制。一般而言，一些例子中的湿式工艺形成单层于金属层(如阻障层或功函数调整层)上，以作为图案化金属层所用的硬遮罩。
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公开(公告)号：CN107068594A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710233807.3
申请日：2012-08-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供了一种清洗半导体晶圆的方法和装置。在该方法的实施例中，提供了单晶圆清洗装置并且将晶圆设置在该装置中。将第一化学喷剂分布到晶圆的正面上。在分布第一化学喷剂的同时清洗晶圆的背面。清洗背面可以包括刷子和清洗液喷剂。还描述了一种用于清洗单个半导体晶圆的正面和背面的装置。本发明还提供了一种半导体衬底的原位背面清洗。
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公开(公告)号：CN101924035B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN200910167343.6
申请日：2009-08-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/31 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L21/28105 , H01L21/28123 , H01L21/28158 , H01L21/31111 , H01L21/32139 , H01L29/401
Abstract: 本发明提供形成半导体元件及其栅极结构的方法，其包括多种含有高介电常数的栅极介电层的图案化金属栅极结构的形成方法。在一实施例中，可溶硬掩模层可作为图案化金属栅极的掩模单元。通过水或光致抗蚀剂显影液可将可溶硬掩模自基板上移除。在一实施例中，硬掩模层包含高介电常数的介电材料。在另一实施例中，保护层形成于光致抗蚀剂图案下。在剥除光致抗蚀剂的步骤中，保护层可保护基板上的一层或多层结构。与公知技术相较，上述方法改善光致抗蚀剂层的附着力。公知干灰化和/或湿蚀刻等工艺在移除光致抗蚀剂层和/或硬掩模层时，可能损伤金属栅极和/或高介电常数的栅极介电层的问题可通过上述方法改善。
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公开(公告)号：CN103008298A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210311742.7
申请日：2012-08-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/67046 , H01L21/67051
Abstract: 本发明提供了一种清洗半导体晶圆的方法和装置。在该方法的实施例中，提供了单晶圆清洗装置并且将晶圆设置在该装置中。将第一化学喷剂分布到晶圆的正面上。在分布第一化学喷剂的同时清洗晶圆的背面。清洗背面可以包括刷子和清洗液喷剂。还描述了一种用于清洗单个半导体晶圆的正面和背面的装置。本发明还提供了一种半导体衬底的原位背面清洗。
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