公开(公告)号：CN114792723A

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN202210049817.2

申请日：2022-01-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈嘉伟 ,  徐伟程 ,  陈蕙祺 ,  陈建豪 ,  游国丰 ,  邱诗航 ,  王唯诚 ,  陈彦儒

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088

Abstract: 本公开提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括垂直堆叠的多个第一通道构件、垂直堆叠的多个第二通道构件、包裹环绕多个第一通道构件的每一者的n型功函数层、位于n型功函数层上方并包裹环绕多个第一通道构件的每一者的第一p型功函数层、包裹环绕多个第二通道构件的每一者的第二p型功函数层、位于第二p型功函数层上方并包裹环绕多个第二通道构件的每一者的第三p型功函数层、以及位于第一p型功函数层的顶部表面与第三p型功函数层的顶部表面上方的栅极覆盖层，使得栅极覆盖层电性耦接第一p型功函数层与第三p型功函数层。

公开(公告)号：CN114823526A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210210227.3

申请日：2022-03-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈嘉伟 ,  徐伟程 ,  陈蕙祺 ,  陈建豪 ,  游国丰 ,  邱诗航 ,  王唯诚 ,  刘冠廷 ,  陈彦儒 ,  郑钧智 ,  萧伟镇

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/11

Abstract: 一种半导体装置，包括多个有源区结构，所述有源区结构各自在垂直方向上向上突出。有源区结构各自在第一水平方向上延伸。有源区结构在不同于第一水平方向的第二水平方向上彼此分离。栅极结构设置在有源区结构上方。栅极结构在第二水平方向上延伸。栅极结构部分包绕有源区结构的每一者。导电盖层设置在栅极结构上方。栅极导孔设置在导电盖层上方。导电盖层在第二水平方向上测量的尺寸实质上大于栅极导孔在第二水平方向上测量的最大尺寸。

公开(公告)号：CN218004863U

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202221747365.7

申请日：2022-07-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈嘉伟 ,  徐伟程 ,  陈蕙祺 ,  陈建豪 ,  游国丰 ,  邱诗航 ,  王唯诚 ,  陈彦儒 ,  郑钧智

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 半导体装置包括纳米结构的堆叠，其在第一水平方向上各自延伸。上述堆叠在垂直方向上各自延伸且在第二水平方向上彼此分隔。第一栅极设置于堆叠的第一子集合上。第二栅极设置于堆叠的第二子集合上。第一导电盖层设置于第一栅极的上表面的实质上的整体上。第二导电盖层设置于第二栅极的上表面的实质上的整体上。介电结构在第二水平方向上设置于第一栅极与第二栅极之间。介电结构实体且电性分隔第一栅极与第二栅极。介电结构的上表面实质上不具有设置于其上的第一或第二导电盖层。