公开(公告)号：CN114823526A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210210227.3

申请日：2022-03-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈嘉伟 ,  徐伟程 ,  陈蕙祺 ,  陈建豪 ,  游国丰 ,  邱诗航 ,  王唯诚 ,  刘冠廷 ,  陈彦儒 ,  郑钧智 ,  萧伟镇

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/11

Abstract: 一种半导体装置，包括多个有源区结构，所述有源区结构各自在垂直方向上向上突出。有源区结构各自在第一水平方向上延伸。有源区结构在不同于第一水平方向的第二水平方向上彼此分离。栅极结构设置在有源区结构上方。栅极结构在第二水平方向上延伸。栅极结构部分包绕有源区结构的每一者。导电盖层设置在栅极结构上方。栅极导孔设置在导电盖层上方。导电盖层在第二水平方向上测量的尺寸实质上大于栅极导孔在第二水平方向上测量的最大尺寸。

公开(公告)号：CN107097157A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201611007890.4

申请日：2016-11-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 锺泽良 ,  萧伟镇 ,  戴钧凯 ,  孙旭昌

IPC: B24D11/00

CPC classification number: B24B37/005 ,  B24B37/26 ,  B24B49/12 ,  B24B53/017 ,  B24D11/001

Abstract: 一种研磨一研磨垫的方法，包括通过一第一感测器检测形成于一研磨垫的一凹槽上的一缺陷；通过一研磨盘由研磨垫的凹槽移除缺陷；于移除缺陷之后，通过一第二感测器测量凹槽的一剩余深度；以及基于测量凹槽的剩余深度，通过研磨盘实施一研磨处理至凹槽上。