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公开(公告)号：CN119575773A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202510016853.2
申请日：2025-01-06
Applicant: 三河建华高科有限责任公司
Abstract: 本发明涉及半导体领域，具体公开了一种降低匀胶显影设备工艺缺陷的方法；本发明提出的工艺通过采用精确的显影液滴液方式，缩短滴液的移动距离，可以有效避免显影过显现象，提高显影的稳定性和可重复性，增加烘烤稳定腔室内部的排风量，有效减少热板腔内部的杂质堆积，及时去除光敏胶在加热过程中挥发的副产物，避免影响光敏胶层加热效果的均匀性，增加显影液静置后的旋转甩胶速度，有效减少显影液与晶圆背面的接触时间，防止残胶再次附着在晶圆上，从而提升工艺的洁净度，针对半导体制造中使用的高粘度负胶光刻工艺，显著提升了匀胶显影设备的工艺稳定性。
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公开(公告)号：CN115032862B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202210553832.0
申请日：2022-05-19
Applicant: 南方科技大学
Abstract: 本发明提供一种表面图案化方法，包括如下步骤：S1：对暂存基板进行表面化处理，使得暂存基板的表面具有一层疏水层；S2：在一目标基底上旋涂一层第一高分子涂层；S3：在暂存基板同样旋涂一层第二高分子涂层；S4：目标基底与暂存基板结合，同时施加压力和加热并保持一段时间，使得目标基板的第一高分子涂层和暂存基板的第二高分子涂层热熔结合在一起；S5：冷却后，目标基底与暂存基板分离。本发明表面图案化方法，以热转移打印的方式进行任意表面的图案化，暂存基板上的微结构不易损坏，可大大延长暂存基板的寿命；可在目标基底上图形化具有高深宽比的微纳米图案；整个过程跟纳米压印类似是低成本，可大规模应用的。
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公开(公告)号：CN119511458A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411915060.6
申请日：2024-12-24
Applicant: 广州光电存算芯片融合创新中心
IPC: G02B6/28 , G02B6/293 , G02B6/35 , G02B6/124 , G02B5/18 , G02B27/10 , G02B6/136 , G02B6/13 , G02B6/132 , G03F7/16 , G03F7/20
Abstract: 本发明涉及一种基于亚波长光栅的大带宽集成光学分束器及其制备方法，属于集成光子器件与半导体技术领域。所述大带宽集成光学分束器包括衬底、第一包层、波导层、玻璃层及第二包层，所述衬底、第一包层、波导层、玻璃层及第二包层自下而上依次设置，所述波导层设置于所述玻璃层内，所述波导层与所述第一包层的上表面相接；本发明提供的光学分束器可在大带宽范围内取得低插入损耗、均匀分光和低相位误差效果；本发明通过旋涂玻璃试剂形成的玻璃层能够稳定填充波导层光栅结构中的间隙，避免在填充光栅结构中的间隙时出现气隙，提高了分束器制作的可靠性，使本发明的光学分束器能够适用于大规模光计算和光互连场景。
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公开(公告)号：CN116661243B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202310403043.3
申请日：2023-04-14
Applicant: 江苏艾森半导体材料股份有限公司
Abstract: 本发明涉及感光性介电材料技术领域，具体而言，涉及感光性聚酰亚胺组合物、固化物和电子部件。感光性聚酰亚胺组合物含有下述成分(a)可溶于碱性水溶液的嵌段聚合物；其选自下述结构式所示化合物#imgabs0#其中，R选自未取代烷基的一种，Ar1选自4价有机基团，Ar2选自2价有机基团，Ar3选自4价有机基团；k+m＝5～200，m/k＝0.01～0.5；(b)光敏剂；(c)热交联剂；成分(c)包含成分(C1)含有环氧基的交联剂和成分(C2)含有CH2OR的交联剂；(d)硅烷偶联剂。该感光性聚酰亚胺组合物具有优异的灵敏度、分辨率和能成复制精细的图案，且固化后翘曲应力低、具有高化学稳定性和粘结性。
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公开(公告)号：CN119472175A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411708810.2
申请日：2024-11-27
Applicant: 宇弘研科技(苏州)有限公司
Abstract: 本发明属于涂胶显影辅助设备技术领域，且公开了一种涂胶显影机用晶圆定位设备，包括载板和定位操作臂，所述载板的内部固定设有主夹持组件，所述主夹持组件的两端固定设有安装板。本发明通过两侧挤推组件沿着调节式夹紧部背部的两侧进行挤压推动，并控制弹性金属片和热应力片变形，并沿着晶圆外侧面贴合，适应晶圆外侧弧面实现充分的紧密贴合和夹紧，从而适应不同尺寸晶圆的夹紧，快速调整弯曲弧度适应晶圆外侧弧面，大大提高经验定位的使用范围，避免更换定位夹持模具，同时调节过程可根据晶圆尺寸实时调节，并在调节后也可维持弯曲温度，针对同一尺寸的晶圆实现一次调节后的连续快速使用，综合使用效果好，适应性调节简单快捷，使用效果好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119452117A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202380050598.2
申请日：2023-08-30
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： S·P·维努戈帕兰 , P·W·H·德亚格尔 , V·法拉马兹
Abstract: 本公开涉及用于在衬底上形成经图案化的材料层的方法和设备。在一种布置中，在沉积过程期间辐照衬底的表面的被选择部分。所述辐照在所述被选择部分中局部地驱动所述沉积过程，并且由此形成呈由所述被选择部分限定的图案的经图案化的材料层。在所述辐照期间将具有交替极性的偏置电压施加至所述衬底，以将通过所述辐照产生于所述衬底内部的二次电子周期性地朝向在所述被选择部分中的所述表面驱动。
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公开(公告)号：CN119439628A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411412230.9
申请日：2024-10-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种光阻剂组合物和形成光阻图案及图案化材料层的方法。光阻剂组合物包括有机聚合物及可漂浮聚合物。可漂浮聚合物的表面能低于有机聚合物的表面能。固化后，可漂浮聚合物在由有机聚合物形成的光阻层上形成表面层。表面层的存在减少了光学耀斑及化学耀斑，从而改善在光阻层下的材料层中形成的特征的临界尺寸。
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公开(公告)号：CN119430065A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411531417.0
申请日：2024-10-30
Applicant: 苏州新维度微纳科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种连续面形微纳结构及其制备方法，所述制备方法包括：制备间隔分布的微纳单元；在间隔分布的微纳单元上涂覆胶液，使胶液覆盖全部微纳单元且填充于相邻的两个微纳单元之间；对胶液进行固化获得固化微结构，并得到具有连续面形的微纳结构。本发明的制备工艺简单且加工精度较高，不需要昂贵的制备设备，利用间隔分布的微纳单元即可制备连续面形微纳结构。
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公开(公告)号：CN119414662A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411417132.4
申请日：2024-10-11
Applicant: 中国科学院西安光学精密机械研究所
Abstract: 本发明公开了一种大口径异形单晶硅衍射元件光刻胶涂布方法，解决了现有涂布胶方法适用范围小、涂布质量差、胶层容易脱落的问题，具体包括：步骤1、表面状态筛选；步骤2、元件表面清洗；步骤3、增粘剂涂布；步骤4、光刻胶涂布；步骤5、质量检测。本发明在光刻胶涂布前先涂布增粘剂，增粘剂可作用机理主要是取代单晶硅基底表面氧化层携带的亲水Si‑HO基团，从而使单晶硅基底由亲水性变为疏水性，增加与光刻胶的粘附力，避免脱胶现象发生，提高了胶层的牢固性，延长其寿命。
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公开(公告)号：CN119404144A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202380047659.X
申请日：2023-06-16
Applicant: 沙特阿拉伯石油公司 , 阿卜杜拉国王科技大学
Abstract: 公开了一种用于制造具有代表油气藏的混合润湿性表面的微模型的方法。该方法包括：用光刻胶涂覆亲水性基底的顶表面；用光掩模覆盖光刻胶的顶部；将光刻胶的被覆盖的顶部暴露于UV光，该UV光改变光刻胶的与光掩模的图案相对应的区域的化学性质；去除光掩模；基于光刻胶的与光掩模的图案相对应的区域的化学性质去除该区域；在亲水性基底的顶部沉积疏水性薄膜；以及去除被薄膜覆盖的剩余光刻胶，使得亲水性基底的表面图案化，具有被疏水性薄膜覆盖的区域以及亲水性基底的未覆盖区域，从而在亲水性基底上产生代表微模型的混合润湿性表面。
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