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公开(公告)号：CN118651820A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410682494.X
申请日：2024-05-29
申请人： 中国科学院化学研究所
摘要： 本发明公开一种多维蒸发抑制咖啡环效应的方法及其在大面积均匀图案化中的应用，该方法包括如下步骤：1)将含有印刷溶质的组装液填充在上基材、下基材之间，与上基材、下基材共同组成三明治结构；2)溶剂在三明治体系构筑的多维蒸发场中可控蒸发，驱动溶质定向传输沉积在上基材表面；3)待含有印刷溶质的组装液中的溶剂干燥后，从下基材表面分离组装有沉积结构的上基材。本发明的方法实现了基于多维蒸发调控咖啡环效应沉积的可控图案在改进溶液蒸发自组装方法和大面积功能器件制备方面的应用。以本发明方法直接制备的均匀沉积图案实现了高均匀性、低表面粗糙度和有效面积可控的特性。且本发明制备简单快捷、便于高通量、大规模生产。
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公开(公告)号：CN111587218B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN201880070893.3
申请日：2018-11-01
申请人： BVW控股公司
摘要： 本公开涉及抓持表面和包括该抓持表面的装置，其中抓持表面包括形状可调的表面微结构，其中微结构的高度、宽度和空间周期性对应于目标表面的Schallamach波波幅和波长的整数倍，其中，装置微结构和所引起的Schallamach波通过向装置施加应变而被夹带。
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公开(公告)号：CN114014253B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202111293188.X
申请日：2021-11-03
摘要： 本发明属于微纳米尺度的柔性电子器件技术领域，具体涉及一种直径可控的管状单晶钙钛矿氧化物薄膜及其制备方法。所述管状单晶钙钛矿氧化物薄膜具有三维管状结构；所述三维管状结构通过衬底、柔性有机物支撑层和粘附在柔性有机物支撑层表面的管状钙钛矿氧化物薄膜组成。本发明选用水蒸气让钙钛矿结构的水溶性牺牲层缓慢溶解，实现薄膜出现微纳米裂纹。在显微镜中观察氧化物薄膜裂纹形成至整个薄膜，这利于后面管状结构的形成和控制。本发明通过改变单晶钙钛矿氧化物薄膜的厚度、单晶钙钛矿氧化物异质结构的组成结构、单晶钙钛矿氧化物异质结构的层数（从单层到多层）及单晶衬底种类，能够实现控制自支撑单晶钙钛矿氧化物薄膜的管状结构及直径。
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公开(公告)号：CN118619194A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410711959.X
申请日：2024-06-03
申请人： 比亚迪股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种微纳米图案产品的制备方法和微纳米图案产品技术领域，公开了一种微纳米图案产品及其制备方法。该微纳米图案产品包括产品主体以及形成于所述产品主体表面上的周期性排列的微纳米图案。该方法包括以下步骤：(1)制备微纳米图案模板；(2)将所述微纳米图案模板带有图案的一面与待图案化产品进行接触，然后加热至所述待图案化产品融化，之后将待图案化产品进行固化和脱模。本发明所述方法利用物理相变来制备微纳米图案产品，无需UV光照或HF刻蚀，简单高效，成本低，环境友好；并且该方法可以应用在香薰蜡烛、口红等装饰上，得到的装饰品带有微纳米纹理且随着角度的变化而产生极为丰富，细腻，变幻无穷的变色光影效果。
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公开(公告)号：CN112209334B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202011088889.5
申请日：2020-10-13
申请人： 深圳迪致科技术有限公司
摘要： 本发明实施例公开了一种微孔制备方法，其具体包括提供待制孔的基材，且基材具有供印刷的印刷面，在印刷面上印刷耐腐蚀的第一保护层，且第一保护层上留有多个孔位，在印刷面上喷淋腐蚀液，以使腐蚀液穿过孔位腐蚀基材；采用本发明提供的微孔制备方法制备微孔，可精准控制微孔与其它微孔之间的距离，进而提高基材的合格率，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN118376810A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410480354.4
申请日：2024-04-22
申请人： 福州市福大微纳显示科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种集成Micro‑LED发光芯片的AFM探针及其制备方法，其中，AFM探针包括：基座，基座的一侧延展出有微悬臂梁，微悬臂梁远离基座的末端下侧刻蚀有针尖，微悬臂梁在针尖的相对侧表面设置有Micro‑LED发光芯片，Micro‑LED发光芯片用于朝四象限探测器发送光信号，以使四象限探测器将光信号转化为电信号进而检测待测物体的形貌。本发明对应的结构可以有效提高AFM探针的稳定性和灵敏度。
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公开(公告)号：CN115285930B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202210878799.9
申请日：2022-07-25
申请人： 武汉衷华脑机融合科技发展有限公司
摘要： 本发明公开了一种微针与排线倒焊连接结构及其制备工艺。该工艺通过制备微针的倒焊金属层、制备排线的倒焊金属层、将微针的倒焊金属层与排线的倒焊金属层对齐，按压形成倒焊接触的方式实现了微针与排线的倒焊连接，与传统的TSV工艺制备微针阵列相比，明显简化了工艺步骤，且能够实现信号的精准传输。通过本发明的工艺倒焊连接的微针和排线的焊接稳定性比传统TSV工艺制备得到的连接到一起的微针和排线的稳定性更高，使用寿命更长，故障率明显降低；触点的电学接触产生的欧姆电阻的阻值明显降低，明显提升了信号传输的稳定性和精准性。
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公开(公告)号：CN118125371A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410251264.8
申请日：2024-03-06
申请人： 杭州邦齐州科技有限公司
发明人： 张晓旭
摘要： 本发明属于有序微纳结构制备技术领域，具体涉及一种周期性金属纳米中空火山口结构模板及其制备方法和应用。本发明得到镀有金属膜层的基底后，在其上进行光刻处理，得到具有周期性结构的衬底。随后对该衬底进行反应离子刻蚀和去胶，即可得到周期较好的纳米火山口结构模板。本发明借助半导体生产的方法得到带有周期性结构的衬底，大幅减少了使用纳米球模板制备工艺时的缺陷，使获得的结构模板在亚波长尺度上周期性良好。本发明通过控制反应离子束刻蚀的条件直接调整所需结构的尺寸，缩短了制备时间，提升了加工效率。
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公开(公告)号：CN112591707B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202011482916.7
申请日：2020-12-15
申请人： 南方科技大学
摘要： 本发明涉及一种纳米锥形阵列结构及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：(1)利用超快激光对基底进行加工，之后清洗得到中间基底；(2)将步骤(1)得到的中间基底进行等离子体刻蚀，得到所述纳米锥形阵列结构。本发明提供的方法，采用超快激光在表面制备微纳结构，在等离子体刻蚀过程中并利用微掩模效应在微纳结构区域的增强效果，即利用现有技术中缺陷制备了高深宽比的纳米锥阵列结构，该方法兼容性好、制备区域灵活可控，可极大提升纳米锥阵列结构的制备工艺精度。
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公开(公告)号：CN117963829A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202311795066.X
申请日：2023-12-22
申请人： 嘉应学院
摘要： 本发明提供了一种三维纳米多孔微电极阵列及其制备方法，制备方法包括：步骤1、在透光层上依次沉积金属层和牺牲层；步骤2、使用激光透过透光层，并在金属层上形成延伸至牺牲层的三维合金微柱阵列；步骤3、进行脱合金处理，溶解牺牲层，同时溶解三维合金微柱阵列中的牺牲层组分，以使三维合金微柱阵列形成三维纳米多孔微柱阵列，以得到三维纳米多孔微电极阵列。本发明通过灵活运用激光微加工技术和脱合金方法，可以实现三维纳米多孔微电极阵列在微米尺度和纳米尺度上的高度可设计性和可控性，可以设计和制备出各式各样的三维纳米多孔微电极阵列，且生产条件要求低、成本低、适合规模生产，本发明可以同时兼顾可设计性与生产成本，满足实际需求。
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