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公开(公告)号：CN114014253B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202111293188.X
申请日：2021-11-03
Abstract: 本发明属于微纳米尺度的柔性电子器件技术领域，具体涉及一种直径可控的管状单晶钙钛矿氧化物薄膜及其制备方法。所述管状单晶钙钛矿氧化物薄膜具有三维管状结构；所述三维管状结构通过衬底、柔性有机物支撑层和粘附在柔性有机物支撑层表面的管状钙钛矿氧化物薄膜组成。本发明选用水蒸气让钙钛矿结构的水溶性牺牲层缓慢溶解，实现薄膜出现微纳米裂纹。在显微镜中观察氧化物薄膜裂纹形成至整个薄膜，这利于后面管状结构的形成和控制。本发明通过改变单晶钙钛矿氧化物薄膜的厚度、单晶钙钛矿氧化物异质结构的组成结构、单晶钙钛矿氧化物异质结构的层数（从单层到多层）及单晶衬底种类，能够实现控制自支撑单晶钙钛矿氧化物薄膜的管状结构及直径。
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公开(公告)号：CN114014253A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111293188.X
申请日：2021-11-03
Abstract: 本发明属于微纳米尺度的柔性电子器件技术领域，具体涉及一种直径可控的管状单晶钙钛矿氧化物薄膜及其制备方法。所述管状单晶钙钛矿氧化物薄膜具有三维管状结构；所述三维管状结构通过衬底、柔性有机物支撑层和粘附在柔性有机物支撑层表面的管状钙钛矿氧化物薄膜组成。本发明选用水蒸气让钙钛矿结构的水溶性牺牲层缓慢溶解，实现薄膜出现微纳米裂纹。在显微镜中观察氧化物薄膜裂纹形成至整个薄膜，这利于后面管状结构的形成和控制。本发明通过改变单晶钙钛矿氧化物薄膜的厚度、单晶钙钛矿氧化物异质结构的组成结构、单晶钙钛矿氧化物异质结构的层数（从单层到多层）及单晶衬底种类，能够实现控制自支撑单晶钙钛矿氧化物薄膜的管状结构及直径。
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公开(公告)号：CN106350869A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610835377.8
申请日：2016-09-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种超高压电性能的正交相Mn掺杂铌钽锑酸钾钠锂无铅压电单晶及其制备方法，它属于功能性单晶材料及其制备技术研究领域，具体涉及一种钙钛矿结构铌钽酸钾钠基无铅压电单晶及其制备方法。本发明的目的是针对目前组分复杂的单晶生长困难，质量不高，压电性能不够高的问题。一种超高压电性能的正交相Mn掺杂铌钽锑酸钾钠锂无铅压电单晶的化学式为[(NayK1-y)1-xLix](Nb1-zTazSbt)O3:Mn。方法：一、准备原料；二、混合原料；三、预烧；四、第二次预烧；五、反复熔化预烧钙钛矿结构的多晶材料；六、晶体生长。本发明可获得一种超高压电性能的正交相Mn掺杂铌钽锑酸钾钠锂无铅压电单晶。
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公开(公告)号：CN108585852B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201810443144.2
申请日：2018-05-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/499 , C04B35/622 , C04B41/88 , H01L41/18 , H01L41/187
Abstract: 一种镨掺杂铌铟镁酸铅‑钛酸铅发光压电陶瓷、制备方法及其应用，本发明属于功能陶瓷材料领域，具体涉及一种镨掺杂铌铟镁酸铅‑钛酸铅发光压电陶瓷、制备方法及其应用。本发明要解决现有稀土元素掺杂压电陶瓷机电性能偏低的问题。压电陶瓷的化学式为0.24Pb(In1/2Nb1/2)O3‑0.42Pb(Mg1/3Nb2/3)O3‑0.34PbTiO3:xPr3+，其中x为摩尔分数，0＜x≤0.02。制备方法为先合成InNbO4和MgNb2O6前驱体，然后以InNbO4、MgNb2O6、PbO、TiO2和Pr6O11为原料制备，再镀金电极及极化处理，即得到压电陶瓷。本发明用于高灵敏度温度传感和电光调控。
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公开(公告)号：CN108585852A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810443144.2
申请日：2018-05-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/499 , C04B35/622 , C04B41/88 , H01L41/18 , H01L41/187
Abstract: 一种镨掺杂铌铟镁酸铅-钛酸铅发光压电陶瓷、制备方法及其应用，本发明属于功能陶瓷材料领域，具体涉及一种镨掺杂铌铟镁酸铅-钛酸铅发光压电陶瓷、制备方法及其应用。本发明要解决现有稀土元素掺杂压电陶瓷机电性能偏低的问题。压电陶瓷的化学式为0.24Pb(In1/2Nb1/2)O3-0.42Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.34PbTiO3:xPr3+，其中x为摩尔分数，0＜x≤0.02。制备方法为先合成InNbO4和MgNb2O6前驱体，然后以InNbO4、MgNb2O6、PbO、TiO2和Pr6O11为原料制备，再镀金电极及极化处理，即得到压电陶瓷。本发明用于高灵敏度温度传感和电光调控。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108281544A
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201810077849.7
申请日：2018-01-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 基于铁电共存畴的多阻态铁电量子隧道结及制备方法，属于电子技术领域。解决了现有磁性隧道结高能耗、读写速度慢、存储密度低的问题。本发明为由下至上依次排列的4层结构构成的隧道结，由下至上依次排列的4层结构分别为单晶衬底、底电极、铁电超薄绝缘层和顶电极；当铁电超薄绝缘层的厚度为2nm至5nm，铁电超薄绝缘层和单晶衬底之间的错配应变在共存相的相界处时，通过底电极和顶电极对铁电超薄绝缘层厚度方向上施加驱动电压，通过改变驱动电压大小，来改变铁电超薄绝缘层的极化状态，进而使铁电超薄绝缘层在不同驱动电压的驱动下分别获得3种不同隧穿电阻的畴结构状态。本发明主要应用在存储器上。
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公开(公告)号：CN108281544B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201810077849.7
申请日：2018-01-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 基于铁电共存畴的多阻态铁电量子隧道结及制备方法，属于电子技术领域。解决了现有磁性隧道结高能耗、读写速度慢、存储密度低的问题。本发明为由下至上依次排列的4层结构构成的隧道结，由下至上依次排列的4层结构分别为单晶衬底、底电极、铁电超薄绝缘层和顶电极；当铁电超薄绝缘层的厚度为2nm至5nm，铁电超薄绝缘层和单晶衬底之间的错配应变在共存相的相界处时，通过底电极和顶电极对铁电超薄绝缘层厚度方向上施加驱动电压，通过改变驱动电压大小，来改变铁电超薄绝缘层的极化状态，进而使铁电超薄绝缘层在不同驱动电压的驱动下分别获得3种不同隧穿电阻的畴结构状态。本发明主要应用在存储器上。
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公开(公告)号：CN106350869B
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201610835377.8
申请日：2016-09-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种超高压电性能的正交相Mn掺杂铌钽锑酸钾钠锂无铅压电单晶及其制备方法，它属于功能性单晶材料及其制备技术研究领域，具体涉及一种钙钛矿结构铌钽酸钾钠基无铅压电单晶及其制备方法。本发明的目的是针对目前组分复杂的单晶生长困难，质量不高，压电性能不够高的问题。一种超高压电性能的正交相Mn掺杂铌钽锑酸钾钠锂无铅压电单晶的化学式为[(NayK1‑y)1‑xLix](Nb1‑zTazSbt)O3:Mn。方法：一、准备原料；二、混合原料；三、预烧；四、第二次预烧；五、反复熔化预烧钙钛矿结构的多晶材料；六、晶体生长。本发明可获得一种超高压电性能的正交相Mn掺杂铌钽锑酸钾钠锂无铅压电单晶。
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公开(公告)号：CN116988017A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310940469.2
申请日：2023-07-28
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明属于微纳米尺度的柔性电子器件技术领域，具体涉及一种多层堆叠的氧化物薄膜的制备方法。通过在衬底与薄膜之间引入牺牲层，可将薄膜与衬底分离，转移至任意目标位置，实现几种不同功能特性的自支撑薄膜或异质结构薄膜按不同顺序或角度堆叠，并依靠范德瓦尔斯力结合在一起。本发明通过不同方法堆叠自支撑单层氧化物薄膜，实现多层功能氧化物薄膜层数、角度的调控，从而控制功能氧化物薄膜层间相互作用，实现对物理特性以及新物性的调控，这不仅有利于研究复杂氧化物转角电子学（Twistronics）的物理机制，也为多功能柔性电子材料提供了材料基础。
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公开(公告)号：CN118973366A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411049420.9
申请日：2024-08-01
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明属于柔性自旋电子器件技术领域，具体涉及一种具有强磁交换偏置效应的氧化物转角异质结的制备及性能调控方法。通过将具有磁有序结构的自支撑单晶铁磁氧化物薄膜和反铁磁氧化物薄膜相互堆叠形成具有强界面磁耦合的转角磁异质结，并且通过增加覆盖层和堆叠角度调控转角磁异质结的磁性能。本发明通过将不同磁有序结构的自支撑反铁磁和铁磁层形成转角磁异质结，并通过控制耦合角度和距离，实现对转角磁异质结的交换偏置的调控。这不仅有利于研究转角磁电子学的物理机制，也为多功能的自旋电子学材料提供了材料基础和新颖有效调控手段。摘要附图为图10。
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