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公开(公告)号：CN119562523A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202311130099.2
申请日：2023-09-01
Applicant: 浙江驰拓科技有限公司
Abstract: 本申请提供了一种磁性存储器及其制备方法。该磁性存储器包括：多个存储单元，至少部分存储单元沿第一方向排列，各存储单元包括磁隧道结；磁屏蔽结构，磁屏蔽结构中的至少部分位于沿第一方向相邻存储单元之间，磁屏蔽结构与相邻的存储单元间隔设置；其中，磁屏蔽结构与相邻的存储单元间隔设置。由于是每个相邻存储单元之间均具有磁屏蔽结构，这种设计可以节约存储面积，同时上述磁屏蔽结构可以防止存储单元与磁屏蔽结构相接触而导致短路，使得存储单元具有对面内磁场的抗磁特性，从而可以使得该磁性存储器兼具垂直磁场和面内磁场的抗磁性能，提高其抗磁能力，进而提升磁性存储器在磁场环境下的可靠性。
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公开(公告)号：CN119546168A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202311121859.3
申请日：2023-08-31
Applicant: 浙江驰拓科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种磁性随机存储器结构的制作方法及磁性随机存储器结构。该制作方法包括：提供半导体基底，包括第一底部互连结构和底部电极层，底部电极层具有第二表面；在第二表面上依次形成层叠设置的存储位元和金属硬掩膜层，第二表面中包括第三区域和围绕第三区域的第四区域，存储位元和金属硬掩膜层在第二表面上的投影位于第三区域中；在金属硬掩膜层远离存储位元的一侧覆盖第一反应薄膜，以使第一反应薄膜和金属硬掩膜层反应生成顶部电极层，顶部电极层具有相对的第三表面和第四表面，第三表面中包括第五区域和围绕第五区域的第六区域，存储位元在第三表面上的投影位于第五区域中；在第四表面上形成顶部互连结构。
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公开(公告)号：CN119522026A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411374929.0
申请日：2024-09-29
Applicant: 上海矽睿科技股份有限公司
Abstract: 本申请涉及一种磁传感器制备方法及磁传感器，在基板制作倾斜结构之后，分别在基板的平面/倾斜结构形成第一TMR磁性多层薄膜图形，以及在基板的倾斜结构/平面形成第二TMR磁性多层薄膜图形。对第一TMR磁性多层薄膜图形和第二TMR磁性多层薄膜图形进行刻蚀，形成位于基板的平面以及倾斜结构的斜面上的第一金属层和磁性隧道结，在基板进行金属镀膜及刻蚀，形成连接各磁性隧道结的第二金属层。通过分别形成第一TMR磁性多层薄膜图形和第二TMR磁性多层薄膜图形，可根据基板的平面/倾斜结构处的实际沉积需求控制生成TMR磁性多层薄膜的厚度，确保TMR磁性多层薄膜的整体厚度一致或分别满足平面、斜面对于TMR磁性多层薄膜的厚度需求，提高了磁传感器的感应性能。
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公开(公告)号：CN119497399A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411078568.5
申请日：2024-08-07
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Abstract: 本公开涉及半导体设备和该半导体设备的制造方法。一种半导体设备可以包括：第一导电线；第二导电线，其位于第一导电线上方，其中第一导电线和第二导电线在彼此相交的不同方向上延伸；可变电阻图案，其位于第一导电线与第二导电线之间；第一电极图案，其位于第一导电线与可变电阻图案之间；第一电阻率阻障图案，其位于第一导电线与第一电极图案之间；以及第一扩散阻障图案，其位于第一电阻率阻障图案与第一电极图案之间。
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公开(公告)号：CN119486573A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202311012500.2
申请日：2023-08-10
Applicant: 浙江驰拓科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种磁存储器件，包括阵列区和逻辑区；阵列区包括磁隧道结、顶部电极、顶部金属、第一电介质层、第二电介质层和第三电介质层；逻辑区包括逻辑通孔、顶部金属、第一电介质层和第二电介质层；第一电介质层和第二电介质层围绕在阵列区和逻辑区的顶部金属周围，第三电介质层至少围绕在磁隧道结和顶部电极的侧壁，第二电介质层围绕在磁隧道结、顶部电极和逻辑通孔周围；第一电介质层的刻蚀速率为第二电介质层、第三电介质层的刻蚀速率的五倍以上。本申请第一电介质层的刻蚀速率相对很大，在刻蚀形成顶部金属凹槽时，可避免发生过刻蚀，提高顶部金属刻蚀的控制窗口；无需制作大尺寸的顶部电极和阵列区的通孔，可提高存储密度，节省光罩。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119451550A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411739023.4
申请日：2024-11-28
Applicant: 广东光翼智造科技有限公司
Abstract: 本申请涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种自旋电子器件及其制备方法。本申请的自旋电子器件包括：衬底，以及依次形成于衬底上的磁性膜、半导体膜和重金属电极；其中，半导体膜包括钙钛矿膜，钙钛矿膜的材料包括有机无机杂化钙钛矿，且有机无机杂化钙钛中的一价有机阳离子中含有氘原子。与无氘的有机无机杂化钙钛矿相比，氘代有机无机杂化钙钛矿不仅显示出更长的载流子寿命，而且作为非铁磁间隔材料，可以获得了更长磁振子扩散长度，从而使得含有该半导体膜的自旋电子器件具有很好的磁振子输运能力。
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公开(公告)号：CN119451548A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411468793.X
申请日：2024-10-21
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明属于自旋电子学领域，公开了一种基于磁相变材料铁铑合金实现对自旋轨道力矩显著调控的方法，该方法是基于磁相变材料铁铑合金构建的异质结，该异质结具有霍尔靶结构，包括磁相变材料铁铑合金层以及位于该铁铑合金层之上的、由下至上依次堆叠的非磁轻金属层、铁磁层和覆盖层；铁磁层具有垂直磁各向异性特征；铁铑合金层作为自旋源层，磁相变材料铁铑合金能够随着温度的变化发生反铁磁‑铁磁的一阶相转变。本发明通过使用铁铑合金作为自旋源层，形成铁铑合金层/非磁轻金属层/铁磁层/覆盖层的垂直磁化异质结，可实现对自旋轨道力矩的高效调控(尤其可实现对自旋轨道力矩高达450％的显著调控)。
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公开(公告)号：CN119451130A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411550772.2
申请日：2024-11-01
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请提供了一种新型磁电耦合存储器及制备方法，该新型磁电耦合存储器按照从上到下的顺序依次包括：衬底、底电极金属、磁振子传输层、第一金属电极、自旋流注入结构、多个栅极和自旋流检出结构；所述衬底上设置有所述底电极金属；所述底电极金属上设置有所述磁振子传输层和所述第一金属电极；以及所述磁振子传输层上沿磁振子传输方向依次设置有所述自旋流注入结构、多个所述栅极、所述自旋流检出结构；其中，所述第一金属电极和任意所述栅极组成用于写入信息的装置；所述自旋流注入结构、所述磁振子传输层、待读取栅极和所述自旋流检出结构组成用于读取信息的装置。本申请提供的技术方案能实现利用磁振子在存储器中读写信息。
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公开(公告)号：CN115148897B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202110340736.3
申请日：2021-03-30
Applicant: 长鑫存储技术有限公司
Inventor： 吴玉雷
Abstract: 本发明提出一种半导体结构的制备方法及半导体结构；半导体结构的制备方法包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底中形成底部接触结构；在所述底部接触结构上形成存储单元；形成包覆所述存储单元的屏蔽结构，其中，所述屏蔽结构包括多个交替布置的介质层和屏蔽层。本发明能够使得半导体结构利用上述屏蔽层和介质层实现对电磁场的多重反射以及吸收，以实现对电磁场更佳的屏蔽效果。
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公开(公告)号：CN112599661B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202011058111.X
申请日：2020-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种磁存储器件可以包括垂直磁性结构、面内磁性结构、在垂直磁性结构与面内磁性结构之间的自由磁性图案以及在垂直磁性结构与自由磁性图案之间的隧道势垒图案。垂直磁性结构可以包括具有被钉扎到特定方向的垂直磁化方向的至少一个被钉扎图案，并且自由磁性图案可以具有可切换的垂直磁化方向。面内磁性结构可以包括第一磁性图案和第二磁性图案，并且第一磁性图案和第二磁性图案中的每个可以具有不同的各自的面内磁化方向。
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