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公开(公告)号：CN119546175A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411568385.1
申请日：2024-11-05
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于AAO薄膜的纳米流体忆阻器及其制备方法，具体为：玻璃衬底上设置第一铜电极，第一铜电极上设置PDMS储液池，PDMS储液池内部设置AAO薄膜和CuSO4电解液，PDMS储液池顶部设置第二铜电极。制备方法为：在玻璃衬底中央位置放置第一铜电极，将胶状PDMS滴涂至第一铜电极前端；利用打孔器在固化的PDMS层上进行打孔，得到PDMS储液池；将AAO薄膜转移至PDMS储液池内，使其下表面贴合第一铜电极前端，并在PDMS储液池中加注满CuSO4电解液；在PDMS储液池上端放置第二铜电极，利用PDMS对PDMS储液池进行覆盖密封。本发明中的忆阻器具有工作电压小、功耗低、制备简单、稳定性好的优点。
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公开(公告)号：CN119546173A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411490292.1
申请日：2024-10-24
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开一种原位真空制备系统及忆阻器的制备方法，属于电子器件制造技术领域；一种原位真空制备系统包括手套箱，手套箱的一侧连接有真空集联管道，真空集联管道中分别能进行：绝缘材料热蒸发、金属材料热蒸发、反应离子刻蚀、离子束刻蚀、电子束蒸发以及磁控溅射；所述绝缘材料蒸发和电子束蒸发均采用：电子束蒸发设备；所述金属材料热蒸发和磁控溅射均采用：磁控溅射设备；反应离子刻蚀采用：反应离子刻蚀设备；离子束刻蚀采用：离子束刻蚀设备忆阻器制备过程中的材料沉积和电极制作均在原位真空制备系统中进行，避免了材料污染和界面缺陷，显著提高忆阻器的性能，并简化了制备工艺。
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公开(公告)号：CN119545809A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202311098199.1
申请日：2023-08-29
Applicant: 黑龙江大学
Abstract: 本发明公开了一种忆阻器，包括衬底和设置在衬底上方的阻变单元，所述阻变单元包括由下至上依次设置的底电极、第二阻变层、中间电极层、第一阻变层和顶电极。本发明还公开了一种基于忆阻器实现二值布尔逻辑的方法，包括：设置逻辑状态表，逻辑表中设置有不同逻辑代码；根据逻辑状态表，初始化忆阻器；根据逻辑状态表，将变量写入忆阻器；根据逻辑状态表，读取忆阻器的变量，读取同时对忆阻器中变量进行改变，获得逻辑结果。本发明公开的忆阻器及实现二值布尔逻辑方法，制备方法操作简单，成本低廉，易于实现小型化和集成化，操作简单，步骤简洁，可以实现所有的16种二值布尔逻辑功能。
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公开(公告)号：CN114649475B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202210270381.X
申请日：2022-03-18
Applicant: 济南大学
Abstract: 本公开提供了一种数字识别忆阻器及其制备方法，所述数字识别忆阻器包括：底电极、介质层和顶电极；其中，所述介质层位于所述底电极和顶电极之间，所述介质层为氧化锌纳米颗粒与氧化铜纳米线构成的异质结，所述氧化锌纳米颗粒附着在所述氧化铜纳米线上，所述异质结作为氧空位聚集层，连接顶电极和底电极形成导电通路，使电导形成渐变过程，表现出突触特性。与现有多用于存储型的忆阻器相比，本公开所述方案具有的制备简单，微观形貌特殊，具有模拟人脑突触的功能，实现于手写体数字识别，制备的忆阻器在神经形态计算中发挥了巨大的潜力，为未来的新兴计算机体系提供了基础。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN119497399A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411078568.5
申请日：2024-08-07
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Abstract: 本公开涉及半导体设备和该半导体设备的制造方法。一种半导体设备可以包括：第一导电线；第二导电线，其位于第一导电线上方，其中第一导电线和第二导电线在彼此相交的不同方向上延伸；可变电阻图案，其位于第一导电线与第二导电线之间；第一电极图案，其位于第一导电线与可变电阻图案之间；第一电阻率阻障图案，其位于第一导电线与第一电极图案之间；以及第一扩散阻障图案，其位于第一电阻率阻障图案与第一电极图案之间。
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公开(公告)号：CN119486579A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411291658.2
申请日：2024-09-14
Applicant: 河北大学
Abstract: 本发明提供了一种垂直自组装纳米复合结构铁电忆阻器、其制备方法及应用。该铁电忆阻器的结构由下至上依次包括：Si衬底、钛酸锶缓冲层、镧锶锰氧底电极层、由钛酸锶钡和氧化钕形成的复合结构铁电活性层、顶电极层；所述复合结构铁电活性层中钛酸锶钡和氧化钕以交替排列的方式形成垂直自组装柱状纳米复合结构。本发明在铁电活性层钛酸锶钡中引入氧化钕，形成垂直自组装纳米复合结构，在降低介电常数的同时引入额外的界面、缺陷和应力，可以有效地固定畴壁增加面外晶格常数，并控制氧空位运动，显著提高开关电压的稳定性和整体忆阻器性能，使得其能够稳定的调节电导态。这些是有利于铁电薄膜器件多级存储的，并得以在类脑神经计算和高效能存储中实现应用。
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公开(公告)号：CN119451559A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411566682.2
申请日：2024-11-05
Applicant: 福建理工大学
Abstract: 本发明公开了一种双模式的人工神经元忆阻器及其制作方法。所述的忆阻器器件从下往上依次为底电极、阻变层和顶电极，所述底电极为P型高掺杂的纯硅片，所述阻变层为氧化物薄膜层，所述顶电极为热蒸发的银电极。所述的忆阻器的阻变机理主要为银导电丝的连接与断开，在不同的限制电流下会显示出不同的开关行为，使得该忆阻器可以通过调节软击穿的限制电流来切换易失性与非易失性俩种模式，若软击穿时的限制电流Icc较大，则器件表现出稳定非易失性；若Icc较小，银导电丝较为脆弱，易于断开，因此器件展现出稳定的易失性。此外，忆阻器器件还可以模拟IF模型的积分点火行为。
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公开(公告)号：CN119451133A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202410860193.1
申请日：2024-06-28
Applicant: 霍尼韦尔国际公司
Inventor： V·冈德
Abstract: 一种计算设备包括相变材料(PCM)可变微机电系统(MEMS)电容器和电源。PCM可变MEMS电容器包括衬底、第一电极、第二电极、PCM和加热器。第一电极与衬底间隔开以限定PCM腔室。第二电极与第一电极间隔开以限定电容间隙。PCM设置在PCM腔室内。加热器元件被耦接以接收电压脉冲，由此PCM的温度变化，从而改变电容间隙。电源耦接到PCM可变MEMS电容器并且能够操作以(i)向加热器供应电压脉冲，以及(ii)在第一电极和第二电极之间供应时间依赖性电压，从而实现单次乘法运算。
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