公开(公告)号：CN119497399A

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202411078568.5

申请日：2024-08-07

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 吴尚哲 ,  金明燮

IPC: H10B63/00 ,  H10B63/10 ,  H10B61/00 ,  H10N50/01 ,  H10N50/10 ,  H10N50/80 ,  H10N70/00 ,  H10N70/20

Abstract: 本公开涉及半导体设备和该半导体设备的制造方法。一种半导体设备可以包括：第一导电线；第二导电线，其位于第一导电线上方，其中第一导电线和第二导电线在彼此相交的不同方向上延伸；可变电阻图案，其位于第一导电线与第二导电线之间；第一电极图案，其位于第一导电线与可变电阻图案之间；第一电阻率阻障图案，其位于第一导电线与第一电极图案之间；以及第一扩散阻障图案，其位于第一电阻率阻障图案与第一电极图案之间。

公开(公告)号：CN105742485A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201510370000.5

申请日：2015-06-29

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 吴尚哲 ,  朴海赞 ,  李世昊

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC classification number: H01L45/12 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1675

Abstract: 公开了一种半导体集成电路器件及其制备方法。该半导体集成电路器件包括电阻层和包覆膜，所述包覆膜被形成以环绕电阻层的外壁。所述包覆层包含氧吸收组分。