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公开(公告)号：CN113113445A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110279794.X
申请日：2021-03-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在实施例中，器件包含：位于衬底上方的第一金属化层，该衬底包含有源器件；位于第一金属化层上方的第一位线，该第一位线连接至第一金属化层的第一互连件，该第一位线沿第一方向延伸，该第一方向与有源器件的栅极平行；位于第一位线上方的第一相变随机存取存储器(PCRAM)单元；位于第一PCRAM单元上方的字线，该字线沿第二方向延伸，该第二方向与有源器件的栅极垂直；以及位于该字线上方的第二金属化层，该字线连接至该第二金属化层的第二互连件。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN105304493A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201410393518.6
申请日：2014-08-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/785 , H01L21/0206 , H01L21/31053 , H01L21/31116 , H01L21/32115 , H01L21/32136 , H01L21/823431 , H01L21/823821 , H01L21/823857 , H01L21/845 , H01L29/0653 , H01L29/41791 , H01L29/42356 , H01L29/517 , H01L29/66545 , H01L29/66553 , H01L29/66795
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。在一些实施例中，一种制造半导体器件的方法包括：提供具有凹槽和衬垫凹槽的介电层的工件；在凹槽内形成导电结构，其中，导电结构部分地填充凹槽；以及使介电层凹进，其中，在凹进之后，凹进的介电层的顶面设置在凹槽内部。
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公开(公告)号：CN105097445A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510201123.6
申请日：2015-04-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01J37/32862 , H01J37/32009 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32477 , H01J37/32633 , H01J2237/334 , H01L21/3065 , H01L21/32135 , H01L21/32136 , H01L21/67069
Abstract: 本发明提供了去除蚀刻室中的颗粒的方法，包括：在干蚀刻室中形成涂层，将晶圆放置在干蚀刻室内，蚀刻晶圆的含金属层，以及将晶圆移出干蚀刻室。在将晶圆移出干蚀刻室之后，去除涂层。
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公开(公告)号：CN103296069A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201210271383.7
申请日：2012-07-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/3065 , H01L21/76224 , H01L21/823431 , H01L21/823821 , H01L27/0886 , H01L27/0924
Abstract: 本发明涉及一种鳍式场效应晶体管(FinFET)。FinFET的示例性结构包括：包含有主表面的衬底；具有第一宽度并且从衬底的主表面向下延伸至第一高度的多个第一沟槽，其中邻近的第一沟槽之间的第一间隔限定出第一鳍片；以及具有小于第一宽度的第二宽度并且从衬底的主表面向下延伸至大于第一高度的第二高度的多个第二沟槽，其中，邻近的第二沟槽之间的第二间隔限定出第二鳍片。本发明提供了FinFET及其制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101847604B
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN200910167342.1
申请日：2009-08-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/31645 , H01L21/31604 , H01L21/823842
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，包括：提供具有一第一有源区与一第二有源区的一半导体基底；形成一高介电常数介电层于该半导体基底上；形成一上盖层于该高介电常数介电层上；形成一第一金属层于该上盖层上，其中该第一金属层具有第一功函数；形成一掩模层于该第一有源区内的该第一金属层上；利用该掩模层以移除该第二有源区内的该第一金属层以及部分移除该上盖层的一部；以及形成一第二金属层于该第二有源区内的经部分移除的该上盖层上，其中该第二金属层具有一第二功函数。本发明的半导体装置的制造方法能够改善于制造半导体装置时对于阻剂残留以及高介电常数栅极轮廓的控制能力。
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公开(公告)号：CN101997027A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010226315.X
申请日：2010-07-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/4983 , H01L29/6656
Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管及其栅结构，场效应晶体管的栅结构包括：一栅电极层；一栅绝缘层，位于该栅电极层之下，且于该栅电极层的相反侧上具有底脚区；以及一密封层，位于该栅结构的侧壁上，其中该密封层覆盖于该底脚区上的一较低部分的一厚度小于该密封层位于该栅电极层的侧壁上的一较高部分的一厚度。本发明所形成的半导体元件(晶体管)的密封结构在基底表面中几乎不具有凹陷。
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公开(公告)号：CN101847604A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200910167342.1
申请日：2009-08-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/31645 , H01L21/31604 , H01L21/823842
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，包括：提供具有一第一有源区与一第二有源区的一半导体基底；形成一高介电常数介电层于该半导体基底上；形成一上盖层于该高介电常数介电层上；形成一第一金属层于该上盖层上，其中该第一金属层具有第一功函数；形成一掩模层于该第一有源区内的该第一金属层上；利用该掩模层以移除该第二有源区内的该第一金属层以及部分移除该上盖层的一部；以及形成一第二金属层于该第二有源区内的经部分移除的该上盖层上，其中该第二金属层具有一第二功函数。本发明的半导体装置的制造方法能够改善于制造半导体装置时对于阻剂残留以及高介电常数栅极轮廓的控制能力。
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公开(公告)号：CN101794711A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200910169145.3
申请日：2009-09-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L21/823828 , H01L21/3221 , H01L29/4966 , H01L29/513 , H01L29/517
Abstract: 本发明提供一种半导体元件的制造方法，包括：于一基底前侧上的半导体基底的上方形成一界面层；于该界面层上形成高介电常数(high-k)介电层；于该高介电常数介电层上形成一盖层；于该盖层上形成一金属层；于该金属层上形成一第一多晶硅层；以及于该基底背侧上的半导体基底的上方形成一第二多晶硅层。
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公开(公告)号：CN101673686A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200910171765.0
申请日：2009-09-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/28123 , H01L21/31138
Abstract: 本发明提供一种半导体元件及其金属栅极堆叠的形成方法，包括：于一基底上形成一第一材料层；于该第一材料层上形成一图案化光致抗蚀剂层；利用该图案化光致抗蚀剂层作为一掩模，对该第一材料层施行一蚀刻步骤；以及提供一含氮等离子体至该基底以移除该图案化光致抗蚀剂层。本发明能够克服氧气等离子体的移除所造成的金属层的氧化及起始氧化层的再成长的问题。再者，本发明还能够克服金属栅极的氧化、氧渗透至high k介电材料层及起始氧化层再成长的问题。
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