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公开(公告)号：CN109716479A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201780057110.3
申请日：2017-09-27
申请人： 艾克塞利斯科技公司
IPC分类号： H01J37/08 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/32862 , C23C14/48 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/006 , H01J2237/022 , H01J2237/08 , H01J2237/18 , H01J2237/31705
摘要： 本发明提供一种用于改善离子注入性能的离子源组件和方法。该离子源组件具有离子源腔室，并且源气体供应源向离子源腔室提供分子碳源气体。激发源激发分子碳源气体，形成碳离子和原子碳。引出电极从离子源腔室中引出碳离子，形成离子束。过氧化氢共伴气体供应源向离子源腔室提供过氧化氢共伴气体。过氧化氢共伴气体分解并与原子碳反应，在离子源腔室内形成碳氢化合物。进一步引入惰性气体并使其离子化，以抵消因过氧化氢分解所致的阴极氧化。真空泵除去碳氢化合物，其中减少原子碳的沉积并且延长离子源腔室的使用寿命。
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公开(公告)号：CN104576453B
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201410575684.8
申请日：2014-10-24
申请人： 东京毅力科创株式会社
CPC分类号： H01J37/32862 , B08B7/0035 , C23C16/4405 , H01J37/32091 , H01J37/32477 , H01J37/32642 , H01J2237/334 , H01J2237/3344 , H01L21/3065 , H01L21/31116
摘要： 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，其有效地除去含金属的附着物。该等离子体处理方法，利用含CxFy气体(其中，x为2以下的整数，y为6以下的整数)且不含氯类气体和氮类气体的处理气体的等离子体，除去附着在配置于处理容器的内部的部件上的含过渡金属和贱金属中的至少任一者的附着物。
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公开(公告)号：CN107768223A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710556214.0
申请日：2017-07-10
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32871 , B08B7/0035 , C23C16/4405 , H01J37/02 , H01J37/26 , H01J37/30 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J37/32862 , H01J2237/022 , H01J2237/028 , H01J37/32669 , H01J2237/335
摘要： 本发明涉及与等离子清洁机一起使用的磁体。等离子体发生器位于真空室外侧并生成中性活性粒子和带电粒子。定位在等离子体发生器外侧的磁体使带电粒子偏转，从而防止其中的一些或全部进入真空室，由此防止在真空室中形成二次等离子体源，同时允许中性活性粒子进入真空室以减少污染物。
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公开(公告)号：CN104073780B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201410118264.7
申请日：2014-03-27
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/455 , H01L21/67 , H01J37/32
CPC分类号： C23C16/4408 , H01J37/3244 , H01J37/32862 , Y10T137/4245
摘要： 本发明提供一种成膜装置、气体供给装置以及成膜方法，用于降低作为基板的半导体晶圆（W）的微粒污染。在该成膜装置中，依次向真空气氛的处理容器（1）内的晶圆供给相互反应的多种反应气体，来进行成膜处理，在进行了薄膜的形成处理之后，通过使吹扫气体流通而将附着于与反应气体接触的部位的微粒除去。并且，利用用于使反应气体暂时升压之后排向处理容器的升压用的储存容器（61、62），将吹扫气体的压力提高到比反应气体在升压时的压力高，之后供给到处理容器内。因此，在吹扫气体的强流的作用下，在储存容器下游侧的流路内存在的微粒与吹扫气体一起流动而被除去。因此，带入处理容器内的微粒减少，所以能够降低晶圆的微粒污染。
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公开(公告)号：CN107424898A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710358043.0
申请日：2017-05-19
申请人： SPTS科技有限公司
CPC分类号： C23C16/4405 , B08B7/0035 , C23C16/452 , C23C16/52 , H01J37/32357 , H01J37/32862 , H01J37/32963 , H01J2237/335
摘要： 根据本发明提供了一种使用自由基对等离子体处理装置的室进行清洁的方法，包括以下步骤：在与所述室分离的远程等离子体源内产生等离子体，所述等离子体包括自由基和离子；通过使得自由基能够从所述远程等离子体源进入所述室来清洁所述室，同时防止在所述远程等离子体源产生的离子的大部分进入所述室；对清洁过程中在所述室的组件上形成的DC偏置进行检测；以及使用所检测的DC偏置来确定所述清洁的终点，并且在确定所述终点时终止所述清洁。
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公开(公告)号：CN104681464B
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201410421739.X
申请日：2014-08-25
申请人： 株式会社日立国际电气
发明人： 西堂周平
CPC分类号： C23C16/46 , C23C16/4408 , C23C16/4412 , C23C16/45523 , C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/45582 , C23C16/4586 , H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32522 , H01J37/32834 , H01J37/32853 , H01J37/32862 , H01L21/02263 , H01L21/28512 , H01L21/76877
摘要： 本发明提供一种衬底处理装置及半导体器件的制造方法，即使在使用了缓冲空间的枚叶式装置中，也会抑制缓冲空间的副产物的产生。为了解决上述课题，提供一种衬底处理装置，具有：处理室，其具有载置部，该载置部具有供衬底载置的载置面；喷头，其具有缓冲室且设置在上述处理室的上游；气体供给系统，其经由上述喷头的缓冲室交替地向上述处理室供给至少两种气体；和加热部，其在从上述气体供给系统供给气体的期间，以第1温度对缓冲室进行加热，而且以比上述第1温度高的温度对上述处理室进行加热。
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公开(公告)号：CN104362066B
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201410459032.8
申请日：2008-06-02
申请人： 应用材料公司
CPC分类号： C23C16/4405 , H01J37/321 , H01J37/32357 , H01J37/32862 , H05H1/46
摘要： 本发明主要包括远程等离子体源和在远程等离子体源中产生等离子体的方法。清洗气体可在远程位置被激发为等离子体并且随后提供到处理腔室。通过在冷却RF线圈外部流动清洗气体，在可高压或低压下并且将高RF偏压施加到线圈而激发等离子体。冷却RF线圈可减少线圈的溅射并从而减少与清洗气体等离子体一起被输送到处理腔室的不期望污染物。减少线圈的溅射可延长远程等离子体源的使用寿命。
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公开(公告)号：CN104508803B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201380039947.7
申请日：2013-08-07
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 原田彰俊
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/3244 , C23F4/00 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32449 , H01J37/32458 , H01J37/32862 , H01J2237/334 , H01L21/31116 , H01L21/31144
摘要： 本实施方式的等离子体处理方法，首先实施对等离子体处理空间供给第一含氟气体，使用第一含氟气体的等离子体对被处理基板进行蚀刻的蚀刻工序(S101)。接着，等离子体处理方法实施对等离子体处理空间供给O2气体，使用O2气体的等离子体除去蚀刻工序之后附着在表面与等离子体处理空间相对地配置的部件上的含碳物的含碳物除去工序(S102)。接着，等离子体处理方法实施对等离子体处理空间供给含氮气体和第二含氟气体，使用含氮气体和第二含氟气体的等离子体除去蚀刻工序之后附着在部件上的含钛物的含钛物除去工序(S103)。
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公开(公告)号：CN103861839B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201310676885.2
申请日：2013-12-12
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 埃万盖洛斯·T·斯皮罗普洛斯 , 伊克巴尔·A·谢里夫 , 克利福德·埃里克·拉克鲁瓦
IPC分类号： B08B3/12
CPC分类号： B08B3/12 , A47L2601/17 , B08B1/00 , B08B3/00 , B08B3/044 , B08B3/045 , B08B3/047 , B08B3/048 , B08B3/10 , B08B3/108 , B08B11/00 , B08B11/02 , B08B11/04 , B08B2209/005 , G02B27/0006 , H01J37/32862
摘要： 本发明涉及超声波清洗的方法及其装置，具体涉及清洗基本平坦的物件的方法和超声波清洗装置。一种装置，包括（i）基本圆形的池；（ii）用于输送清洗流体到池的多个清洗流体入口；（ⅲ）用于接收待清洗的物件的中间支撑件；以及（iv）超声波发生器，其耦合到所述池，用于在池和容纳在其中的清洗流体中产生超声波。该装置被配置为从基本平坦的物件除去颗粒，并让它们通过清洗流体的流带离物件并离开所述池。使用这样的装置，清洗方法包括引导待清洗的基本为平坦的物件到所述池；通过多个清洗流体入口引导清洗流体进入所述池；和用超声波激励清洗流体。
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公开(公告)号：CN105393333A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201480040385.2
申请日：2014-07-17
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： C23C16/4405 , H01J37/3277 , H01J37/32862 , Y10T428/18 , Y10T428/192
摘要： 根据本公开案，提供一种用于清洁柔性基板处理装置的处理腔室而不破坏处理腔室中的真空的方法。用于清洁处理腔室的所述方法包括：将牺牲箔引导至所述处理腔室中；在所述处理腔室中发起第一泵工艺；当所述牺牲箔被设置在所述处理腔室中时，等离子体清洁所述处理腔室；在所述处理腔室中发起第二泵工艺；以及将所述牺牲箔引导至所述处理腔室外。
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