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公开(公告)号：CN120050832A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202411682294.0
申请日：2024-11-22
Applicant: 责市特马有限公司
Abstract: 一实施例提供一种结合于端口的离子形成装置，包括：离子源，输出部通过贯通孔与腔室连通，利用从源主体供应至所述输出部的阳极电极的电压，在所述阳极电极和阴极电极之间产生离子，从而在所述腔室的内部空间形成离子；及端口结合结构，在具备于所述腔室的一侧的端口结合位于所述腔室外部的所述离子源以与所述腔室连通，以在所述腔室的内部空间执行的特定工艺。
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公开(公告)号：CN117995632B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202410122956.2
申请日：2024-01-29
Applicant: 香港科技大学(广州)
IPC: H01J37/08 , H01J37/317 , H01J37/32
Abstract: 本申请涉及一种离子源、离子注入装置和离子注入方法。离子源包括壳体、电子枪、电子接收极、含硒固体源、激光器和离子引出极，壳体具有电离室，电子枪和电子接收极设于电离室内，沿第一方向相对且间隔设置。含硒固体源设于电离室内，且具有第一侧壁，激光器朝向含硒固体源的第一侧壁设置，以将含硒固体源加热成含硒气体。离子引出极贯穿设于壳体沿第二方向的一侧侧壁上，且具有与电离室连通的离子出口。电子枪包括阴极，阴极和电子接收极之间具有第一预设电压，以引导阴极发射的电子朝向电子接收极出射，而将含硒气体电离为含硒离子。离子引出极被配置为能够引导含硒离子通过离子出口出射。可减小后续利用该离子源进行离子注入时的启动时间。
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公开(公告)号：CN119948592A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202380057785.3
申请日：2023-07-31
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/08 , H01J37/317
Abstract: 提供了一种离子注入系统、离子源和方法，用于形成从含铝物种到离子源的铝离子束。将卤化物物种和卤化物分子中的一个或多个引入至离子源，其中卤化物物种选自原子氯、原子溴和原子碘，卤化物分子包括选自氯、溴和碘的卤化物。卤化物物种和卤化物分子中的一个或多个清洁离子源的一个或多个组件，并进一步与含铝物种反应以产生卤化铝蒸气。铝离子束进一步从至少卤化铝蒸气形成。
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公开(公告)号：CN119852151A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202510015031.2
申请日：2025-01-02
Applicant: 中子科学(重庆)研究院有限公司
IPC: H01J37/08 , H01J37/147
Abstract: 本发明提供了一种多电荷态离子源及多电荷态离子束输出调控方法，用于同时或分别引出负氢离子束和质子束；多电荷态离子源包括放电室，所述放电室分别设置有负氢离子引出组件和质子引出组件，所述负氢离子引出组件用于引出负氢离子束，所述质子引出组件用于引出质子束；还包括调控系统，所述调控系统分别与所述负氢离子引出组件和质子引出组件电连接，用于在线调控引出的负氢离子束和质子束的束流强度。本发明的多电荷态离子源能够单独输出负氢离子束或质子束，或同时输出负氢离子束和质子束，且束流强度能够在线调整，能够提高输出的各电荷态束流的强度，操作简便，极大提高了操作效率，同时还降低了空间占有率，降低了使用和维护的难度以及成本。
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公开(公告)号：CN119816913A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202380063847.1
申请日：2023-08-24
Applicant: 应用材料以色列公司
Inventor： 耶胡达·祖尔
Abstract: 一种包括细长气体导管的气体喷射喷嘴，所述细长气体导管包含：第一气体导管区段，其经配置为与储气器耦接；第二气体导管区段，其流体地耦接到所述第一气体导管区段且界定所述细长气体导管的向下曲线；第三气体导管区段，其界定所述细长气体导管的向上曲线，所述第三气体导管区段延伸到密封端且与所述第二气体导管的至少一部分成镜像关系设置；及中央气体导管区段，其耦接在所述第二气体导管区段与所述第三气体导管区段之间，所述中央气体导管区段具有形成在所述中央气体导管的上表面中的第一孔及形成在所述中央气体导管的下表面中与所述第一孔直接相对的比所述第一孔大的第二孔，其中所述细长气体导管具有沿着其长度的至少包括所述第二气体导管区段、所述第三气体导管区段及所述中央气体导管区段的一部分的第一直径，且其中所述中央气体导管区段包括在所述第一孔及所述第二孔的每侧上延伸至少两倍于所述气体导管的所述第一直径的距离的实质上水平部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119768887A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202380061584.0
申请日：2023-07-27
Applicant: 应用材料股份有限公司
Inventor： 泰勒·威尔斯 , 理查·艾伦·斯普林克
IPC: H01J37/317 , H01J37/08 , H01J37/147
Abstract: 公开一种用于产生消除了不与位置相关的变化的射束电流型态的系统及方法。系统包括两个法拉第传感器；一个法拉第传感器跨越离子射束移动且第二个法拉第传感器保持处于某个位置处或某个位置附近。使用参考法拉第传感器对射束电流的时间变化进行测量，而可移动法拉第传感器对位置相关变化及时间变化二者进行测量。通过对这些测量值进行组合，可确定经扫描离子射束的实际位置相关变化。然后，可使用此所得射束电流型态来控制静电扫描器或磁性扫描器的扫描速度。
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公开(公告)号：CN119650401A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411811352.5
申请日：2024-12-10
Applicant: 闽都创新实验室
Inventor： 吕佩文
Abstract: 本发明公开了一种气体、固体双模式离子源，包括：ECR腔体、磁体、圆柱样品靶、微波窗口、微波波导、气体入口、离子出射狭缝和栅极；本发明中，当直流电源的正极接在ECR腔体上，负极接在栅极上时，所述双模式离子源处于气体离子源工作状态；当溅射电源的正极接在ECR腔体上，负极接在圆柱样品靶上，实现稳定的溅射后，将直流电源的正极接在ECR腔体上，负极接在栅极上时，所述双模式离子源处于固体离子源工作状态。本发明的双模式离子源的结构紧凑，工作可靠稳定，使用成本低，离化率高。既可可作为气体离子源，也可以作为固体离子源，并可在工作过程中进行切换，可应用于质谱仪、离子注入设备、刻蚀设备等。
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公开(公告)号：CN117198850B
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202310969700.0
申请日：2023-08-02
Applicant: 兰州空间技术物理研究所
Abstract: 本申请涉及真空镀膜技术领域，具体而言，涉及一种具有气路拓扑结构的大面积线性阳极层离子源，包括源体组件、永磁体、阴极、环形阳极以及气路拓扑结构，其中：阴极由内阴极和外阴极组成，内阴极设置在源体组件的中间，外阴极设置在内阴极的两侧，与内阴极之间形成离子束流出射狭缝；环形阳极设置在离子束流出射狭缝的下方；永磁体设置在源体组件侧壁和外阴极边缘之间；气路拓扑结构由多层布气板片组成，设置在源体组件底面的下方；源体组件底面上设置有多个通气孔，与气路拓扑结构上的布气孔一一对应。本申请通过设置不同布气板片刻蚀开孔结构并进行可靠的排列组合形式，实现了离子源体内部电离区域气体特性的一致。
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公开(公告)号：CN114080658B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202080049673.X
申请日：2020-06-23
Applicant: 应用材料股份有限公司
IPC: H01J37/08 , H01J37/305 , H01J37/32
Abstract: 一种离子束处理设备、系统及产生离子束的方法。所述离子束处理设备可包括等离子体腔室及设置在所述等离子体腔室旁边的等离子体板，其中所述等离子体板界定第一抽取开孔。所述设备可包括设置在所述等离子体腔室内并面向所述第一抽取开孔的束阻挡器。所述设备可还包括：非平面电极，邻近所述束阻挡器并在所述等离子体腔室的外部设置；以及抽取板，设置在所述等离子体板的外部，并界定与所述第一抽取开孔对齐的第二抽取开孔。
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公开(公告)号：CN119044626A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411126699.6
申请日：2024-08-16
Applicant: 中山凯旋真空科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种离子源测试装置，包括：机架；真空室，设置在所述机架上，其侧壁设有若干能与离子源可拆卸连接并能让离子源的粒子束流进入真空室内的离子源接口；旋转平台，设置在所述真空室内，用于承载待测试晶圆；驱动组件，与所述旋转平台连接，用于驱动旋转平台旋转；加热组件，设置在所述真空室内；抽真空系统，与所述真空室连接，用于对真空室进行抽真空；充气系统，与所述真空室连接，用于向真空室内充入一种或多种工业气体。本发明具有结构简单、成本低、满足对离子源测试需求的优点。
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