-
公开(公告)号：CN113325797A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110652125.2
申请日：2021-06-11
Applicant: 中山凯旋真空科技股份有限公司
IPC: G05B19/05
Abstract: 本公开提供了一种控制设备的数据采集方法、装置、存储介质和电子设备，涉及计算机技术领域。该方法首先对原始数据进行变量集合的划分，然后再对多个变量集合进行聚类化处理，最后根据聚类化后得到的多个聚类集合中的各目标集合进行同步采集，可以有效避免采集过多无关地址，可以大大提高数据采集的效率，同时对各目标聚类集合进行同步采集，可以进一步提高数据采集的效率。因此，本公开实施例提供的控制设备的数据采集方法可以从避免采集过多无关地址，以及同时对各目标聚类集合进行同步采集，两个维度提高对于数据采集的效率，从而解决了现有技术中存在的目前的PLC数据采集方法效率较低的技术问题，达到了提高控制设备数据采集效率的技术效果。
-
公开(公告)号：CN113817999A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202110975854.1
申请日：2021-08-24
Applicant: 中山凯旋真空科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及压电陶瓷技术领域，尤其为一种用于制备压电陶瓷的真空镀膜设备，包括真空镀膜室，所述真空镀膜室内侧固定连接有真空系统，所述真空镀膜室底部固定连接有旋转式工装转架，本发明中，通过设置的旋转式工装转架和磁控溅射系统，设备通过采用一体化标准设计，性能稳定，便于批量生产和运输，且采用多个平面靶，并进行圆形均匀布局设计，在镀膜过程中能够有效提高压电陶瓷薄膜制备的均匀性，采用旋转平面矩形靶，能够有效地减小靶基距，提高反应溅射沉积速率，采用射频磁控溅射镀膜，可在低气压下进行，绿色无污染，同时，也提高了溅射效率，采用旋转式工装转架设计，增加了装载量，可以在大面积连续基板上高效的制取均匀膜层。
-
公开(公告)号：CN114836728A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210457199.5
申请日：2022-04-27
Applicant: 中山凯旋真空科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种保持镀膜腔真空度稳定的方法，应用于真空镀膜生产线，其包括：位于所述镀膜腔室前侧的所述基材往所述镀膜腔室移动的过程中、所述第一真空门阀打开之前，往所述前过渡腔室充入与所述镀膜腔室类型相同的工艺气体，并控制所述前过渡腔室的真空度，使得所述基材到达所述前过渡腔室的后端时或到达所述前过渡腔室的后端之前，所述前过渡腔室的真空度相对于所述镀膜腔室的真空度在预定偏差范围之内；类似的，所述第二真空门阀打开之前，参照上述过程进行。本发明还公开了可以实现上述方法的装置以及可读存储介质。通过上述的方法可以保持镀膜腔室的稳定，有利于兼顾镀膜的效率以及质量。
-
公开(公告)号：CN113325797B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202110652125.2
申请日：2021-06-11
Applicant: 中山凯旋真空科技股份有限公司
IPC: G05B19/05
Abstract: 本公开提供了一种控制设备的数据采集方法、装置、存储介质和电子设备，涉及计算机技术领域。该方法首先对原始数据进行变量集合的划分，然后再对多个变量集合进行聚类化处理，最后根据聚类化后得到的多个聚类集合中的各目标集合进行同步采集，可以有效避免采集过多无关地址，可以大大提高数据采集的效率，同时对各目标聚类集合进行同步采集，可以进一步提高数据采集的效率。因此，本公开实施例提供的控制设备的数据采集方法可以从避免采集过多无关地址，以及同时对各目标聚类集合进行同步采集，两个维度提高对于数据采集的效率，从而解决了现有技术中存在的目前的PLC数据采集方法效率较低的技术问题，达到了提高控制设备数据采集效率的技术效果。
-
公开(公告)号：CN114836728B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202210457199.5
申请日：2022-04-27
Applicant: 中山凯旋真空科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种保持镀膜腔真空度稳定的方法，应用于真空镀膜生产线，其包括：位于所述镀膜腔室前侧的所述基材往所述镀膜腔室移动的过程中、所述第一真空门阀打开之前，往所述前过渡腔室充入与所述镀膜腔室类型相同的工艺气体，并控制所述前过渡腔室的真空度，使得所述基材到达所述前过渡腔室的后端时或到达所述前过渡腔室的后端之前，所述前过渡腔室的真空度相对于所述镀膜腔室的真空度在预定偏差范围之内；类似的，所述第二真空门阀打开之前，参照上述过程进行。本发明还公开了可以实现上述方法的装置以及可读存储介质。通过上述的方法可以保持镀膜腔室的稳定，有利于兼顾镀膜的效率以及质量。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113714616B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202110975851.8
申请日：2021-08-24
Applicant: 中山凯旋真空科技股份有限公司
IPC: B23K20/02
Abstract: 本发明涉及焊接技术、自动扩散焊接设备技术领域，尤其为一种自动扩散焊接方法，包括焊材、母材、加热系统和加压系统，所述在焊接时，通过加压使焊材和母材贴合在一起，随后针对焊接阶段的不同，随着时间的增加利用加压系统和加热系统对焊接压强和焊接温度进行不断的调整，先使焊材和母材发生微观塑性形变形成交接面，进一步的使交界面原子之间相互扩散，最后使焊材和母材之间的结合层体积发生扩散，完成焊接，与传统人工控制扩散焊接设备的方式相比，本发明提出的自动焊接方法，由大量数据经验作支撑，是从定性分析到定量分析的一个结果，具有性能可靠，效果良好，可移植性强的特点，同时降低了操作人员的要求，从而降低了人力和时间上的成本。
-
公开(公告)号：CN115393331A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202211050416.5
申请日：2022-08-29
Applicant: 中山凯旋真空科技股份有限公司
Abstract: 本公开提供了一种基片位置异常的检测方法与检测装置，该检测方法包括：设定基片正常位置的各个极限位置，计算正常位置的轮廓范围，生成正常范围轮廓边缘图像；获取待测基片的图像；根据待测基片的图像确定待测基片的轮廓；通过位置异常判别算法判断当前待测基片的轮廓是否处于预设目标区域内；若判断待测基片的轮廓处于预设目标区域内，则判断当前待测基片的位置处于正常状态；若判断待测基片的轮廓未处于预设目标区域内，则判断当前待测基片的位置处于异常状态，并发送告警信息。通过获取待测基片的轮廓来判断待测基片的位置是否发生异常，能够极大提高基片位置的检测精度和准确性，进而避免了因基片放置错误而导致设备损坏情况的产生。
-
公开(公告)号：CN119044626A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411126699.6
申请日：2024-08-16
Applicant: 中山凯旋真空科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种离子源测试装置，包括：机架；真空室，设置在所述机架上，其侧壁设有若干能与离子源可拆卸连接并能让离子源的粒子束流进入真空室内的离子源接口；旋转平台，设置在所述真空室内，用于承载待测试晶圆；驱动组件，与所述旋转平台连接，用于驱动旋转平台旋转；加热组件，设置在所述真空室内；抽真空系统，与所述真空室连接，用于对真空室进行抽真空；充气系统，与所述真空室连接，用于向真空室内充入一种或多种工业气体。本发明具有结构简单、成本低、满足对离子源测试需求的优点。
-
公开(公告)号：CN113817999B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202110975854.1
申请日：2021-08-24
Applicant: 中山凯旋真空科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及压电陶瓷技术领域，尤其为一种用于制备压电陶瓷的真空镀膜设备，包括真空镀膜室，所述真空镀膜室内侧固定连接有真空系统，所述真空镀膜室底部固定连接有旋转式工装转架，本发明中，通过设置的旋转式工装转架和磁控溅射系统，设备通过采用一体化标准设计，性能稳定，便于批量生产和运输，且采用多个平面靶，并进行圆形均匀布局设计，在镀膜过程中能够有效提高压电陶瓷薄膜制备的均匀性，采用旋转平面矩形靶，能够有效地减小靶基距，提高反应溅射沉积速率，采用射频磁控溅射镀膜，可在低气压下进行，绿色无污染，同时，也提高了溅射效率，采用旋转式工装转架设计，增加了装载量，可以在大面积连续基板上高效的制取均匀膜层。
-
公开(公告)号：CN113359617B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202110654630.0
申请日：2021-06-11
Applicant: 中山凯旋真空科技股份有限公司
IPC: G05B19/4155
Abstract: 本公开是关于一种工艺流程控制方法及控制系统。该工艺流程控制方法，由控制系统执行，控制系统与执行器件连接，方法包括：通过预设的工艺流程编写界面获取用户对目标部件的第一配置信息和工艺指令的第二配置信息，其中，目标部件包括执行器件和/或由执行器件组成的执行组件；基于第一配置信息和第二配置信息生成工艺控制程序；运行工艺控制程序，控制目标部件执行目标操作以进行工艺流程控制。本公开方法不需要用户了解专业的编程知识，通过为控制系统预先配置工艺流程编写界面，用户通过文字化的指令进行操作即可生成工艺控制程序，实现通过简单的配置操作就可以完成复杂的工艺流程，大大降低了对操作人员的要求，从而节约了人力成本。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
25
records
(took 0.024 seconds)
