公开(公告)号：CN107658199A

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201710536612.6

申请日：2017-07-04

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 西堂周平 ,  槣原美香 ,  冈嶋优作

IPC分类号： H01J37/32

摘要： 本发明提供衬底处理装置、盖部罩以及半导体器件的制造方法，抑制副产物向处理容器下方的附着。具有：衬底保持件，其设置在隔热部的上方，并保持多张衬底；处理容器，其在内部具有处理衬底的处理室；盖部，其封闭处理容器的下端开口；和吹扫气体供给部，其经由隔热部与盖部之间的间隙向处理容器下方供给吹扫气体，在隔热部与盖部之间的间隙中设有限制部，该限制部限制吹扫气体的流动，使得吹扫气体对处理容器下方的一部分的供给流量比吹扫气体对其他部分的供给流量多。

公开(公告)号：CN102653883B

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201210055674.2

申请日：2012-02-28

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 原大介 ,  佐佐木隆史 ,  山口天和 ,  伊藤刚 ,  福田正直 ,  平松宏明 ,  西堂周平

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  C30B25/02 ,  C30B25/16 ,  C30B29/36

CPC分类号： H01L21/67109 ,  C23C16/325 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/4582 ,  C23C16/4583 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/4587 ,  C23C16/4588 ,  C23C16/46 ,  C30B25/08 ,  C30B25/14 ,  C30B29/36 ,  H01L21/67303 ,  H01L21/67309 ,  H01L21/67757

摘要： 本发明提供衬底处理装置，其具有：处理多个衬底(14)的反应室(44)；保持多个衬底(14)的舟皿(30)；具有向多个衬底(14)供给成膜气体的气体供给口(68、72)的气体供给喷嘴(60、70)；使供给到反应室(44)内的成膜气体排出的排气口(90)；热交换部(34)，设于反应室(44)下部，定义了第二流路，该第二流路比由反应室(44)的内壁和舟皿(30)定义的第一流路窄；气体逃逸部(340)，与设于舟皿(30)上的多个衬底(14)中的最下部衬底相比设置在下方，具有定义最下部衬底与热交换部(34)之间的空间的多根支柱。由此在进行SiC外延生长那样的、在1500℃到1700℃的超高温下的处理时，能够使成膜气体降低到集流腔的耐热温度并提高膜质均匀性。

公开(公告)号：CN104681464B

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201410421739.X

申请日：2014-08-25

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 西堂周平

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/22

CPC分类号： C23C16/46 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45582 ,  C23C16/4586 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/32853 ,  H01J37/32862 ,  H01L21/02263 ,  H01L21/28512 ,  H01L21/76877

摘要： 本发明提供一种衬底处理装置及半导体器件的制造方法，即使在使用了缓冲空间的枚叶式装置中，也会抑制缓冲空间的副产物的产生。为了解决上述课题，提供一种衬底处理装置，具有：处理室，其具有载置部，该载置部具有供衬底载置的载置面；喷头，其具有缓冲室且设置在上述处理室的上游；气体供给系统，其经由上述喷头的缓冲室交替地向上述处理室供给至少两种气体；和加热部，其在从上述气体供给系统供给气体的期间，以第1温度对缓冲室进行加热，而且以比上述第1温度高的温度对上述处理室进行加热。

公开(公告)号：CN106449469A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610602519.6

申请日：2016-07-27

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 西堂周平 ,  吉田秀成 ,  山口天和 ,  中田高行 ,  谷山智志

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： H01L21/67109 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/46 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/68792 ,  H01L21/67098

摘要： 本发明提供一种能够缩短处理室内的升温时间的衬底处理装置以及半导体器件的制造方法。衬底处理装置具备：处理室，其对衬底进行处理；衬底保持件，其在处理室内保持衬底；处理气体供给部，其向处理室内供给处理气体；第1加热器，其设置于处理室外，对处理室内进行加热；隔热部，其设置于衬底保持件的下方；第2加热器，其设置于隔热部内，对处理室内进行加热；以及吹扫气体供给部，其向隔热部内供给吹扫气体，对隔热部内进行吹扫。

公开(公告)号：CN105914163A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201610084003.7

申请日：2016-02-06

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 村田等 ,  和田优一 ,  八幡橘 ,  吉田秀成 ,  西堂周平

IPC分类号： H01L21/67

摘要： 一种衬底处理装置，其能够缩短处理炉内的温度稳定时间。该衬底处理装置具有：保持多张衬底的衬底保持件；设在衬底保持件的下方的隔热部；收纳衬底保持件并处理衬底的处理室；设在处理室的周围并对处理室内从侧部加热的第1加热部；处于处理室内并设在衬底保持件与隔热部之间的第2加热部，第2加热部具有：大致环状的发热部；和从发热部向下方延伸的下垂部，发热部收在直径比衬底小的环状区域内。

公开(公告)号：CN105023861A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201410350103.0

申请日：2014-07-22

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 西堂周平 ,  和田优一 ,  佐佐木隆史

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC分类号： C23C16/4412 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/4583 ,  H01L21/6776

摘要： 衬底处理装置及半导体器件的制造方法。在进行各种气体的上方供给和/或上方排气的情况下，能够适当地进行对于衬底的工艺处理。衬底处理装置构成为，具备：衬底载置台，其载置有衬底；处理气体供给部，其从衬底载置台的上方侧向衬底的表面上供给处理气体；惰性气体供给部，其在处理气体供给部的侧方从衬底载置台的上方侧向衬底的表面上供给惰性气体；以及多个气体排气部，其在处理气体供给部与惰性气体供给部之间将供给到衬底的表面上的气体向衬底的上方侧排气。

公开(公告)号：CN102653883A

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN201210055674.2

申请日：2012-02-28

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 原大介 ,  佐佐木隆史 ,  山口天和 ,  伊藤刚 ,  福田正直 ,  平松宏明 ,  西堂周平

IPC分类号： C30B25/02 ,  C30B25/16 ,  C30B29/36 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/67109 ,  C23C16/325 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/4582 ,  C23C16/4583 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/4587 ,  C23C16/4588 ,  C23C16/46 ,  C30B25/08 ,  C30B25/14 ,  C30B29/36 ,  H01L21/67303 ,  H01L21/67309 ,  H01L21/67757

摘要： 本发明提供衬底处理装置，其具有：处理多个衬底(14)的反应室(44)；保持多个衬底(14)的舟皿(30)；具有向多个衬底(14)供给成膜气体的气体供给口(68、72)的气体供给喷嘴(60、70)；使供给到反应室(44)内的成膜气体排出的排气口(90)；热交换部(34)，设于反应室(44)下部，定义了第二流路，该第二流路比由反应室(44)的内壁和舟皿(30)定义的第一流路窄；气体逃逸部(340)，与设于舟皿(30)上的多个衬底(14)中的最下部衬底相比设置在下方，具有定义最下部衬底与热交换部(34)之间的空间的多根支柱。由此在进行SiC外延生长那样的、在1500℃到1700℃的超高温下的处理时，能够使成膜气体降低到集流腔的耐热温度并提高膜质均匀性。

公开(公告)号：CN102646617A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201210041776.9

申请日：2012-02-20

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 室林正季 ,  山口天和 ,  白子贤治 ,  西堂周平 ,  佐藤明博 ,  今井义则

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  C23C16/32 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455

CPC分类号： H01L21/67757 ,  C23C16/325 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/46 ,  C23C16/463 ,  C23C16/54 ,  H01L21/67109

摘要： 本发明的实施例涉及衬底处理装置和方法以及半导体器件制造方法。衬底处理装置包括：处理室，配置成处理多个衬底；衬底保持物，容纳于处理室内并且配置成以竖直分隔的关系保持衬底；热绝缘部分，配置成在处理室内从下方支撑衬底保持物；加热单元，提供为包围处理室内的衬底容纳区域；以及气体供应系统，配置成至少向处理室内的热绝缘部分容纳区域供应指定气体。

公开(公告)号：CN102543689A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110442414.6

申请日：2011-12-21

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 白子贤治 ,  福田正直 ,  佐佐木隆史 ,  今井义则 ,  原大介 ,  西堂周平 ,  栗林幸永

IPC分类号： H01L21/04 ,  C23C16/455

CPC分类号： C23C16/325 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/481 ,  C23C16/52 ,  C30B25/14 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262

摘要： 本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及衬底的制造方法。能够提高衬底(尤其是形成有SiC外延膜的衬底)的生产效率并且抑制膜向气体供给口的形成。通过下述衬底处理装置能够解决上述问题，该衬底处理装置包括：收容多个衬底的反应室；以覆盖所述反应室的方式设置，对所述处理室进行加热的加热部；以在所述反应室内延伸的方式设置的第一气体供给管，所述第一气体供给管具有：向所述多个衬底喷出第一气体的第一气体供给口；第一遮蔽壁，其以所述第一气体供给口露出的方式设在所述第一气体供给口的两侧，且从所述第一气体供给口向所述多个衬底延伸。

公开(公告)号：CN106024564B

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201610025245.9

申请日：2016-01-14

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 西堂周平

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01J37/3244 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/45508 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45582 ,  H01J37/32357 ,  H01J2237/3323

摘要： 本发明涉及衬底处理装置及半导体器件的制造方法。提供在衬底面内形成均匀的膜的技术。具有：衬底载置部，对衬底进行载置；腔盖，与衬底载置部的至少一部分相对，并且在中央具有气体供给通路；气体供给结构，与气体供给通路连通；反应气体供给部，与气体供给结构连接，具有等离子体生成部；管，设置于气体供给结构内及所述气体供给通路内，与反应气体供给部连通；气体供给部，与气体供给结构连接，向管的外周侧、气体供给结构内侧供给气体。