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公开(公告)号：CN1175471C
公开(公告)日：2004-11-10
申请号：CN02128632.9
申请日：2002-07-12
申请人： 株式会社日立国际电气 , 索尼公司
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： C23C14/24 , C23C14/08 , C23C14/564
摘要： 本发明提供一种可以可靠地向衬底提供原料蒸气的衬底处理装置和半导体器件的制造方法。该装置在外套管21的外侧设置衬底加热用的主加热器22，在外套管21的内侧设置内套管23，在内套管23内插入可升降的盖24，在盖24上装载端口25，在盖24内设置原料升华部46和隔热部36，在盖24上可拆装地安装加热部45，使加热器45的升华用加热器26位于反应室内，在升华用加热器26的上部设置原料升华部46的原料装载板34，在原料装载板34的外周部设置多个柱材35，在柱材35上支撑隔热部36，使隔热部36位于原料升华部46和衬底处理区域之间，在隔热部36内装入石英织物。
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公开(公告)号：CN107210258A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201680008261.5
申请日：2016-03-17
申请人： 株式会社日立国际电气
IPC分类号： H01L21/677 , B25J18/02 , B65G49/07
摘要： 基板处理装置具有：对保持于基板保持工具的基板进行处理的处理室；以及将基板移载到基板保持工具的移载机，其中，移载机具备：基台；设置在基台上，与设置在基台的壳体外的第一机构部连接的第一移动部；以及设置在第一移动部上，与设置在第一移动部的壳体内的第二机构部连接的第二移动部，且构成为在铅垂方向上，第一机构部的设置位置和第二机构部的设置位置至少一部分重叠。
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公开(公告)号：CN107026108A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201710059927.6
申请日：2017-01-24
申请人： 株式会社日立国际电气
摘要： 本发明提供一种使基板处理装置小型化的基板处理装置以及半导体器件的制造方法，该基板处理装置具备：移载室，其将基板移载到基板保持件上；上部气体供给机构，其从第1气体供给口向移载室内的上部区域供给气体；和下部气体供给机构，其与上部气体供给机构的下方相邻地设置，并从第2气体供给口向移载室内的下部区域供给气体，上部气体供给机构具有：第1缓冲室，其形成在第1气体供给口的背面；第1管道，其在第1缓冲室的两侧面形成有一对；和第1送风部，其设置在第1管道的下端，下部气体供给机构具有：第2缓冲室，其形成在第2气体供给口的背面；第2管道，其形成在第2缓冲室的下表面；和第2送风部，其设置在第2管道的下端。
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公开(公告)号：CN106449469A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610602519.6
申请日：2016-07-27
申请人： 株式会社日立国际电气
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67109 , C23C16/4408 , C23C16/4412 , C23C16/45546 , C23C16/4584 , C23C16/46 , H01L21/67017 , H01L21/68792 , H01L21/67098
摘要： 本发明提供一种能够缩短处理室内的升温时间的衬底处理装置以及半导体器件的制造方法。衬底处理装置具备：处理室，其对衬底进行处理；衬底保持件，其在处理室内保持衬底；处理气体供给部，其向处理室内供给处理气体；第1加热器，其设置于处理室外，对处理室内进行加热；隔热部，其设置于衬底保持件的下方；第2加热器，其设置于隔热部内，对处理室内进行加热；以及吹扫气体供给部，其向隔热部内供给吹扫气体，对隔热部内进行吹扫。
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公开(公告)号：CN1701417B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN200480000982.9
申请日：2004-02-20
申请人： 株式会社日立国际电气
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/31
CPC分类号： C23C16/4409 , C23C16/4401 , C30B25/08
摘要： 化学汽相淀积装置具有用于处理晶片(1)的反应炉(39)；用于气密地密封反应炉的密封罩(20)；密封罩(20)对面的隔离凸缘(42)；由密封罩(20)、隔离凸缘(42)和反应炉(39)壁表面形成的小室(43)；用于给小室(43)供给第一气体的供给管(19b)；小室(43)提供的流出通道(42a)，用于使第一气体流入反应炉(39)；和从流出通道(42a)下游向反应炉(39)供给第二气体的供给管(19a)。阻止诸如NH4C1的副产品附着于诸如炉口的低温部分，并因此提高了半导体器件制造的合格率。
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公开(公告)号：CN102386053A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110212557.8
申请日：2011-07-26
申请人： 株式会社日立国际电气
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L21/67201 , H01L21/67775
摘要： 衬底处理装置和制造半导体器件的方法。一种衬底处理装置，包括：衬底容器保持支架，包括配置为在其上保持衬底容器的多个搁板；衬底容器运送机构，配置为向衬底容器保持支架加载衬底容器以及从衬底容器保持支架卸载衬底容器；衬底容器保持支架升降机构，配置为在垂直方向上提起衬底容器保持支架的多个搁板中的每一个；以及处理单元，配置为从衬底容器保持支架接收衬底容器中的至少一个。
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公开(公告)号：CN107851578A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201580081860.5
申请日：2015-09-04
申请人： 株式会社日立国际电气
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/44 , H01L21/318
CPC分类号： C23C16/45578 , C23C16/345 , C23C16/45546 , C23C16/45574 , H01L21/31
摘要： 提供一种能够吹扫隔热区域，而不对处理区域产生不良影响的技术。在内部具有处理室，所述处理室包括处理衬底的处理区域和位于所述处理区域的下方的位置的隔热区域，具有第一排气部，其将所述处理区域的气氛排气；和第二排气部，其形成于在高度方向上与隔热区域重合的位置、将所述隔热区域的气氛排气。
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公开(公告)号：CN107078052A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580048932.6
申请日：2015-09-16
申请人： 株式会社日立国际电气
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/4412 , C23C16/455 , C23C16/45523 , C23C16/45557 , C23C16/52 , H01L21/02164 , H01L21/02271
摘要： 本发明的课题在于提供一种能够高效率地进行处理室内的排气的技术。本发明的解决手段为，衬底处理装置具有：处理室，对衬底进行处理；处理气体供给系统，向处理室内供给处理气体；第一排气系统，与第一泵和类型不同于第一泵的第二泵连接，且对处理室内进行排气；第二排气系统，与第二泵连接且对处理室内进行排气；以及控制部，以对第一排气系统及第二排气系统进行如下控制的方式构成：在将供给至处理室内的处理气体从处理室内排出时，优先从第二排气系统对处理室内进行排气，当处理室内的压力达到规定压力后，将排气路径从第二排气系统切换成第一排气系统，并从第一排气系统对处理室内进行排气。
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公开(公告)号：CN102691041B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201210071954.2
申请日：2012-03-15
申请人： 株式会社日立国际电气 , 株式会社北泽SCT
IPC分类号： C23C14/24 , C23C16/448 , C23C16/44 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67017 , C23C14/246 , C30B23/066 , Y10T137/0318
摘要： 本发明提供一种衬底处理装置和固体原料补充方法，衬底处理装置包括：处理室，能够收容衬底；以及原料供给系统，使固体原料升华而生成衬底处理用的气体原料，并向处理室供给该气体原料。原料供给系统包括：固体原料容器，收容固体原料；第1配管，连接于固体原料容器与处理室之间；以及第2配管，与固体原料容器连接，且第2配管具有用于安装保持补充用的固体原料的原料补充容器的安装部。
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公开(公告)号：CN102691041A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210071954.2
申请日：2012-03-15
申请人： 株式会社日立国际电气 , 株式会社北泽SCT
IPC分类号： C23C14/24 , C23C16/448 , C23C16/44 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67017 , C23C14/246 , C30B23/066 , Y10T137/0318
摘要： 本发明提供一种衬底处理装置和固体原料补充方法，衬底处理装置包括：处理室，能够收容衬底；以及原料供给系统，使固体原料升华而生成衬底处理用的气体原料，并向处理室供给该气体原料。原料供给系统包括：固体原料容器，收容固体原料；第1配管，连接于固体原料容器与处理室之间；以及第2配管，与固体原料容器连接，且第2配管具有用于安装保持补充用的固体原料的原料补充容器的安装部。
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