公开(公告)号：CN105239157A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201510381268.9

申请日：2015-07-02

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 堀勉 ,  上田俊策 ,  松岛彰

IPC: C30B23/06

CPC classification number: C30B23/066 ,  C30B23/00 ,  C30B29/36 ,  C30B35/002 ,  F27B14/10 ,  F27B2014/102 ,  F27B2014/104

Abstract: 本发明涉及一种坩埚和制造单晶体的方法。所述坩埚具有底部和筒状的侧表面。坩埚包括第三区域、从第三区域延伸的第二区域和从第二区域延伸的第一区域。坩埚包括位于侧表面内侧的第一壁和第二壁。第一壁与侧表面之间形成有第一室，第二壁与侧表面之间形成有第二室。第一壁上的水平对向部分之间的距离是恒定的或随其接近底部而增加。第二壁上的水平对向部分之间的距离随着其接近底部而增加。第一壁相对于垂直于底部的方向的倾斜角(α)小于第二壁相对于垂直于底部的方向的倾斜角(β)。倾斜角(α)为30度或更小。倾斜角(β)为70度或更小。倾斜角(β)与倾斜角(α)之间的差为50度或更小。

公开(公告)号：CN105097126A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510233812.5

申请日：2015-05-11

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 颜得宗 ,  吴茂昆 ,  许家豪 ,  陈诗芸

IPC: H01B12/06 ,  H01B13/00

CPC classification number: C30B29/225 ,  C01G3/006 ,  C04B35/4508 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3282 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/08 ,  C23C14/28 ,  C30B23/066 ,  H01B1/08 ,  H01B12/06 ,  H01B13/0036 ,  H01L39/126 ,  H01L39/2422 ,  H01L39/2435 ,  H01L39/2448 ,  H01L39/2483

Abstract: 一种超导膜元件及超导膜元件的制备方法。该超导膜元件包含一基板以及一超导膜。基板的晶格常数介于(埃)至之间。超导膜设置于基板上。超导膜包含YBa2Cu3O7及Y2BaCuO5。其中Y2BaCuO5分散于YBa2Cu3O7中。该超导膜元件的制备方法，包含以下步骤。提供一基板，基板的晶格常数介于(埃)至之间。提供一靶材，靶材包含YBa2Cu3O7及Y2BaCuO5。执行一镀膜工艺，使靶材于基板上同时形成YBa2Cu3O7及Y2BaCuO5。其中Y2BaCuO5分散于YBa2Cu3O7中。

公开(公告)号：CN104040675A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201280058733.X

申请日：2012-09-27

Applicant: 氮化物处理股份有限公司

Inventor： D.布罗尔斯 ,  R.E.德马雷 ,  D.斯卢茨

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/317 ,  H01J27/02 ,  C23C14/32 ,  C23C16/452

CPC classification number: H01L21/0262 ,  C23C14/0617 ,  C23C14/32 ,  C30B23/066 ,  C30B29/403 ,  F27B14/10 ,  F27B2014/104 ,  H01J27/022 ,  H01J27/04 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3178 ,  H01L21/02444 ,  Y10T428/31504

Abstract: 公开了用于产生例如氮化物之类的材料的PVD和HPHT方法和装置。

公开(公告)号：CN103249877A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201180053805.7

申请日：2011-11-09

Applicant: 株式会社藤仓 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 镰田弘之 ,  加藤智久 ,  长井一郎 ,  三浦知则

IPC: C30B29/38

CPC classification number: C30B23/02 ,  C30B23/00 ,  C30B23/066 ,  C30B29/403

Abstract: 本发明的氮化铝单晶的制造装置是通过加热氮化铝原料而使其升华，使氮化铝在晶种上再结晶，从而制造氮化铝单晶的氮化铝单晶的制造装置，具备：收纳氮化铝原料且由对氮化铝原料升华时产生的铝气具有耐腐蚀性的材料构成的生长容器和设置于生长容器的外侧且介由生长容器加热氮化铝原料的发热体；并且，生长容器具备具有收纳氮化铝的收纳部的主体部和将主体部的收纳部密闭的盖体，发热体由含有钨的金属材料构成。

公开(公告)号：CN101233265B

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN200680027936.7

申请日：2006-07-10

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 水原奈保 ,  宫永伦正 ,  川濑智博 ,  藤原伸介

IPC: C30B29/38

CPC classification number: C30B23/02 ,  C30B23/066 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  Y10T428/2982

Abstract: 提供大直径跨距AlN晶体、生长AlN晶体的方法以及AlN晶体衬底，该AlN晶体可应用到不同类型的半导体器件，具有良好的结晶度。该AlN晶体生长方法是这样的一种方法，其中通过气相外延在放置在提供在反应腔内的晶体生长器皿(12)内的晶体生长室(24)内部的籽晶衬底(2)上生长AlN晶体(4)，并且其特征在于：在晶体生长期间，将含碳气体提供到晶体生长室(24)的内部。

公开(公告)号：CN102473605A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201180002805.4

申请日：2011-02-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 西口太郎 ,  原田真 ,  佐佐木信

IPC: H01L21/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02631 ,  C30B23/025 ,  C30B23/063 ,  C30B23/066 ,  C30B29/36 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02658

Abstract: 由单晶碳化硅制成的第一和第二材料衬底(11、12)中的各个衬底具有第一和第二背面、第一和第二侧面以及第一和第二正面。所述第一和第二背面连接到所述支持部(30)上。所述第一和第二侧面相互面对且两者之间具有间隙，所述间隙具有在所述第一与第二正面之间的开口。形成封闭部(70)以封闭所述开口上的所述间隙。通过从所述第一和第二侧面向所述封闭部(70)上沉积升华物以形成用于封闭所述开口的连接部(BDa)。除去所述封闭部(BDa)。在所述第一和第二正面上生长碳化硅单晶。

公开(公告)号：CN101163815A

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200680013543.0

申请日：2006-04-21

Applicant: BENEQ有限公司

Inventor： P·索伊尼宁

IPC: C23C16/00 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C30B25/00 ,  C23C14/00 ,  C23C14/24

CPC classification number: C23C14/243 ,  C23C14/228 ,  C30B23/066 ,  C30B25/14 ,  C30B35/00 ,  Y10T29/49826 ,  Y10T29/53

Abstract: 本发明涉及用于将源部件装入气体沉积反应器内的设备。设备包括至少一个用于源部件的源部件配接头，源部件配接头连接到气体沉积反应器的反应空间，且源部件至少部分的装入源部件配接头或连接源部件配接头的源部件空间内。依照本发明，设备还包括在源部件配接头内用于接收源部件的接收装置，和将源部件装入源部件配接头中以便使用的适当位置的装载装置，和配设在源部件内用于固态或液态源材料(3)的腔室(1)，以及用于将腔室(1)完全与外界隔离的隔离装置(7，19)。

公开(公告)号：CN1037701C

公开(公告)日：1998-03-11

申请号：CN91104641.0

申请日：1991-06-05

Applicant: 联合碳化涂料服务技术公司

Inventor： R·J·芬尼克尔

IPC: C23C16/34 ,  C23C14/24 ,  C04B35/38

CPC classification number: C23C16/01 ,  C23C14/243 ,  C23C16/342 ,  C30B23/066

Abstract: 一种具有一个封闭端，一个开口端，一个内表面和一个外表面的一氮化硼坩埚，其特征是至少有一部分外表面优选为靠近坩埚开口端上有包括一层热解石墨衬层和一层热解一氮化硼外层的双涂层。还公开了一种用于制造该一氮化硼坩埚的方法。

公开(公告)号：CN104120489B

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201410314769.0

申请日：2009-12-08

Applicant: II-VI有限公司

Inventor： 瓦拉塔拉詹·伦加拉詹 ,  伊利娅·茨维巴克 ,  迈克尔·C·诺兰 ,  布赖恩·K·布鲁哈德

IPC: C30B15/14 ,  C30B15/10 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B23/063 ,  C23C14/243 ,  C23C14/26 ,  C23C14/541 ,  C30B23/06 ,  C30B23/066 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明提供一种高晶体质量的SiC单晶晶锭及其形成方法。方法包括：(a)设置圆筒形的坩埚，其具有顶部、底部和侧部；(b)设置以间隔关系位于所述坩埚内部的SiC籽晶和源材料；(c)设置一个或多个电阻加热器，其与所述坩埚的顶部、底部和侧部呈间隔关系并关于所述坩埚轴对称地设置在所述坩埚外侧；(d)在所述电阻加热器上施加电功率，以使所述源材料升华并且将升华的所述源材料传输到所述SiC籽晶，在所述SiC籽晶处，传输的升华的所述源材料凝结并形成具有凸形生长界面的SiC单晶晶锭；以及(e)生长具有如下特性的晶体质量的所述SiC单晶晶锭：X射线反射的半高宽小于40弧秒，晶片平均微管密度小于0.5微管/cm2。

公开(公告)号：CN104093876A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201280036116.X

申请日：2012-07-20

Applicant: 爱利卡技术有限公司 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 布赖恩·埃利奥特·海登 ,  克里斯托弗·爱德华·李 ,  邓肯·克利福德·艾伦·史密斯 ,  马克·斯蒂芬·比尔 ,  吕晓娟 ,  矢田千宏

IPC: C23C14/06

CPC classification number: C01B25/30 ,  C01B21/203 ,  C01B25/45 ,  C23C14/08 ,  C23C14/24 ,  C30B23/066 ,  C30B23/08 ,  H01M4/0421 ,  H01M4/0428 ,  H01M4/136 ,  H01M4/1397 ,  H01M4/5825 ,  H01M10/0525 ,  Y02E60/122 ,  Y02P70/54

Abstract: 本发明提供一种用于制备化合物的气相沉积方法，其中，所述方法包括将所述化合物的每种成分元素以蒸气提供，和将所述成分元素蒸气共沉积在共同的基材上，其中：使用裂化源提供至少一种成分元素的蒸气；使用等离子源提供至少一种其他成分元素的蒸气；并且提供至少一种另外的成分元素蒸气；其中，所述成分元素在所述基材上反应，以形成所述化合物。