公开(公告)号：CN109628998A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201711399786.9

申请日：2017-12-21

Applicant: 环球晶圆股份有限公司

Inventor： 林钦山 ,  吕建兴 ,  刘建成 ,  林嫚萱

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/00

CPC classification number: C30B23/025 ,  C30B23/005 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/32 ,  H01L29/36 ,  C30B25/00

Abstract: 本发明公开一种碳化硅晶体及其制造方法，碳化硅晶体包括一晶种层、一块体层以及一形成于晶种层与块体层之间的应力舒缓结构，其中晶种层、块体层与应力舒缓结构均具有一掺杂物，且应力舒缓结构中掺杂物的浓度呈高低交替变化。借此，能大幅降低晶体的缺陷。

公开(公告)号：CN106206891B

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201510309192.9

申请日：2015-06-08

Applicant: 嘉晶电子股份有限公司

Inventor： 胡智威 ,  戴进吉 ,  宣融

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/12 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体结构，其包括基板、被覆层、成核层、过渡层以及复合缓冲结构。被覆层位于基板上。成核层位于基板与被覆层之间。过渡层位于成核层与被覆层之间，其中过渡层为AlxGaN层。复合缓冲结构位于过渡层与被覆层之间。复合缓冲结构包括第一复合缓冲层，其中第一复合缓冲层包括相互交叠的多个第一AlyGaN层以及多个第一GaN层，且x等于y。因此可避免由于氮化铝的长时间磊晶而造成产能降低的问题，并减缓顶GaN层(即氮化物半导体层)与基板之间因晶格与热膨胀系数不匹配所产生的应力，从而克服前述两者之间缺陷过多的缺点。

公开(公告)号：CN108028186A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680054015.3

申请日：2016-08-25

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 浅水启州

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/20 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

CPC classification number: C30B29/36 ,  C23C16/42 ,  C30B25/183 ,  C30B25/20 ,  H01L21/02376 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L29/12 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/32 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/872

Abstract: SiC外延晶圆（1）具备小于4度的偏角衬底（2）、和配置在小于4度的偏角衬底（2）上的SiC外延生长层（3），SiC外延生长层以Si化合物为Si的供给源，并以C化合物为C的供给源，使载流子密度均匀性小于10％，且缺陷密度小于1个/cm2，Si化合物与C化合物之C/Si比具有0.7以上0.95以下的范围。提供在低偏角SiC衬底上SiC外延生长中，膜厚均匀性及载流子密度均匀性优异，且表面缺陷少的高质量的SiC外延晶圆、SiC外延晶圆的制造装置、SiC外延晶圆的制造方法及半导体装置。

公开(公告)号：CN104412362B

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201380034721.8

申请日：2013-05-28

Applicant: LG ,  伊诺特有限公司

Inventor： 姜石民

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02529 ,  C30B25/02 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1608

Abstract: 根据一个实施方案，提供一种制造外延晶片的方法，其包括：在衬托器中准备晶片；以及在所述晶片上生长外延层，其中所述在所述晶片上生长外延层包括将原料供给到所述衬托器中；在所述晶片上以第一生长速度生长所述外延层；以及在所述晶片上以比所述第一生长速度更高的第二生长速度生长所述外延层。根据一个实施方案，提供一种碳化硅外延晶片，其包含碳化硅晶片；和所述碳化硅晶片上的碳化硅外延层，其中在所述碳化硅外延层上形成的表面缺陷为1ea/cm2以下。

公开(公告)号：CN107078032A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201480082708.4

申请日：2014-10-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 滨野健一 ,  服部亮 ,  中村卓誉

IPC: H01L21/205 ,  C30B29/36 ,  G01B11/06 ,  H01L21/20 ,  H01L21/66 ,  C23C16/42

CPC classification number: H01L21/02378 ,  C23C16/42 ,  C30B29/36 ,  G01B9/02084 ,  G01B11/0625 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02576 ,  H01L22/12

Abstract: 本发明的目的在于提供一种碳化硅外延晶片的制造方法，该碳化硅外延晶片的制造方法能够高精度地形成预定的层厚的多个碳化硅外延层。在本发明中，在n型SiC衬底(1)之上，以使与n型SiC衬底(1)之间的杂质浓度的变化率大于或等于20％的方式形成第一n型SiC外延层(2)。在第一n型SiC外延层(2)之上，以使与第一n型SiC外延层(2)之间的杂质浓度的变化率大于或等于20％的方式形成第二n型SiC外延层(3)。

公开(公告)号：CN105448672A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201510518439.8

申请日：2015-08-21

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 日吉透

IPC: H01L21/04

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02634 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/32 ,  H01L29/36 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/872 ,  H01L21/0445

Abstract: 本发明涉及碳化硅外延衬底及其制造方法以及碳化硅半导体器件。所述制造碳化硅外延衬底的方法包括以下步骤：准备碳化硅衬底；和在碳化硅衬底上形成碳化硅层。在该制造方法中，在形成碳化硅层的步骤中，重复生长外延层的步骤和抛光外延层的表面的步骤两次或更多次。

公开(公告)号：CN105140102A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201510398440.1

申请日：2015-07-08

Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所

Inventor： 赵志飞 ,  李赟 ,  朱志明

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明涉及一种优化的在硅衬底上化学气相沉积生长高质量β-碳化硅薄膜的方法。本方法采用非常低的碳化压力通入大流量丙烷碳化形成高质量的碳化硅缓冲层。然后保持大流量的氢气气氛，以较低速率生长一层薄的β-碳化硅薄，再加入一个刻蚀过程来降低缺陷和提高晶体质量，最后以高速率生长得到高质量β-碳化硅薄膜。外延过程中使用纯硅烷和纯丙烷作为生长源，氢气作为载气。外延碳化硅生长源流量和外延生长时间根据外延层结构设定，当外延层厚度较厚时在高速率生长过程中间加入一个短的刻蚀过程。采用本方法可以获得高质量的β-碳化硅薄膜。本发明方法工艺简单易行、成本低廉，具有重要应用价值。

公开(公告)号：CN103842291B

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201280047617.8

申请日：2012-09-28

Applicant: 中央科学研究中心

Inventor： A·欧厄吉

IPC: C01B31/04

CPC classification number: H01L21/02527 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/184 ,  C01B32/188 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02612 ,  H01L29/1606

Abstract: 本发明涉及一种在含硅层(101)的基材(100)表面上形成石墨烯层(105)的方法，所述方法包括以下连续步骤：在所述硅层的自由表面上形成（1）碳化硅膜(103)；以及逐步加热该基材，直到至少该碳化硅膜的第一排原子中的硅升华，从而在所述碳化硅膜上形成石墨烯层。根据本发明，使用了自由表面为阶梯式的硅层。

公开(公告)号：CN102844474B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201180018417.5

申请日：2011-05-10

Applicant: 新日铁住金株式会社

Inventor： 蓝乡崇 ,  柘植弘志 ,  星野泰三 ,  藤本辰雄 ,  胜野正和 ,  中林正史 ,  矢代弘克

IPC: C30B29/36 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02433 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明提供一种在偏离角度为1°~6°的碳化硅单晶基板上具有掺杂密度的面内均匀性优良的碳化硅外延膜的外延碳化硅单晶基板。外延膜通过使0.5μm以下的掺杂层和0.1μm以下的无掺杂层重复而生长。通过将材料气体中的碳原子数相对于硅原子数的比（C/Si比）规定为1.5~2.0而形成掺杂层，通过将C/Si比规定为0.5以上且低于1.5而形成无掺杂层。由此提供一种在偏离角度小的碳化硅单晶基板上具有高品质且掺杂密度的面内均匀性优良的碳化硅外延膜的外延碳化硅单晶基板。

公开(公告)号：CN104704609A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201380052050.8

申请日：2013-09-27

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 河田泰之 ,  米泽喜幸

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02529 ,  C30B25/02 ,  C30B25/10 ,  C30B25/16 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/0445 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种在通过化学气相沉积法制作SiC单晶基板后无需进行追加工序的载流子寿命长的碳化硅半导体装置的制造方法。将反应炉内的温度调整到1700℃(步骤S5)。接着，向反应炉内导入原料气体、添加气体、掺杂气体和运载气体(步骤S6)。然后，通过CVD法使SiC外延膜在4H-SiC基板的表面生长(步骤S7)。接下来，在用氢气稀释了的甲基甲烷气体气氛下，将层叠了SiC外延膜的4H-SiC基板冷却，直到反应炉内的温度从1700℃下降到1300℃(步骤S8)。然后，在氢气气氛下，将层叠了SiC外延膜的4H-SiC基板冷却，直到反应炉内的温度下降到比1300℃低的温度(步骤S9)。