公开(公告)号：CN104638017B

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201510059734.1

申请日：2015-02-04

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 姜春生

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/127 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/02612 ,  H01L21/426 ,  H01L21/77 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/786 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 公开了一种薄膜晶体管、像素结构、阵列基板、显示装置、及薄膜晶体管和像素结构的制作方法。一种薄膜晶体管，包括栅极、源极和漏极，在所述源极和漏极上设有由氧化铝材料制成的第一钝化层，所述第一钝化层之间的与所述栅极相对应的区域具有由氧化铝材料通过掺杂离子形成的有源层。掺杂的离子包括镓离子和锡离子，使得被掺杂的氧化铝材料形成铝镓锡氧化物。由于作为绝缘材料的第一钝化层通过离子掺杂形成有源层，简化了薄膜晶体管的制作工艺，可以省略刻蚀阻挡层，从而简化薄膜晶体管的结构。

公开(公告)号：CN105742156A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201511010410.5

申请日：2015-12-29

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： H-J·舒尔策 ,  P·伊尔斯格勒 ,  G·鲁尔

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L51/0048 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B31/0226 ,  C01B31/0461 ,  C01B32/184 ,  C01B32/188 ,  H01L21/02373 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/02612 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7781 ,  H01L51/0002 ,  H01L51/0026 ,  H01L51/003 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/057 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/842 ,  Y10S977/932

Abstract: 各种实施例涉及形成石墨烯结构的方法。在各种实施例中，提供了形成石墨烯结构的方法。该方法可以包括形成包括至少一个突出部的本体，以及在至少一个突出部的外周表面处形成石墨烯层。

公开(公告)号：CN105206661A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201510592397.2

申请日：2015-09-17

Applicant: 西南科技大学

Inventor： 郭宝刚 ,  胡思福 ,  李同彩 ,  杨永佳 ,  刘德雄 ,  蒋鑫 ,  李晓红 ,  温才 ,  唐金龙 ,  李同洪 ,  刘桂枝

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/06 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/02612 ,  H01L21/02656 ,  H01L29/24

Abstract: 本发明公开了一种微米级S-Si半导体合金膜，所述合金膜是由基片、S膜和Si膜组成的多晶结构；所述合金膜的薄层电阻为10～50Ω/口，在1.1～2.5μm近红外波段中，反射率为7～15%；该合金膜的制备方法包括镀膜、合金化和退火。本发明制备的半导体合金应用于光伏太阳能电池后，其在1.1-2.5μm的近红外波段的转换效率η可提高到2%以上；该微米级S-Si半导体合金膜环保、具有低的反射率、低的薄层电阻和在1.1-2.5μm的近红外光波段有显著的光电转换效应，且制备方法操作简单、制备方便、成本低、适用于工业化大规模生产。

公开(公告)号：CN104638017A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201510059734.1

申请日：2015-02-04

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 姜春生

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/127 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/02612 ,  H01L21/426 ,  H01L21/77 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/786 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 公开了一种薄膜晶体管、像素结构、阵列基板、显示装置、及薄膜晶体管和像素结构的制作方法。一种薄膜晶体管，包括栅极、源极和漏极，在所述源极和漏极上设有由氧化铝材料制成的第一钝化层，所述第一钝化层之间的与所述栅极相对应的区域具有由氧化铝材料通过掺杂离子形成的有源层。掺杂的离子包括镓离子和锡离子，使得被掺杂的氧化铝材料形成铝镓锡氧化物。由于作为绝缘材料的第一钝化层通过离子掺杂形成有源层，简化了薄膜晶体管的制作工艺，可以省略刻蚀阻挡层，从而简化薄膜晶体管的结构。

公开(公告)号：CN103594419A

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201210293349.X

申请日：2012-08-16

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 马小龙 ,  殷华湘 ,  付作振

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/0257 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02452 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02535 ,  H01L21/02612 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02617 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/268 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/12 ,  H01L21/823807

Abstract: 本发明公开了一种高迁移率材料层制造方法，包括：在衬底中和/或上形成多种前驱物；脉冲激光处理，使得多种前驱物相互反应形成高迁移率材料层。此外还提供了一种半导体器件制造方法，包括：在绝缘衬底上形成缓冲层；采用上述高迁移率材料层制造方法，在缓冲层上形成第一高迁移率材料层；采用上述高迁移率材料层制造方法，在第一高迁移率材料层上形成第二高迁移率材料层；在第一和第二高迁移率材料层中形成沟槽隔离并定义有源区。依照本发明的半导体器件制造方法，通过调整激光处理的脉冲个数和能量密度，在绝缘衬底上分多次形成了多层高迁移率材料以用作器件沟道区，有效提高了器件载流子迁移率并进一步提高了器件驱动能力。

公开(公告)号：CN101821211B

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN200880111435.6

申请日：2008-10-03

Applicant: 皮埃尔和玛利居里大学(巴黎第六大学) ,  中央科学研究中心

Inventor： A·舒克拉 ,  J·马泽

IPC: C03C17/22 ,  C03C21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L29/16

CPC classification number: C03C17/22 ,  C03C21/008 ,  C03C2217/282 ,  C03C2217/289 ,  C03C2218/17 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02612

Abstract: 本发明提供了一种将至少部分导电的薄片状材料的片层固定在绝缘基材(2)上的方法，所述绝缘基材包含适合解离成带有给定电荷的可移动离子和带有相反电荷的固定离子的氧化物，所述方法包括以下步骤：将薄片状材料的样品(1)放置在所述基材的表面上；使所述基材的氧化物解离；以及通过与所述基材接触的电极和与所述样品接触的电极向所述基材和所述样品施加电场。

公开(公告)号：CN101821211A

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN200880111435.6

申请日：2008-10-03

Applicant: 皮埃尔和玛利居里大学(巴黎第六大学) ,  中央科学研究中心

Inventor： A·舒克拉 ,  J·马泽

IPC: C03C17/22 ,  C03C21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L29/16

CPC classification number: C03C17/22 ,  C03C21/008 ,  C03C2217/282 ,  C03C2217/289 ,  C03C2218/17 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02612

Abstract: 本发明提供了一种将至少部分导电的薄片状材料的片层固定在绝缘基材(2)上的方法，所述绝缘基材包含适合解离成带有给定电荷的可移动离子和带有相反电荷的固定离子的氧化物，所述方法包括以下步骤：将薄片状材料的样品(1)放置在所述基材的表面上；使所述基材的氧化物解离；以及通过与所述基材接触的电极和与所述样品接触的电极向所述基材和所述样品施加电场。

公开(公告)号：CN1615541A

公开(公告)日：2005-05-11

申请号：CN03802079.3

申请日：2003-01-16

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·W·比德尔 ,  J·O·初 ,  K·E·福格尔 ,  S·J·凯斯特 ,  D·K·萨丹那 ,  J·A·奥特

IPC: H01L21/331

CPC classification number: H01L21/76243 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02612 ,  H01L21/2251 ,  H01L21/324 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66916 ,  Y10S438/938 ,  Y10T428/12674 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31848

Abstract: 提供一种制备薄、高质量、基本弛豫的绝缘体上SiGe衬底材料(10)的方法，包括：首先在第一单晶Si层(14)的表面上形成SiGe或纯Ge层，所述第一单晶Si层存在于能阻止Ge扩散的阻挡层(12)上。可选地在SiGe或纯Ge层(16)上形成Si帽盖层(18)，此后，在允许Ge在整个第一单晶Si层(14)、可选的Si帽盖层(18)以及SiGe或纯Ge层(16)内相互扩散的温度下加热各层，由此在阻挡层(12)上形成基本弛豫的单晶SiGe层。在以上步骤之后进行附加SiGe的再生长和/或应变外延Si层的形成。这里还公开了绝缘体上SiGe衬底材料以及至少包括绝缘体上SiGe衬底材料的结构。

公开(公告)号：CN108028267A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680056231.1

申请日：2016-08-18

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： T·史考金斯 ,  R·G·谢泼德 ,  A·H·拉希德 ,  J·L·伯尔

IPC: H01L29/16 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L29/1608 ,  C01B32/20 ,  C01B32/956 ,  C04B35/522 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5059 ,  C04B41/87 ,  C04B2111/00405 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/722 ,  C04B2235/726 ,  C04B2235/727 ,  C04B2235/728 ,  C04B2235/75 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/9607 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02612 ,  H01L21/324 ,  H01L29/1606 ,  C04B38/00 ,  C04B41/4529 ,  C04B41/4556

Abstract: 本发明描述一种包含(i)内部块状石墨材料及(ii)外部碳化硅基质材料的碳化硅‑石墨复合物，其中所述内部块状石墨材料及外部碳化硅基质材料在其间的界面区域处彼此相互渗透，且其中石墨存在于所述外部碳化硅基质材料中的包含物中。此材料可通过在化学反应条件下使前驱体石墨物件与一氧化硅(SiO)气体接触来形成，所述化学反应条件可有效地将所述前驱体石墨物件的外部部分转化为石墨存在于内部包含物中的碳化硅基质材料，且其中所述碳化硅基质材料及内部块状石墨材料在其间的界面区域处彼此相互渗透。此碳化硅‑石墨复合物适用于许多应用，诸如在制造太阳能电池或其它光学、光电、光子、半导体及微电子产品中的植入式硬掩模，以及在诸如光束线组合件、光束操控镜头、电离腔室衬垫、光束光阑及离子源腔室的离子植入系统材料、组件及组合件中。

公开(公告)号：CN103594419B

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201210293349.X

申请日：2012-08-16

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 马小龙 ,  殷华湘 ,  付作振

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/0257 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02452 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02535 ,  H01L21/02612 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02617 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/268 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/12

Abstract: 本发明公开了一种高迁移率材料层制造方法，包括：在衬底中和/或上形成多种前驱物；脉冲激光处理，使得多种前驱物相互反应形成高迁移率材料层。此外还提供了一种半导体器件制造方法，包括：在绝缘衬底上形成缓冲层；采用上述高迁移率材料层制造方法，在缓冲层上形成第一高迁移率材料层；采用上述高迁移率材料层制造方法，在第一高迁移率材料层上形成第二高迁移率材料层；在第一和第二高迁移率材料层中形成沟槽隔离并定义有源区。依照本发明的半导体器件制造方法，通过调整激光处理的脉冲个数和能量密度，在绝缘衬底上分多次形成了多层高迁移率材料以用作器件沟道区，有效提高了器件载流子迁移率并进一步提高了器件驱动能力。