公开(公告)号：CN104350611B

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201380028495.2

申请日：2013-05-28

申请人： 凸版印刷株式会社 ,  国立大学法人东京工业大学 ,  学校法人龙谷大学

发明人： 张毅闻 ,  山田明 ,  和田隆博

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0352

CPC分类号： H01L31/1864 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0326 ,  H01L31/035218 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541

摘要： 本发明的特征在于具备下述工序：将含有50质量％以上的为无定形状的化合物纳米粒子的化合物半导体薄膜制作用油墨进行涂布或印刷、形成化合物半导体涂膜的工序；对所述化合物半导体涂膜机械地施加压力的工序；以及对所述化合物半导体涂膜进行热处理、形成化合物半导体薄膜的工序。

公开(公告)号：CN105308760A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201480031441.6

申请日：2014-05-09

申请人： 东京应化工业株式会社

发明人： 大桥卓矢 ,  仲村亮正 ,  饭田启之 ,  桑原大

IPC分类号： H01L31/0749 ,  H01L21/368 ,  H01L31/072 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： 一种用于形成太阳能电池的光吸收层的络合物及其溶液的制造方法，所述制造方法包括混合如下物质得到反应液的步骤：选自于由第11族金属、第12族金属、第13族金属、第14族金属、第15族元素、第11族金属化合物、第12族金属化合物、第13族金属化合物、第14族金属化合物和含第15族元素的化合物组成的组中的至少一种单体或化合物；选自于由含巯基的有机化合物、硫化物、多硫化物、含硫代羰基的有机化合物、含硫的杂环式化合物、含硒氢基的有机化合物、硒化物、多硒化物、含硒代羰基的有机化合物和含硒的杂环式化合物组成的组中的至少一种含硫族元素的有机化合物；路易斯碱性无机化合物；和第16族元素。

公开(公告)号：CN104465864A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410440711.0

申请日：2014-09-01

申请人： 株式会社东芝

发明人： 平贺广贵 ,  中川直之 ,  芝崎聪一郎 ,  山崎六月 ,  山本和重 ,  樱田新哉 ,  稻叶道彦

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： H01L31/20 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02581 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0326 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/18

摘要： 本发明提供光电转换元件的制造方法。这是在第一电极上形成包含黄铜矿型化合物、黄锡矿型化合物和锌黄锡矿型化合物的化合物半导体中的至少任一种的光电转换层的光电转换元件的制造方法，其中，形成光电转换层的工序包括：光电转换层前驱体形成工序，在第一电极上形成包含黄铜矿型化合物、黄锡矿型化合物和锌黄锡矿型化合物的化合物半导体中的至少任一种的光电转换层前驱体；和浸渍工序，在光电转换层前驱体形成工序后，在0℃以上且60℃以下，将形成于第一电极上的光电转换层前驱体浸渍于具有IIa族以及IIb族的至少1种元素的液体中，光电转换层前驱体的第一电极侧的化合物半导体是非晶质，或者，其平均晶体粒径比与第一电极相反一侧的化合物半导体的平均晶体粒径大。

公开(公告)号：CN103597605A

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201280027751.1

申请日：2012-06-08

申请人： 东京应化工业株式会社

发明人： 桑原大 ,  三隅浩一 ,  宫本英典

IPC分类号： H01L31/032 ,  H01L31/0749

CPC分类号： C09D7/1233 ,  C01B19/002 ,  C01B19/007 ,  C01G19/006 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/03 ,  C09D7/63 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0326 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： 一种光吸收层形成用涂布液，其是用于形成铜锌锡硫(CZTS)系太阳能电池的光吸收层的涂布液，其是使(A)肼配位Cu硫属化物络合物成分、(B)肼配位Sn硫属化物络合物成分和(C)肼配位Zn硫属化物络合物成分溶解于二甲基亚砜而成的。

公开(公告)号：CN103403851A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201280012301.5

申请日：2012-02-22

申请人： 法国圣戈班玻璃厂

发明人： S.约斯特 ,  J.帕尔姆

IPC分类号： H01L21/36 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02614 ,  H01L31/0326 ,  H01L31/065 ,  H01L31/072 ,  Y02E10/50

摘要： 本发明涉及制备由Cu2ZnSn(S,Se)4类型的五元锌黄锡矿/亚锡酸盐构成的化合物半导体的方法，该方法包含下面的步骤：制备至少一个前体叠层，所述叠层由第一前体层和第二前体层组成，其中在第一阶段中，通过将金属铜、锌和锡沉积到基体上制备第一前体层，和在第二阶段中，通过将硫属元素硫和/或硒沉积到第一前体层上制备第二前体层；在工艺室中热处理该至少一个前体叠层使得第一前体层的金属和第二前体层的至少一种硫属元素反应性地转化为化合物半导体；在至少一个前体叠层的热处理过程中将至少一种工艺气体供入到工艺室中，其中，如果第二前体层中含有选自硫和硒的硫属元素，则工艺气体中含有相应的其它硫属元素和/或含相应的其它硫属元素的化合物，或者，如果第二前体层中含有两种硫属元素硫和硒，则工艺气体中含有硫和/或硒和/或含硫化合物和/或含硒化合物。另外，本发明涉及基体上带有有五元化合物半导体Cu2ZnSn(S,Se)4组成的吸收体的薄膜太阳能电池，其中该吸收体从半导体表面到基体界面具有不同构型的可预先规定的硫深度分布。

公开(公告)号：CN101796648B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200880105133.8

申请日：2008-07-18

申请人： 加利福尼亚技术学院

发明人： 约书亚·M·斯珀津 ,  凯瑟琳·E·普拉斯 ,  内森·S·刘易斯 ,  H·A·阿特沃特

IPC分类号： H01L31/0232 ,  H01L31/0352

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02653 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20 ,  H01L29/22 ,  Y10S438/962

摘要： 通过将线阵列转移到聚合物基体、再利用用于几个阵列生长的图案化的氧化物以及最后抛光和再氧化晶片表面并再应用图案化的氧化物，来再利用用于线阵列的形成的硅晶片。

公开(公告)号：CN102257599A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN200880132416.1

申请日：2008-12-30

申请人： 纳米系统公司

发明人： R·S·杜布罗

IPC分类号： H01L21/06

CPC分类号： B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C03C27/10 ,  C09K11/02 ,  C09K11/025 ,  C09K11/565 ,  C09K11/70 ,  C09K11/883 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02601 ,  H01L2933/0041

摘要： 本发明提供了气密密封发光纳米晶体的方法，还提供了包含气密密封的发光纳米晶体的复合物和容器。通过气密密封发光纳米晶体，可获得改善的使用寿命和发光性能。

公开(公告)号：CN101320780B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200810128878.8

申请日：2003-05-30

申请人： 株式会社光波

发明人： 一之濑升 ,  岛村清史 ,  金子由基夫 ,  恩卡纳西翁·安东尼娅·加西亚·比略拉 ,  青木和夫

IPC分类号： H01L33/00 ,  C30B15/00 ,  C30B15/34

CPC分类号： H01L33/42 ,  C30B15/00 ,  C30B15/34 ,  C30B29/16 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/007 ,  H01L33/32 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/73265

摘要： 本发明涉及一种发光元件，所述发光元件包括：Ga2O3基板；n型AlzGa1-zN包覆层，形成在所述Ga2O3基板的第一表面上，其中0≤z＜1；InmGa1-mN发光层，形成在所述n型AlGaN包覆层上，其中0≤m＜1；p型AlpGa1-pN包覆层，形成在所述InGaN发光层上，其中0≤p＜1，且p＞z；n电极，设置在所述Ga2O3基板的第二表面上；和p电极，设置在所述p型AlpGa1-pN包覆层上。

公开(公告)号：CN101611496A

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200780051559.5

申请日：2007-12-10

申请人： 伊斯曼柯达公司

发明人： K·B·卡亨

IPC分类号： H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/06 ,  H01L21/225

CPC分类号： H01L29/868 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02524 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/861 ,  H01L33/18 ,  Y10S977/892

摘要： 公开了用于电子设备中的掺杂半导体结和制造该结的方法。该结包括：在基材之上的用施体或受体掺杂的第一种多晶半导体层，要求该第一种掺杂半导体层具有第一种极性，该第一层包括熔结半导体纳米颗粒；和第二层，它与基材上的第一种半导体层发生接触以形成半导体结。

公开(公告)号：CN100565783C

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN01816168.5

申请日：2001-08-22

申请人： 哈佛学院董事会

发明人： 查尔斯·M·利伯 ,  崔屹 ,  段镶锋 ,  黄昱

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B01J23/50 ,  B01J23/52 ,  B01J23/72 ,  B01J35/0013 ,  B01J37/349 ,  B81C1/0019 ,  B81C1/00206 ,  B82Y10/00 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C30B11/00 ,  C30B25/005 ,  C30B29/605 ,  G01N27/4146 ,  G01N33/54373 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0019 ,  G11C13/025 ,  G11C13/04 ,  G11C2213/77 ,  G11C2213/81 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02606 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02653 ,  H01L23/53276 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/068 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/18 ,  H01L29/20 ,  H01L29/207 ,  H01L29/22 ,  H01L29/24 ,  H01L29/26 ,  H01L29/267 ,  H01L33/06 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L51/002 ,  H01L51/0048 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  Y10S438/962 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/847 ,  Y10S977/858 ,  Y10S977/882 ,  Y10S977/883 ,  Y10S977/892 ,  Y10S977/936 ,  Y10T428/24 ,  H01L2924/00

摘要： 是下列至少其中之一的体搀杂半导体：单晶体；拉长且体搀杂的半导体，所述半导体在沿其纵轴上的任意点上具有小于500纳米的最大横截面尺寸；以及具有至少一个具有小于500纳米的最小宽度的部分的独立式且体搀杂的半导体。这样的半导体可能包含一个包含第一半导体的内核；以及一个包含不同于第一半导体的材料的外壳。这样的半导体可能被拉长，并且可能在沿这样的半导体的纵剖面上的任意点，具有大于4∶1、或者大于10∶1、或者大于100∶1、或者甚至大于1000∶1的剖面长度和最大宽度的比值。这样的半导体的至少一个部分可能(具有，原文丢失have)小于200纳米、或小于150纳米、或小于100纳米、或小于80纳米、或小于70纳米、或小于60纳米、或小于40纳米、或小于20纳米、或小于10纳米、或者甚至小于5纳米的最小宽度。这样的半导体可能是单晶体且是独立式的。这样的半导体可能或者是轻n搀杂、重n搀杂、轻p搀杂或重p搀杂的。这样的半导体可能在生长过程中被搀杂。这样的半导体可能是器件的零件，该器件可能包括多种器件及其组合中的任一个，并且多种装配技术能被用于用这样的半导体制造器件。两个或更多这样的半导体，包括这类半导体的阵列，能被组合以形成器件，例如，形成器件的交叉p-n结。这样的器件在某些尺寸上可能表现出量子限制和其他的量子现象，并且从一个或更多这样的半导体发射的光的波长能够通过选择这样的半导体的宽度来控制。这样的半导体和以及用其制造的器件能被用于多种应用。