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公开(公告)号：CN101872627B
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201010113952.6
申请日：2000-03-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B13/00 , G03G5/02 , G11B7/243 , G11B7/2433 , G11B7/26 , G11B9/00 , G11B9/08 , G11B11/00 , G11B11/08 , G11B11/12 , G11C13/00 , H01L45/00
CPC classification number: G11B13/00 , G03G5/02 , G11B7/243 , G11B7/2433 , G11B7/2585 , G11B7/26 , G11B7/266 , G11B9/00 , G11B9/04 , G11B9/08 , G11B11/00 , G11B11/08 , G11B11/12 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/24322 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11C13/0004 , G11C13/04 , G11C2029/0403 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1683 , Y10T428/21
Abstract: 一种信息记录媒体，在基板上设有记录材料层，利用电能或电磁波能在进行电学或光学可检测的状态间可以产生可逆的相转移，形成所述记录层的记录材料是一种结构为在所述可逆性相变化的一个相中，含有晶格缺陷的结晶结构的材料，或者是一种在所述可逆相变化的一个相中形成含有晶格缺陷的结晶部分和非结晶部分构成的复合相，所述结晶部分和非结晶部分含有共同的元素的材料，而且做成由所述晶格缺陷的至少一部分构成的所述结晶构造的元素以外的元素镶嵌的信息记录媒体，由此提供的记录媒体设有的记录薄膜记录再生的反复产生的记录特性以及再生特性的变动小，耐候性好，抗组成变动强，而且特性容易控制。
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公开(公告)号：CN101676931B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200910173652.4
申请日：2005-10-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06K19/07 , G06K19/077 , B42D15/10 , H01L27/28 , G11C13/02 , B42D109/00
CPC classification number: G11C16/22 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , G11C13/0059 , G11C13/04 , G11C17/16 , G11C2213/77 , G11C2213/79 , H01L27/285 , H01L51/0051 , H01L51/0059
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件以及防止用户伪造物体的方法。该半导体器件包括：存储器，该存储器具有包括多个存储单元的存储单元阵列；控制该存储器的控制电路；和天线，其中存储单元阵列具有多个沿着第一方向延伸的位线和多个沿着不同于第一方向的第二方向延伸的字线，该多个存储单元中的每一个具有设置在位线和字线之间的有机化合物层。通过向该有机化合物层施加光学作用或电学作用来写入数据。
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公开(公告)号：CN101836257A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200880112836.3
申请日：2008-10-23
Applicant: 惠普开发有限公司
IPC: G11C5/02
CPC classification number: G11C5/04 , G11C5/02 , G11C5/025 , G11C13/04 , G11C2211/4016 , G11C2213/71 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L2225/06534 , H01L2225/06541 , H01L2225/06565 , H01L2924/0002 , H01L2924/15311 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的各个实施例涉及堆叠的存储器模块。在本发明的一个实施例中，存储器模块(100，600，1200，1400)包括至少一个存储器-控制器层(102，602，1204，1402)，该存储器-控制器层与至少一个存储器层相堆叠。细小间距的贯通孔(例如硅贯通孔)(114，116)穿过该叠层与该至少一个存储器控制器的表面近似垂直地延伸，从而在该至少一个存储器控制器(401-404)和该至少一个存储器层之间提供电子通信。此外，存储器-控制器层包括至少一个外部接口，该接口被配置为向存储器模块传输数据并从存储器模块传输数据。另外，存储器模块可包括光学层(602，1202)。光学层可包括在该叠层中，并具有总线波导，该总线波导用来向该至少一个存储器控制器传输数据并从该至少一个存储器控制器传输数据。该外部接口可以是与光学层对接的光学外部接口。
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公开(公告)号：CN1921010B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200610115059.0
申请日：2006-08-23
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G11C11/42
CPC classification number: G11C13/0009 , G11C13/0004 , G11C13/004 , G11C13/04 , G11C13/047 , G11C2013/0054 , H01L45/1213 , H01L45/145
Abstract: 一种结构及用于操作该结构的方法。该方法包括在衬底上提供电阻/反射区，其中所述电阻/反射区包括一种材料，所述材料具有由于其吸收热而改变其反射系数的特性；通过所述电阻/反射区发送电流，以使所述电阻/反射区的反射系数从第一反射系数值变为不同于所述第一反射系数值的第二反射系数值；以及光学地读出所述电阻/反射区的反射系数变化。
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公开(公告)号：CN101676931A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200910173652.4
申请日：2005-10-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06K19/07 , G06K19/077 , B42D15/10 , H01L27/28 , G11C13/02 , B42D109/00
CPC classification number: G11C16/22 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , G11C13/0059 , G11C13/04 , G11C17/16 , G11C2213/77 , G11C2213/79 , H01L27/285 , H01L51/0051 , H01L51/0059
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件以及防止用户伪造物体的方法。该半导体器件包括：存储器，该存储器具有包括多个存储单元的存储单元阵列；控制该存储器的控制电路；和天线，其中存储单元阵列具有多个沿着第一方向延伸的位线和多个沿着不同于第一方向的第二方向延伸的字线，该多个存储单元中的每一个具有设置在位线和字线之间的有机化合物层。通过向该有机化合物层施加光学作用或电学作用来写入数据。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100565783C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN01816168.5
申请日：2001-08-22
Applicant: 哈佛学院董事会
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L29/0665 , B01J23/50 , B01J23/52 , B01J23/72 , B01J35/0013 , B01J37/349 , B81C1/0019 , B81C1/00206 , B82Y10/00 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C30B11/00 , C30B25/005 , C30B29/605 , G01N27/4146 , G01N33/54373 , G11C13/0014 , G11C13/0019 , G11C13/025 , G11C13/04 , G11C2213/77 , G11C2213/81 , H01L21/02521 , H01L21/02532 , H01L21/0254 , H01L21/02543 , H01L21/02557 , H01L21/0256 , H01L21/02573 , H01L21/02581 , H01L21/02603 , H01L21/02606 , H01L21/0262 , H01L21/02628 , H01L21/02631 , H01L21/02636 , H01L21/02639 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L23/53276 , H01L29/045 , H01L29/0673 , H01L29/068 , H01L29/16 , H01L29/1602 , H01L29/18 , H01L29/20 , H01L29/207 , H01L29/22 , H01L29/24 , H01L29/26 , H01L29/267 , H01L33/06 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L51/002 , H01L51/0048 , H01L2924/0002 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , Y10S438/962 , Y10S977/762 , Y10S977/847 , Y10S977/858 , Y10S977/882 , Y10S977/883 , Y10S977/892 , Y10S977/936 , Y10T428/24 , H01L2924/00
Abstract: 是下列至少其中之一的体搀杂半导体：单晶体；拉长且体搀杂的半导体，所述半导体在沿其纵轴上的任意点上具有小于500纳米的最大横截面尺寸；以及具有至少一个具有小于500纳米的最小宽度的部分的独立式且体搀杂的半导体。这样的半导体可能包含一个包含第一半导体的内核；以及一个包含不同于第一半导体的材料的外壳。这样的半导体可能被拉长，并且可能在沿这样的半导体的纵剖面上的任意点，具有大于4∶1、或者大于10∶1、或者大于100∶1、或者甚至大于1000∶1的剖面长度和最大宽度的比值。这样的半导体的至少一个部分可能(具有，原文丢失have)小于200纳米、或小于150纳米、或小于100纳米、或小于80纳米、或小于70纳米、或小于60纳米、或小于40纳米、或小于20纳米、或小于10纳米、或者甚至小于5纳米的最小宽度。这样的半导体可能是单晶体且是独立式的。这样的半导体可能或者是轻n搀杂、重n搀杂、轻p搀杂或重p搀杂的。这样的半导体可能在生长过程中被搀杂。这样的半导体可能是器件的零件，该器件可能包括多种器件及其组合中的任一个，并且多种装配技术能被用于用这样的半导体制造器件。两个或更多这样的半导体，包括这类半导体的阵列，能被组合以形成器件，例如，形成器件的交叉p-n结。这样的器件在某些尺寸上可能表现出量子限制和其他的量子现象，并且从一个或更多这样的半导体发射的光的波长能够通过选择这样的半导体的宽度来控制。这样的半导体和以及用其制造的器件能被用于多种应用。
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公开(公告)号：CN101454902A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200780020021.8
申请日：2007-05-18
Applicant: 国立大学法人山梨大学 , 日本化学工业株式会社
CPC classification number: H01L27/10 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , G11C13/04 , H01L51/0026 , H01L51/0037 , H01L51/0076
Abstract: 本发明的存储元件，其特征在于，该存储元件通过对含有液晶化合物的导电性液晶半导体材料层光斑照射激光而选择性地进行加热处理，并利用该液晶化合物的液晶状态的分子取向来存储信息，其中，其具有：第1电极群，其由彼此平行的多根线状电极所形成；和，导电性液晶半导体材料层，其以覆盖前述第1电极群的方式形成，并含有具有长直线型共轭结构部分且具有近晶相作为液晶相的液晶化合物；和，第2电极群，其由在前述导电性液晶半导体材料层上沿着与前述第1电极群的电极交叉的方向延伸的彼此平行的多根线状透明电极所形成。
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公开(公告)号：CN100440374C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN98808217.9
申请日：1998-06-17
Applicant: 薄膜电子有限公司
IPC: G11C11/21 , G11C11/22 , G11C11/42 , G11C13/02 , H03K19/177
CPC classification number: G11C13/0014 , B82Y10/00 , G11C13/0016 , G11C13/04 , G11C17/00 , G11C17/14 , G11C17/16 , G11C17/165 , G11C2213/71 , G11C2213/77
Abstract: 一种用于数据记录、存储和/或处理的电可寻址无源器件，包含一种层状连续的或图形的结构(S)形式的可以产生物理或化学状态变化的功能媒质(1)。功能媒质(1)为连续的或层状的并包括至少一种有机材料。该功能媒质(1)包含独立的可寻址单元(2)，其代表一个被记录的或被检测的值或是赋予单元的一个预置的逻辑值。单元(2)处于接触单元(2)中功能媒质的电极组(E)中的阳极(3)和阴极(4)之间并引起它们的电耦合，功能媒质具有非线性的阻抗特征，由此单元(2)能够直接地用影响单元状态变化的能量供给。并且功能媒质(1)的所述至少一种有机材料是聚合物材料。在用于这种无源器件的电寻址方法中，其中寻址包含检测、记录操作以及对指定给单元之逻辑值的写、读和转换的的其它操作，电能量直接加到单元的功能媒质，以便改变其状态并因此有效进行寻址操作。本发明用在光检测器件、体数据存储器件或数据处理器件中。
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公开(公告)号：CN100377239C
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200510056039.6
申请日：2000-03-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B13/00 , G03G5/02 , G11B7/243 , G11B7/2433 , G11B7/2585 , G11B7/26 , G11B7/266 , G11B9/00 , G11B9/04 , G11B9/08 , G11B11/00 , G11B11/08 , G11B11/12 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/24322 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11C13/0004 , G11C13/04 , G11C2029/0403 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1683 , Y10T428/21
Abstract: 一种信息记录媒体，在基板上设有记录材料层，利用电能或电磁波能在进行电学或光学可检测的状态间可以产生可逆的相转移，形成所述记录层的记录材料是一种结构为在所述可逆的相转移的一个相中，含有晶格缺陷的结晶结构的材料，或者是一种在所述可逆的相转移的一个相中形成含有晶格缺陷的结晶部分和非结晶部分构成的复合相，所述结晶部分和非结晶部分含有共同的元素的材料，而且做成由所述晶格缺陷的至少一部分构成的所述结晶结构的元素以外的元素镶嵌的信息记录媒体，由此提供的记录媒体设有的记录薄膜记录再生的反复产生的记录特性以及再生特性的变动小，耐候性好，抗组成变动强，而且特性容易控制。
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公开(公告)号：CN1967688A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200610160332.1
申请日：2000-03-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B13/00 , G03G5/02 , G11B7/243 , G11B7/2433 , G11B7/2585 , G11B7/26 , G11B7/266 , G11B9/00 , G11B9/04 , G11B9/08 , G11B11/00 , G11B11/08 , G11B11/12 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/24322 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11C13/0004 , G11C13/04 , G11C2029/0403 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1683 , Y10T428/21
Abstract: 一种信息记录媒体，在基板上设有记录材料层，利用电能或电磁波能在进行电学或光学可检测的状态间可以产生可逆的相转移，形成所述记录层的记录材料是一种结构为在所述可逆性相变化的一个相中，含有晶格缺陷的结晶结构的材料，或者是一种在所述可逆相变化的一个相中形成含有晶格缺陷的结晶部分和非结晶部分构成的复合相，所述结晶部分和非结晶部分含有共同的元素的材料，而且做成由所述晶格缺陷的至少一部分构成的所述结晶构造的元素以外的元素镶嵌的信息记录媒体，由此提供的记录媒体设有的记录薄膜记录再生的反复产生的记录特性以及再生特性的变动小，耐候性好，抗组成变动强，而且特性容易控制。
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