公开(公告)号：CN1242385C

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN02148297.7

申请日：2002-10-31

Applicant: 惠普公司

Inventor： G·A·吉布森 ,  A·查尔肯

IPC: G11B7/00 ,  G11C11/00 ,  H01L27/10

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11B9/08 ,  G11B9/10 ,  G11B9/14 ,  G11B9/149 ,  G11B11/08 ,  G11B13/00

Abstract: 一种数据存储单元包括具有多个存储区45的数据存储层42，其上设置有在多种状态间变化的介质以便写入和读出信息。光束发射器阵列43在极靠近数据存储层42处与其隔开。存储层邻近的层LASL47对光束作出响应产生载流子。把光束46射向数据存储层42来读出数据。数据存储层42上的介质，根据存储介质的状态，或影响载流子的产生，或在LASL 47产生载流子后改变载流子输送。在与LASL47进行载流子传递的检测区(44/47界面)检测载流子，以检测数据的存在。检测区可以包括半导体二极管结(44/47界面)和光电导区64。由穿过半导体结(44/47界面)输送的载流子或在电极之间光电导区64中输送的载流子数目来确定数据存储区中是否存在数据。

公开(公告)号：CN101872627A

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN201010113952.6

申请日：2000-03-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山田升 ,  児岛理惠 ,  松永利之 ,  河原克巳

IPC: G11B7/24

CPC classification number: G11B13/00 ,  G03G5/02 ,  G11B7/243 ,  G11B7/2433 ,  G11B7/2585 ,  G11B7/26 ,  G11B7/266 ,  G11B9/00 ,  G11B9/04 ,  G11B9/08 ,  G11B11/00 ,  G11B11/08 ,  G11B11/12 ,  G11B2007/24306 ,  G11B2007/24308 ,  G11B2007/2431 ,  G11B2007/24312 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/24316 ,  G11B2007/24322 ,  G11B2007/2571 ,  G11B2007/25713 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/04 ,  G11C2029/0403 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1683 ,  Y10T428/21

Abstract: 一种信息记录媒体，在基板上设有记录材料层，利用电能或电磁波能在进行电学或光学可检测的状态间可以产生可逆的相转移，形成所述记录层的记录材料是一种结构为在所述可逆性相变化的一个相中，含有晶格缺陷的结晶结构的材料，或者是一种在所述可逆相变化的一个相中形成含有晶格缺陷的结晶部分和非结晶部分构成的复合相，所述结晶部分和非结晶部分含有共同的元素的材料，而且做成由所述晶格缺陷的至少一部分构成的所述结晶构造的元素以外的元素镶嵌的信息记录媒体，由此提供的记录媒体设有的记录薄膜记录再生的反复产生的记录特性以及再生特性的变动小，耐候性好，抗组成变动强，而且特性容易控制。

公开(公告)号：CN1294030C

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN00807627.8

申请日：2000-03-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山田升 ,  児岛理惠 ,  松永利之 ,  河原克巳

IPC: B41M5/26 ,  G11B7/24

CPC classification number: G11B13/00 ,  G03G5/02 ,  G11B7/243 ,  G11B7/2433 ,  G11B7/2585 ,  G11B7/26 ,  G11B7/266 ,  G11B9/00 ,  G11B9/04 ,  G11B9/08 ,  G11B11/00 ,  G11B11/08 ,  G11B11/12 ,  G11B2007/24306 ,  G11B2007/24308 ,  G11B2007/2431 ,  G11B2007/24312 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/24316 ,  G11B2007/24322 ,  G11B2007/2571 ,  G11B2007/25713 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/04 ,  G11C2029/0403 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1683 ,  Y10T428/21

Abstract: 一种信息记录媒体，在基板上设有记录材料层，利用电能或电磁波能在进行电学或光学可检测的状态间可以产生可逆的相转移，形成所述记录层的记录材料是一种结构为在所述可逆性相变化的一个相中，含有晶格缺陷的结晶结构的材料，或者是一种在所述可逆相变化的一个相中形成含有晶格缺陷的结晶部分和非结晶部分构成的复合相，所述结晶部分和非结晶部分含有共同的元素的材料，而且做成由所述晶格缺陷的至少一部分构成的所述结晶构造的元素以外的元素镶嵌的信息记录媒体，由此提供的记录媒体设有的记录薄膜记录再生的反复产生的记录特性以及再生特性的变动小，耐候性好，抗组成变动强，而且特性容易控制。

公开(公告)号：CN1263002C

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN02122035.2

申请日：2002-05-27

Applicant: 惠普公司

Inventor： G·A·吉布森 ,  A·蔡肯

IPC: G11B7/00 ,  G11B9/12

CPC classification number: G11B11/08 ,  G11B9/08 ,  G11B11/12

Abstract: 一种具有带多个存储区(45)的数据存储层(42)的数据存储装置(40)，存储区上设有可在多种状态之间变化以写读信息的媒体，该装置包括与存储层(42)相隔很近的光发射器(43)阵列、如激光探测器或近场光源，在写和读阶段中选择性地将光束(46)引到存储层(42)。将第一光束(46)引至媒体以改变代表数据的状态来存储数据。用第二定向光束(46)在媒体上激发存储区(45)来读数据。写或读阶段中的光能束可由产生瞬逝场的近场光学系统产生。媒体产生在各存储区(45)中随其状态而有显著不同活动性的电子空穴对。电子空穴对在与存储区(45)相关的检测区域(41)中产生活动性，测量此活动性来检测数据的出现。

公开(公告)号：CN1183598C

公开(公告)日：2005-01-05

申请号：CN01132516.X

申请日：2001-08-31

Applicant: 惠普公司

Inventor： G·A·吉布森

IPC: H01L27/04 ,  G11C11/00 ,  G11B9/10 ,  G11B11/08

CPC classification number: G11B9/08 ,  G11B11/002 ,  G11B11/08

Abstract: 信息存储器件(100)包括阴极导电介质(104)和与介质(104)接触的电极对(106和108)。数据存储区域位于电极对(106和108)之间的区域内。通过在电极(106和108)之间产生一个电场，电子束扫描穿过存储区，并监测载流子产生的阴极电流，可以对电极对(106和108)之间的数据存储区进行读操作。阴极电流量的改变表示存储区的状态。可以通过电子发射极(118)或近场光源来提供能量束。

公开(公告)号：CN101872627B

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201010113952.6

申请日：2000-03-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山田升 ,  児岛理惠 ,  松永利之 ,  河原克巳

IPC: G11B13/00 ,  G03G5/02 ,  G11B7/243 ,  G11B7/2433 ,  G11B7/26 ,  G11B9/00 ,  G11B9/08 ,  G11B11/00 ,  G11B11/08 ,  G11B11/12 ,  G11C13/00 ,  H01L45/00

CPC classification number: G11B13/00 ,  G03G5/02 ,  G11B7/243 ,  G11B7/2433 ,  G11B7/2585 ,  G11B7/26 ,  G11B7/266 ,  G11B9/00 ,  G11B9/04 ,  G11B9/08 ,  G11B11/00 ,  G11B11/08 ,  G11B11/12 ,  G11B2007/24306 ,  G11B2007/24308 ,  G11B2007/2431 ,  G11B2007/24312 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/24316 ,  G11B2007/24322 ,  G11B2007/2571 ,  G11B2007/25713 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/04 ,  G11C2029/0403 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1683 ,  Y10T428/21

Abstract: 一种信息记录媒体，在基板上设有记录材料层，利用电能或电磁波能在进行电学或光学可检测的状态间可以产生可逆的相转移，形成所述记录层的记录材料是一种结构为在所述可逆性相变化的一个相中，含有晶格缺陷的结晶结构的材料，或者是一种在所述可逆相变化的一个相中形成含有晶格缺陷的结晶部分和非结晶部分构成的复合相，所述结晶部分和非结晶部分含有共同的元素的材料，而且做成由所述晶格缺陷的至少一部分构成的所述结晶构造的元素以外的元素镶嵌的信息记录媒体，由此提供的记录媒体设有的记录薄膜记录再生的反复产生的记录特性以及再生特性的变动小，耐候性好，抗组成变动强，而且特性容易控制。

公开(公告)号：CN100377239C

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200510056039.6

申请日：2000-03-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山田升 ,  児岛理惠 ,  松永利之 ,  河原克巳

IPC: G11B7/24 ,  G11B7/26 ,  B41M5/26

CPC classification number: G11B13/00 ,  G03G5/02 ,  G11B7/243 ,  G11B7/2433 ,  G11B7/2585 ,  G11B7/26 ,  G11B7/266 ,  G11B9/00 ,  G11B9/04 ,  G11B9/08 ,  G11B11/00 ,  G11B11/08 ,  G11B11/12 ,  G11B2007/24306 ,  G11B2007/24308 ,  G11B2007/2431 ,  G11B2007/24312 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/24316 ,  G11B2007/24322 ,  G11B2007/2571 ,  G11B2007/25713 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/04 ,  G11C2029/0403 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1683 ,  Y10T428/21

Abstract: 一种信息记录媒体，在基板上设有记录材料层，利用电能或电磁波能在进行电学或光学可检测的状态间可以产生可逆的相转移，形成所述记录层的记录材料是一种结构为在所述可逆的相转移的一个相中，含有晶格缺陷的结晶结构的材料，或者是一种在所述可逆的相转移的一个相中形成含有晶格缺陷的结晶部分和非结晶部分构成的复合相，所述结晶部分和非结晶部分含有共同的元素的材料，而且做成由所述晶格缺陷的至少一部分构成的所述结晶结构的元素以外的元素镶嵌的信息记录媒体，由此提供的记录媒体设有的记录薄膜记录再生的反复产生的记录特性以及再生特性的变动小，耐候性好，抗组成变动强，而且特性容易控制。

公开(公告)号：CN100372013C

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN03154602.1

申请日：2003-07-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪承范 ,  柳寅儆 ,  丁柱焕

IPC: G11B9/00 ,  H01L45/00 ,  H01L27/00

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11B9/08 ,  G11B9/14 ,  G11B9/1409 ,  G11B9/1472 ,  G11B9/149 ,  G11B11/08 ,  G11B13/06

Abstract: 本发明提供一种高密度数据存储介质及其制造方法，一种高密度存储装置及使用其写入、读取及擦除数据的方法。数据存储介质包括下电极，沉积在下电极上的绝缘层，沉积在绝缘层上并具有多个突出部(由于其和光子的碰撞而从其中发射光电子)的光电发射层，和沉积在光电发射层上并存储从光电发射层发射的光电子的电介质层。数据存储装置包括支撑数据存储介质的平台，驱动平台的扫描器，设置在数据存储介质上方并包括与数据存储介质形成电场的尖端的探针，和支撑设置在其一端的尖端以维持数据存储介质和尖端间预定距离的悬臂，把驱动信号、数据写入和擦除信号施加到扫描器和探针并检测数据读取信号的电路单元，把光照射到数据存储介质的光源。

公开(公告)号：CN1967688A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200610160332.1

申请日：2000-03-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山田升 ,  児岛理惠 ,  松永利之 ,  河原克巳

IPC: G11B13/00 ,  G11B7/242

CPC classification number: G11B13/00 ,  G03G5/02 ,  G11B7/243 ,  G11B7/2433 ,  G11B7/2585 ,  G11B7/26 ,  G11B7/266 ,  G11B9/00 ,  G11B9/04 ,  G11B9/08 ,  G11B11/00 ,  G11B11/08 ,  G11B11/12 ,  G11B2007/24306 ,  G11B2007/24308 ,  G11B2007/2431 ,  G11B2007/24312 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/24316 ,  G11B2007/24322 ,  G11B2007/2571 ,  G11B2007/25713 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/04 ,  G11C2029/0403 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1683 ,  Y10T428/21

Abstract: 一种信息记录媒体，在基板上设有记录材料层，利用电能或电磁波能在进行电学或光学可检测的状态间可以产生可逆的相转移，形成所述记录层的记录材料是一种结构为在所述可逆性相变化的一个相中，含有晶格缺陷的结晶结构的材料，或者是一种在所述可逆相变化的一个相中形成含有晶格缺陷的结晶部分和非结晶部分构成的复合相，所述结晶部分和非结晶部分含有共同的元素的材料，而且做成由所述晶格缺陷的至少一部分构成的所述结晶构造的元素以外的元素镶嵌的信息记录媒体，由此提供的记录媒体设有的记录薄膜记录再生的反复产生的记录特性以及再生特性的变动小，耐候性好，抗组成变动强，而且特性容易控制。

公开(公告)号：CN1417783A

公开(公告)日：2003-05-14

申请号：CN02148297.7

申请日：2002-10-31

Applicant: 惠普公司

Inventor： G·A·吉布森 ,  A·查尔肯

IPC: G11B7/24 ,  G11B7/12 ,  H01L27/10

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11B9/08 ,  G11B9/10 ,  G11B9/14 ,  G11B9/149 ,  G11B11/08 ,  G11B13/00

Abstract: 一种数据存储单元包括具有多个存储区45的数据存储层42，其上设置有在多种状态间变化的介质以便写入和读出信息。光束发射器阵列43在极靠近数据存储层42处与其隔开。存储层邻近的层LASL47对光束作出响应产生载流子。把光束46射向数据存储层42来读出数据。数据存储层42上的介质，根据存储介质的状态，或影响载流子的产生，或在LASL 47产生载流子后改变载流子输送。在与LASL47进行载流子传递的检测区(44/47界面)检测载流子，以检测数据的存在。检测区可以包括半导体二极管结(44/47界面)和光电导区64。由穿过半导体结(44/47界面)输送的载流子或在电极之间光电导区64中输送的载流子数目来确定数据存储区中是否存在数据。