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公开(公告)号：CN1391214A
公开(公告)日：2003-01-15
申请号：CN02122035.2
申请日：2002-05-27
Applicant: 惠普公司
Abstract: 一种具有带多个存储区(45)的数据存储层(42)的数据存储装置(40)，存储区上设有可在多种状态之间变化以写读信息的媒体，该装置包括与存储层(42)相隔很近的光发射器(43)阵列、如激光探测器或近场光源，在写和读阶段中选择性地将光束(46)引到存储层(42)。将第一光束(46)引至媒体以改变代表数据的状态来存储数据。用第二定向光束(46)在媒体上激发存储区(45)来读数据。写或读阶段中的光能束可由产生瞬逝场的近场光学系统产生。媒体产生在各存储区(45)中随其状态而有显著不同活动性的电子空穴对。电子空穴对在与存储区(45)相关的检测区域(41)中产生活动性，测量此活动性来检测数据的出现。
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公开(公告)号：CN1340861A
公开(公告)日：2002-03-20
申请号：CN01132516.X
申请日：2001-08-31
Applicant: 惠普公司
Inventor： G·A·吉布森
CPC classification number: G11B9/08 , G11B11/002 , G11B11/08
Abstract: 信息存储器件(100)包括阴极导电介质(104)和与介质(104)接触的电极对(106和108)。数据存储区域位于电极对(106和108)之间的区域内。通过在电极(106和108)之间产生一个电场,电子束扫描穿过存储区,并监测载流子产生的阴极电流,可以对电极对(106和108)之间的数据存储区进行读操作。阴极电流量的改变表示存储区的状态。可以通过电子发射极(118)或近场光源来提供能量束。
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公开(公告)号：CN1242385C
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN02148297.7
申请日：2002-10-31
Applicant: 惠普公司
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B9/08 , G11B9/10 , G11B9/14 , G11B9/149 , G11B11/08 , G11B13/00
Abstract: 一种数据存储单元包括具有多个存储区45的数据存储层42，其上设置有在多种状态间变化的介质以便写入和读出信息。光束发射器阵列43在极靠近数据存储层42处与其隔开。存储层邻近的层LASL47对光束作出响应产生载流子。把光束46射向数据存储层42来读出数据。数据存储层42上的介质，根据存储介质的状态，或影响载流子的产生，或在LASL 47产生载流子后改变载流子输送。在与LASL47进行载流子传递的检测区(44/47界面)检测载流子，以检测数据的存在。检测区可以包括半导体二极管结(44/47界面)和光电导区64。由穿过半导体结(44/47界面)输送的载流子或在电极之间光电导区64中输送的载流子数目来确定数据存储区中是否存在数据。
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公开(公告)号：CN1421988B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN02152791.1
申请日：2002-11-28
Applicant: 惠普公司
Inventor： G·A·吉布森
IPC: H02N1/12
CPC classification number: H02N1/10 , H02N1/12 , Y10S29/90 , Y10S977/84 , Y10T29/4902 , Y10T29/49117 , Y10T29/49137
Abstract: 一种微米级微构造的电源(van de Graaf)，可以用于向其它微米级或纳米级设备(70)提供电流。该van de Graaf包括可移动元件(80)，该可移动元件可以在第一凸起(90)附近的带电粒子源区(10)与第二凸起(100)附近的带电粒子引导极(60)之间振荡。还有一种通过利用该vande Graaf，在带电粒子源区(10)与带电粒子引导极(60)之间传递电荷的方法。更进一步，一种制造微米级van de Graaf的方法。
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公开(公告)号：CN100474421C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN02149902.0
申请日：2002-10-30
Applicant: 惠普公司
Inventor： G·A·吉布森
Abstract: 数据存储媒体(20)包括多个叠层(30、40、50、60、70、80、90、140、160、180)。叠层(30、40、50、60、70、80、90、140、160、180)可以是导电的、绝缘的、电阻的、或者能够在两种或多种状态或相之间改变。数据存储装置还包括数据存储媒体(20)和可以在数据存储媒体(20)的区域中形成纳米级数据比特(110、111、112、113、150)的能源(10)。数据比特(110、111、112、113、150)可以包括贯穿一些叠层(30、40、50、60、70、80、90、140、160、180)的孔，或者在能够在两种或多种状态之间改变的层的部分中的相变。另外，一种利用这种存储媒体(20)以存储纳米级数据比特(110、111、112、113、150)的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1417783A
公开(公告)日：2003-05-14
申请号：CN02148297.7
申请日：2002-10-31
Applicant: 惠普公司
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B9/08 , G11B9/10 , G11B9/14 , G11B9/149 , G11B11/08 , G11B13/00
Abstract: 一种数据存储单元包括具有多个存储区45的数据存储层42，其上设置有在多种状态间变化的介质以便写入和读出信息。光束发射器阵列43在极靠近数据存储层42处与其隔开。存储层邻近的层LASL47对光束作出响应产生载流子。把光束46射向数据存储层42来读出数据。数据存储层42上的介质，根据存储介质的状态，或影响载流子的产生，或在LASL 47产生载流子后改变载流子输送。在与LASL47进行载流子传递的检测区(44/47界面)检测载流子，以检测数据的存在。检测区可以包括半导体二极管结(44/47界面)和光电导区64。由穿过半导体结(44/47界面)输送的载流子或在电极之间光电导区64中输送的载流子数目来确定数据存储区中是否存在数据。
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公开(公告)号：CN1263002C
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN02122035.2
申请日：2002-05-27
Applicant: 惠普公司
Abstract: 一种具有带多个存储区(45)的数据存储层(42)的数据存储装置(40)，存储区上设有可在多种状态之间变化以写读信息的媒体，该装置包括与存储层(42)相隔很近的光发射器(43)阵列、如激光探测器或近场光源，在写和读阶段中选择性地将光束(46)引到存储层(42)。将第一光束(46)引至媒体以改变代表数据的状态来存储数据。用第二定向光束(46)在媒体上激发存储区(45)来读数据。写或读阶段中的光能束可由产生瞬逝场的近场光学系统产生。媒体产生在各存储区(45)中随其状态而有显著不同活动性的电子空穴对。电子空穴对在与存储区(45)相关的检测区域(41)中产生活动性，测量此活动性来检测数据的出现。
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公开(公告)号：CN1183598C
公开(公告)日：2005-01-05
申请号：CN01132516.X
申请日：2001-08-31
Applicant: 惠普公司
Inventor： G·A·吉布森
CPC classification number: G11B9/08 , G11B11/002 , G11B11/08
Abstract: 信息存储器件(100)包括阴极导电介质(104)和与介质(104)接触的电极对(106和108)。数据存储区域位于电极对(106和108)之间的区域内。通过在电极(106和108)之间产生一个电场，电子束扫描穿过存储区，并监测载流子产生的阴极电流，可以对电极对(106和108)之间的数据存储区进行读操作。阴极电流量的改变表示存储区的状态。可以通过电子发射极(118)或近场光源来提供能量束。
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公开(公告)号：CN1417784A
公开(公告)日：2003-05-14
申请号：CN02149902.0
申请日：2002-10-30
Applicant: 惠普公司
Inventor： G·A·吉布森
Abstract: 数据存储媒体(20)包括多个叠层(30、40、50、60、70、80、90、140、160、180)。叠层(30、40、50、60、70、80、90、140、160、180)可以是导电的、绝缘的、电阻的、或者能够在两种或多种状态或相之间改变。数据存储装置还包括数据存储媒体(20)和可以在数据存储媒体(20)的区域中形成纳米级数据比特(110、111、112、113、150)的能源(10)。数据比特(110、111、112、113、150)可以包括贯穿一些叠层(30、40、50、60、70、80、90、140、160、180)的孔，或者在能够在两种或多种状态之间改变的层的部分中的相变。另外，一种利用这种存储媒体(20)以存储纳米级数据比特(110、111、112、113、150)的方法。
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公开(公告)号：CN1369881A
公开(公告)日：2002-09-18
申请号：CN01141297.6
申请日：2001-10-15
Applicant: 惠普公司
Inventor： G·A·吉布森
CPC classification number: G11C13/0014 , B82Y10/00 , G11B5/00 , G11B9/14 , G11B9/1409 , G11B9/1463 , G11B33/14 , G11B2005/0002 , G11B2005/0005 , G11C2213/81
Abstract: 本发明的某些具体实施方案是在这样的数据存储设备中管理的,即能够将数据在纳米尺寸的存取区域进行存储、读出和写入操作的数据存储设备。某些具体实施方案是在这样的设备中管理的,其中在存储介质(40)和能量发射触点(20)之间提供一个流动介质(90)和粒子(100),并将能量从触点(20)输导到存储介质(40)。某些具体实施方案是在这样的设备中管理的,其中导体分子(120)被固定在存储介质(40)的表面,它可以将能量从能量发射触点(20)输导到存储介质(40)。某些具体实施方案是采用下面方法对存储介质(40)进行读出和写入操作的,它利用过渡粒子(100)以及/或者分子(120)来将射束从触点(20)输导到存储数据的存储介质(40)上。
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