-
公开(公告)号：CN100573876C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200510120245.9
申请日：2005-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C13/0004 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/79
Abstract: 提供了一种采用具有多种电阻状态的电阻器的非易失性存储器件及其操作方法。存储器件包括开关器件和电阻器。电阻器与开关器件电连接且具有一个复位电阻状态和至少两个或多个设定电阻状态。
-
公开(公告)号：CN100502010C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200510068438.4
申请日：2005-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/10
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供了利用具有分级电阻变化的多层的存储器件。所述存储器件包括：下电极；数据存储层，形成于下电极上且具有分级的电阻变化；和上电极，形成于数据存储层上。
-
公开(公告)号：CN1913169A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200610114928.8
申请日：2006-08-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/04 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1641
Abstract: 本发明提供了一种非易失性半导体存储装置及其制造方法。该非易失性存储装置包括开关装置和连接到该开关装置的存储节点。该存储节点包括下电极、数据存储层和上电极。该数据存储层包括在第一电压下形成电流路径的第一区和环绕该第一区的第二区，其中在高于第一电压的第二电压下在该第二区内形成电流路径。该第一区置成接触该上电极和该下电极。
-
公开(公告)号：CN1822280A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200510113376.4
申请日：2005-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01J9/025
Abstract: 提供了通过在真空室内部使电弧撞击晶片表面来制造发射器的方法和设备。所述设备包括：其中插入晶片的真空室；用于在所述真空室内部产生均匀磁场的磁场产生单元；用于在真空室内部形成与所述磁场平行的电场的电场产生单元；用于朝向晶片发射电子的主发射器。由主发射器发射的电子沿所述电场和磁场移动。控制所述电场的强度和主发射器的驱动电压，当所述电场或驱动电压超过阈值时产生电弧。由此，晶片的表面被电弧瞬时熔化并固化，由此在晶片的表面上形成具有尖锐尖端的发射器。
-
公开(公告)号：CN1815770A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200510136129.6
申请日：2005-12-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/003 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/56 , G11C2213/76 , G11C2213/77 , H01L27/2427 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供具有两种电阻器的非易失性存储器件。该非易失性存储器件包括：下电极；第一电阻层，其形成在所述下电极上且具有两种或更多种电阻特性；第二电阻层，其形成在所述第一电阻层上且具有阈值开关特性；以及上电极，其形成在所述第二电阻层上。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1269187C
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200310102435.9
申请日：2003-10-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/20 , H01J1/00 , H01J37/00
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/3175 , H01J2237/06358 , H01J2237/31781
Abstract: 本发明公开了一种利用二次电子的电子投影光刻装置。该装置包括：二次电子发射器，它与基板固定器间隔预定距离，在该二次电子发射器的朝向基板固定器的表面上形成已构图的掩模；一次电子发射器，它在二次电子发射器背对基板固定器的方向上与二次电子发射器间隔预定距离，并向二次电子发射器发射一次电子；第二电源，它在基板固定器和二次电子发射器之间施加预定电压；第一电源，它在二次电子发射器和一次电子发射器之间施加预定电压；和磁场发生器，它控制由二次电子发射器发射的二次电子的路径。
-
公开(公告)号：CN1790720A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510120245.9
申请日：2005-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C13/0004 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/79
Abstract: 提供了一种采用具有多种电阻状态的电阻器的非易失性存储器件及其操作方法。存储器件包括开关器件和电阻器。电阻器与开关器件电连接且具有一个复位电阻状态和至少两个或多个设定电阻状态。
-
公开(公告)号：CN1790719A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510120235.5
申请日：2005-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105
CPC classification number: H01L27/24 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/75
Abstract: 本发明涉及一种包括一电阻器和一晶体管的非易失存储器件。所述非易失存储器件包括：晶体管；电连接到所示晶体管的第一杂质区和第二杂质区的电阻层。
-
公开(公告)号：CN1702852A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN200510071668.6
申请日：2005-03-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8239 , H01L21/28 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/42332 , B82Y10/00 , H01L21/28273 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L29/7883
Abstract: 本发明提供了一种制造存储器的方法，该存储器包括具有均匀分布的硅纳米点的栅。该方法包括：在衬底上形成栅，该栅具有绝缘薄膜，还具有在该绝缘薄膜中顺序叠放并且以预定距离彼此隔开的纳米点层和导电薄膜图案；在衬底中形成源区和漏区；以及分别在源区和漏区形成第一和第二金属层。
-
公开(公告)号：CN1660696A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200510004590.6
申请日：2005-01-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C30B29/602 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C23C26/00 , C30B25/00 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明披露一种水平生长碳纳米管的方法，其包括：在基底上沉积铝层；在基底上形成隔绝层，以覆盖铝层；图案化基底上的隔绝层和铝层，以便暴露铝层的侧面；在铝层的暴露侧面上形成多个孔至预定的深度；在孔的底部沉积催化剂金属层；以及从催化剂金属层水平生长碳纳米管。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
72
records
(took 0.024 seconds)
