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公开(公告)号：CN103855110B
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201310627548.4
申请日：2013-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/38 , H01L27/146 , H04N5/374
CPC classification number: H04N5/378 , H01L2924/0002 , H04N5/374 , H04N5/3745 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了种包括像素和读出电路的图像传感器。所述像素包括具有热电结的热电元件,所述读出电路被配置为控制所述像素,使得所述热电元件执行热电冷却操作和光电转换操作。
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公开(公告)号：CN102891969B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201210256758.2
申请日：2012-07-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/357 , H04N5/3745 , H04N5/378
CPC classification number: H04N5/357 , H04N5/3696 , H04N5/3745 , H04N5/378
Abstract: 提供一种图像感测设备和操作其的方法。在操作图像传感器的方法中，在向浮动扩散区域施加重置电压之后采样浮动扩散区域的噪声电压。在采样噪声电压之后将存储光电电荷的存储区域和浮动扩散区域电连接，在存储区域和浮动扩散区域被电连接之后采样浮动扩散区域的解调电压。基于噪声电压和解调电压来确定电压。
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公开(公告)号：CN104112750A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201410301392.5
申请日：2010-02-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , G11C16/04
CPC classification number: H01L27/11565 , G11C16/0408 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L27/11519 , H01L27/11524 , H01L27/11551 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 本发明提供了一种包括垂直NAND沟道的非易失性存储器装置和一种垂直NAND存储装置，所述非易失性存储器装置可包括多个直接相邻的偏移的垂直NAND沟道，电结合到所述非易失性存储器装置的单一的选择栅极线，其中，所述多个直接相邻的偏移的垂直NAND沟道在所述非易失性存储器装置中限定的位线方向上相互偏移，其中，所述多个直接相邻的偏移的垂直NAND沟道包括第一沟道以及在垂直于位线方向的方向上与第一沟道偏移的第二沟道，其中，位线方向垂直于所述单一的选择栅极线的方向。
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公开(公告)号：CN101409107B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN200810148926.X
申请日：2008-09-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C2211/5621 , G11C2211/5648
Abstract: 本发明提供了一种对非易失性存储单元编程的方法，所述方法包括：通过将非易失性存储单元的阈值电压设置为第一电压电平来对多位数据的第一位编程，所述第一电压电平在多个阈值电压分布中的第一阈值电压分布内。通过基于第二位的值将阈值电压设置为第二电压电平来对多位数据的第二位编程。如果第二位是第一值，则第二电压电平与第一电压电平相同，如果第二位是第二值，则第二电压电平在所述多个阈值电压分布中的第二阈值电压分布内。通过基于第三位的值将阈值电压设置为第三电压电平来对多位数据的第三位编程。
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公开(公告)号：CN102891969A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210256758.2
申请日：2012-07-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/357 , H04N5/3745 , H04N5/378
CPC classification number: H04N5/357 , H04N5/3696 , H04N5/3745 , H04N5/378
Abstract: 提供一种图像感测设备和操作其的方法。在操作图像传感器的方法中，在向浮动扩散区域施加重置电压之后采样浮动扩散区域的噪声电压。在采样噪声电压之后将存储光电电荷的存储区域和浮动扩散区域电连接，在存储区域和浮动扩散区域被电连接之后采样浮动扩散区域的解调电压。基于噪声电压和解调电压来确定电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101764134A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200910221919.2
申请日：2009-11-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L23/528 , G11C7/12 , G11C7/18
Abstract: 本发明提供一种三维半导体存储装置及其操作方法。三维半导体存储装置包括：多个字线结构，在基底上；有源半导体图案，在所述多个字线结构之间；信息存储元件，在所述多个字线结构和所述有源半导体图案之间。所述多个字线结构中的每个字线结构包括彼此分隔开并堆叠的多条字线，所述有源半导体图案包括电极区域和沟道区域，电极区域和沟道区域具有彼此不同的导电类型并交替布置。
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公开(公告)号：CN101752304A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910246685.7
申请日：2009-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/82 , H01L27/02 , H01L21/762
CPC classification number: H01L27/1203 , H01L21/76224 , H01L21/84 , H01L27/108 , H01L27/10802 , H01L27/1207 , H01L29/7841
Abstract: 本发明公开了半导体装置和制造半导体装置的方法。所述制造半导体装置的方法可通过使用选择性蚀刻仅在体半导体基底的一个或多个局部化区域中形成具有绝缘体上硅(SOI)结构的存储器单元。因此，可以将不同的偏压施加到外围器件和具有SOI结构的存储器单元。
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公开(公告)号：CN100573876C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200510120245.9
申请日：2005-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C13/0004 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/79
Abstract: 提供了一种采用具有多种电阻状态的电阻器的非易失性存储器件及其操作方法。存储器件包括开关器件和电阻器。电阻器与开关器件电连接且具有一个复位电阻状态和至少两个或多个设定电阻状态。
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公开(公告)号：CN101593763A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200910203101.8
申请日：2009-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L31/08 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/14627 , H01L27/307 , H01L51/0043 , H01L51/0073 , H01L51/424 , H01L51/4246 , Y02E10/549
Abstract: 提供一种使用光检测分子的图像传感器及其操作方法。该图像传感器可包括：多个第一电极和多个第二电极，所述多个第一电极彼此平行地布置，所述多个第二电极彼此平行地布置在与所述多个第一电极垂直的方向上并位于所述多个第一电极之上；多个子像素，形成在所述第一电极与所述第二电极交叉的区域中。每个子像素可包括：光检测分子层，可通过吸收特定波长的光产生电子－空穴对；电荷产生层，当已知电压施加在第一电极和第二电极之间时，可通过从光检测分子层接收电子产生多个二次电子；可变电阻层，通过接收从电荷产生层产生的二次电子改变所述可变电阻层的电状态。
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公开(公告)号：CN101521228A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200910001436.1
申请日：2009-01-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/73 , H01L27/108 , H01L27/102
CPC classification number: H01L29/7391 , G11C11/404 , G11C2211/4016 , H01L21/84 , H01L27/1023 , H01L27/108 , H01L27/10802 , H01L27/10873 , H01L27/1203 , H01L29/7841 , H01L29/8618
Abstract: 本发明提供半导体装置和包括该半导体装置的半导体设备。半导体装置包括设置在半导体基底上的主体区域、设置在半导体基底上和主体区域的相对的侧部上的栅极图案以及设置在主体区域的上表面上的第一和第二掺杂区域。栅极图案可以与第一和第二掺杂区域分开期望的距离或分开大于期望的距离的距离，从而沿与第一和第二掺杂区域垂直的方向，栅极图案不与第一和第二掺杂区域叠置。
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