公开(公告)号：CN109427786A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201710717163.5

申请日：2017-08-21

Applicant: 联华电子股份有限公司 ,  福建省晋华集成电路有限公司

Inventor： 张峰溢 ,  李甫哲 ,  陈界得

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/10814 ,  G11C7/02 ,  G11C11/404 ,  G11C11/4074 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10891 ,  H01L27/10897 ,  H01L28/90

Abstract: 本发明公开一种半导体存储装置及其制作工艺。半导体存储装置，其包含基底、多个栅极、多个插塞、电容结构以及堆叠层结构。栅极是设置在基底内，插塞则是设置在基底上，分别电连接栅极两侧的基底。电容结构设置在基底上，并包含多个电容，且各电容分别电连接各插塞。堆叠层结构则是覆盖在电容结构上，并包含依序堆叠的半导体层、导电层与绝缘盖层，其中绝缘盖层的两侧与该导电层之间各具有一间距，且二间距的长度不同。

公开(公告)号：CN104681079B

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201510081061.X

申请日：2010-10-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  加藤清

IPC: G11C11/405 ,  G11C11/56 ,  H01L21/822 ,  H01L27/06 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L27/1052 ,  G11C5/06 ,  G11C7/12 ,  G11C11/404 ,  G11C11/405 ,  G11C11/565 ,  G11C16/0408 ,  G11C16/10 ,  G11C2211/4016 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/8221 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/263 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明涉及半导体装置及用于驱动半导体装置的方法。所公开的是用作多值化存储器设备的半导体器件，包括：串联连接的存储单元；选择存储单元并驱动第二信号线和字线的驱动器电路；选择写入电位中的任意并将其输出至第一信号线的驱动器电路；比较位线的电位和参考电位的读取电路；以及产生写入电位和参考电位的电位产生电路。一个存储单元包括：连接至位线和源线的第一晶体管；连接至第一和第二信号线的第二晶体管；以及连接至字线、位线、以及源线的第三晶体管。第二晶体管包括氧化物半导体层。第一晶体管的栅电极连接至第二晶体管的源和漏电极中的一个。

公开(公告)号：CN103247331B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201210031880.X

申请日：2012-02-13

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 骆志炯 ,  朱正勇 ,  尹海洲 ,  朱慧珑

IPC: G11C11/404

CPC classification number: H01L27/1052 ,  G11C5/06 ,  G11C7/00 ,  G11C8/16 ,  G11C11/404 ,  G11C11/405 ,  H01L27/108 ,  H01L29/267 ,  H01L29/7869

Abstract: 本申请公开了一种半导体存储器件及其访问方法，包括存储晶体管、第一控制晶体管、第二控制晶体管，其中，第一控制晶体管的源极和栅极分别与第一位线和第一字线相连接，第二控制晶体管的漏极和栅极分别与第二字线和第二位线相连接，存储晶体管的栅极与第一控制晶体管的漏极相连接，存储晶体管的漏极与第二控制晶体管的源极相连接，存储晶体管的源极与地相连接，并且，存储晶体管具有栅控记忆特性。该半导体存储器件提高了集成度并减少了刷新操作的频率。

公开(公告)号：CN104969298A

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201480007063.8

申请日：2014-01-31

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： X·李 ,  S·H·康 ,  X·朱

IPC: G11C17/16

CPC classification number: G11C17/08 ,  G11C7/00 ,  G11C7/12 ,  G11C11/40 ,  G11C11/404 ,  G11C17/16 ,  G11C2211/4016 ,  H01L27/105 ,  H01L27/10802 ,  H01L29/7841

Abstract: 一种方法包括在包括交叠区域和沟道区域的半导体晶体管结构处创建击穿状况。该击穿状况通过以下操作来创建：使半导体晶体管结构的栅极与交叠区域之间的第一电压差超过该半导体晶体管结构的击穿电压，而同时将此栅极与沟道区域之间的第二电压差维持在小于该击穿电压。

公开(公告)号：CN101727969B

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN200910205251.2

申请日：2009-10-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔相武 ,  金元住 ,  李太熙 ,  车大吉

IPC: G11C11/4063 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/10802 ,  G11C11/404 ,  G11C2207/2227 ,  G11C2211/4016 ,  H01L21/84 ,  H01L27/10844 ,  H01L29/7841

Abstract: 本发明提供了一种操作半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：在将半导体装置的数据状态改变为第一状态的擦除模式下，将施加到所述漏区的漏极电压脉冲从启用状态转变至停用状态，然后，将施加到所述栅极区的栅极电压脉冲从所述启用状态转变为所述停用状态；在将半导体装置的数据状态改变为第二状态的写入模式下，将所述栅极电压脉冲从所述启用状态转变至所述停用状态，然后，将所述漏极电压脉冲从所述启用状态转变至所述停用状态。

公开(公告)号：CN103681804A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310196616.6

申请日：2013-05-24

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 吴泰京 ,  刘敏秀

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L21/28 ,  H01L27/108 ,  G11C8/10

CPC classification number: H01L27/10823 ,  G06F13/4068 ,  G11C11/404 ,  G11C11/4087 ,  G11C11/4091 ,  G11C2211/4068 ,  H01L21/265 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/32133 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10876 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/945

Abstract: 本发明公开一种半导体器件、其制造方法及具有该器件的组件与系统，半导体器件包括：接面区域，其形成于在半导体基板中形成的沟槽的两个侧壁的上部；第一栅电极，其埋入于沟槽中且具有台阶式上表面；以及第二栅电极，其形成于第一栅电极上而与接面区域重叠。

公开(公告)号：CN102693755A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201210082547.1

申请日：2012-03-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 松林大介

IPC: G11C16/06 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L27/1052 ,  G11C8/10 ,  G11C11/404 ,  G11C11/405 ,  H01L23/528 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: 提供了存储器设备和电子设备。对单独的存储器单元执行选择操作。设备包括第一存储器单元和与第一存储器单元设置在同一行中的第二存储器单元，它们各自包括具有第一栅极和第二栅极的场效应晶体管。场效应晶体管通过导通或截止来至少控制存储器单元中的数据写入和数据保持。该设备还包括：行选择线，电连接至包括在第一存储器单元和第二存储器单元中的场效应晶体管的第一栅极；第一列选择线，电连接至包括在第一存储器单元中的场效应晶体管的第二栅极；以及第二列选择线，电连接至包括在第二存储器单元中的场效应晶体管的第二栅极。

公开(公告)号：CN101599492B

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN200810189417.1

申请日：2008-12-24

Applicant: 旺宏电子股份有限公司

Inventor： 吴昭谊

IPC: H01L27/108 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/10823 ,  G11C11/404 ,  G11C11/4076 ,  H01L27/10876 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明是有关于一种存储器及其制造方法。该存储器包括：一突出半导体；一挥发性可编程结构；一介电质结构；一栅极结构；以及一控制电路，是供应偏压调整至该突出半导体与该栅极结构。该存储器，是适用于动态随机存取存储器的应用以及低功率需求的应用上。在本发明中，此存储器装置包括电荷捕捉鳍式场效晶体管结构，电荷捕捉鳍式场效晶体管结构包括一倒U字形挥发性可编程结构与在挥发性可编程结构上的倒U字形介电结构。

公开(公告)号：CN102543174A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110379558.1

申请日：2011-11-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 竹村保彦

IPC: G11C13/00

CPC classification number: G11C7/1078 ,  G11C7/1048 ,  G11C11/24 ,  G11C11/40 ,  G11C11/404 ,  G11C11/405 ,  G11C16/02

Abstract: 提供其功耗低的一种新颖半导体存储器件。写晶体管WTr_n_m的源极、读晶体管RTr_n_m的栅极和电容器CS_n_m的一个电极彼此连接。写晶体管WTr_n_m的栅极和漏极分别连接至写字线WWL_n和写位线WBL_m。电容器CS_n_m的另一电极连接至读字线RWL_n。读晶体管RTr_n_m的漏极连接至读位线RBL_m。在此，读位线RBL_m的电位被输入至诸如触发器电路FF_m的反相放大器电路以通过该反相放大器电路反相。该经反相的电位被输出至写位线WBL_m。

公开(公告)号：CN101329898B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200810130277.0

申请日：2008-06-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 大泽隆

IPC: G11C11/401 ,  G11C11/406 ,  H01L27/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: G11C11/404 ,  G11C11/406 ,  G11C11/40615 ,  G11C2211/4016 ,  G11C2211/4065 ,  H01L29/7841

Abstract: 本发明涉及一种存储器驱动方法和半导体存储装置。本发明涉及一种驱动存储器的方法，所述存储器包括存储器单元、位线和字线，每个存储器单元具有源极、漏极和浮体，所述方法包括执行刷新操作，以恢复所述存储器单元的第一逻辑数据的劣化和所述存储器单元的第二逻辑数据的劣化，其中在所述刷新操作中，当所述浮体处的电位大于临界值时，注入到所述浮体中的载流子的数量大于从所述浮体中流出的载流子的数量，并且当所述浮体处的电位小于所述临界值时，注入到所述浮体中的载流子的数量小于从所述浮体中流出的载流子的数量。