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公开(公告)号：CN1722459A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200510084649.7
申请日：2005-07-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14645 , H01L27/14685
Abstract: 本发明涉及一种具有改进的灵敏度的CMOS图像传感器，其包括在半导体衬底上形成的有源像素阵列区的主像素阵列区。钝化层形成于传感器的上方，且它至少部分地从主像素阵列区去除，使得用主像素阵列探测的入射光不通过钝化层。由钝化层的材料导致的光吸收和折射得到消除，获得具有改善的光灵敏度的图像传感器。
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公开(公告)号：CN101106658A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710110170.5
申请日：2007-06-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/335 , H04N3/15 , H01L27/148
Abstract: 例子实施例可以涉及CMOS图像传感器和图像感测方法，根据入射光的数量或入射光量，选择用于光电流的路径。该CMOS图像传感器可以包括由多个像素对构成的像素阵列。像素对可以包括第一像素，包括第一光电二极管、第一晶体管对以及具有第一电容量的第一浮置扩散节点。该像素对还可以包括第二像素，包括第二光电二极管、第二晶体管对以及具有第二电容量的第二浮置扩散节点。第一晶体管对的第一晶体管可以被连接在第一光电二极管和第一浮置扩散节点之间。第一晶体管对的第二晶体管可以被连接在第一光电二极管和第二浮置扩散节点之间。第二晶体管对的第一晶体管可以被连接在第二光电二极管和第二浮置扩散节点之间。第二晶体管对的第二晶体管可以被连接在第二光电二极管和下一个像素对的第一浮置扩散节点之间。第一浮置扩散节点的第一电容量可以大于第二浮置扩散节点的第二电容量。
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公开(公告)号：CN102891969B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201210256758.2
申请日：2012-07-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/357 , H04N5/3745 , H04N5/378
CPC classification number: H04N5/357 , H04N5/3696 , H04N5/3745 , H04N5/378
Abstract: 提供一种图像感测设备和操作其的方法。在操作图像传感器的方法中，在向浮动扩散区域施加重置电压之后采样浮动扩散区域的噪声电压。在采样噪声电压之后将存储光电电荷的存储区域和浮动扩散区域电连接，在存储区域和浮动扩散区域被电连接之后采样浮动扩散区域的解调电压。基于噪声电压和解调电压来确定电压。
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公开(公告)号：CN102891969A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210256758.2
申请日：2012-07-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/357 , H04N5/3745 , H04N5/378
CPC classification number: H04N5/357 , H04N5/3696 , H04N5/3745 , H04N5/378
Abstract: 提供一种图像感测设备和操作其的方法。在操作图像传感器的方法中，在向浮动扩散区域施加重置电压之后采样浮动扩散区域的噪声电压。在采样噪声电压之后将存储光电电荷的存储区域和浮动扩散区域电连接，在存储区域和浮动扩散区域被电连接之后采样浮动扩散区域的解调电压。基于噪声电压和解调电压来确定电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103985721B
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201410046825.7
申请日：2014-02-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14612 , H01L27/14605 , H01L27/1461 , H01L27/14641
Abstract: 公开深度像素、三维图像传感器和操作深度像素的方法。一种三维图像传感器的深度像素包括：第一光栅极，响应于第一光控制信号导通/截止；第一光检测区，被配置为当第一光栅极导通时基于被对象反射的接收光产生第一电荷；第一发送栅极，响应于第一发送控制信号导通/截止；第一浮置扩散区，被配置为当第一发送栅极导通时累积从第一光检测区产生的第一电荷；和第一补偿单元，被配置为基于接收光中包括的环境光分量产生不同于第一电荷的第二电荷，以向第一浮置扩散区供应第二电荷。
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公开(公告)号：CN103985721A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410046825.7
申请日：2014-02-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14612 , H01L27/14605 , H01L27/1461 , H01L27/14641
Abstract: 本发明公开深度像素、三维图像传感器和操作深度像素的方法。一种三维图像传感器的深度像素包括：第一光栅极，响应于第一光控制信号导通/截止；第一光检测区，被配置为当第一光栅极导通时基于被对象反射的接收光产生第一电荷；第一发送栅极，响应于第一发送控制信号导通/截止；第一浮置扩散区，被配置为当第一发送栅极导通时累积从第一光检测区产生的第一电荷；和第一补偿单元，被配置为基于接收光中包括的环境光分量产生不同于第一电荷的第二电荷，以向第一浮置扩散区供应第二电荷。
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公开(公告)号：CN102547355B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201110421183.0
申请日：2011-12-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H04N5/351 , G01S7/4811 , G01S17/06 , H04N5/2256 , H04N13/254 , H04N13/271
Abstract: 提供一种图像传感器和操作该图像传感器的方法。根据示例性实施例，一种操作三维图像传感器的方法包括：使用由光源模块发射的光测量物体与三维图像传感器的距离；基于测量的距离来调整由所述光源模块发射的光的发射角。所述三维图像传感器包括所述光源模块。
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公开(公告)号：CN102547355A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110421183.0
申请日：2011-12-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H04N5/351 , G01S7/4811 , G01S17/06 , H04N5/2256 , H04N13/254 , H04N13/271
Abstract: 提供一种图像传感器和操作该图像传感器的方法。根据示例性实施例，一种操作三维图像传感器的方法包括：使用由光源模块发射的光测量物体与三维图像传感器的距离；基于测量的距离来调整由所述光源模块发射的光的发射角。所述三维图像传感器包括所述光源模块。
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公开(公告)号：CN1722459B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200510084649.7
申请日：2005-07-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14645 , H01L27/14685
Abstract: 本发明涉及一种具有改进的灵敏度的CMOS图像传感器，其包括在半导体衬底上形成的有源像素阵列区的主像素阵列区。钝化层形成于传感器的上方，且它至少部分地从主像素阵列区去除，使得用主像素阵列探测的入射光不通过钝化层。由钝化层的材料导致的光吸收和折射得到消除，获得具有改善的光灵敏度的图像传感器。
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