图像传感器及其制造方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115706124A

    公开(公告)日:2023-02-17

    申请号:CN202210864315.5

    申请日:2022-07-21

    IPC分类号: H01L27/146

    摘要: 提供了一种图像传感器及其制造方法。制造图像传感器的方法包括:形成第一导电类型的半导体衬底;在所述半导体衬底中形成像素隔离沟槽以限定像素区域;在所述像素隔离沟槽中形成衬垫绝缘层;用所述第一导电类型的掺杂剂掺杂所述衬垫绝缘层;在掺杂所述掺杂剂之后,在所述衬垫绝缘层上形成半导体层以填充所述像素隔离沟槽;以及对所述半导体衬底执行热处理工艺。

    图像传感器
    3.
    发明公开
    图像传感器 审中-实审

    公开(公告)号:CN112992942A

    公开(公告)日:2021-06-18

    申请号:CN202011175490.0

    申请日:2020-10-28

    IPC分类号: H01L27/146

    摘要: 公开了一种图像传感器包括:半导体衬底,具有第一表面和第二表面,并具有像素区域,该像素区域具有光电转换区域;栅电极,设置在像素区域上并与第一表面相邻;第一隔离结构,从第一表朝向第二表面延伸,第一隔离结构包括:第一像素隔离图案,包围像素区域;以及第一内部隔离图案,与第一像素隔离图案间隔开并且位于光电转换区域之间;以及第二隔离结构,从第二表朝向第一表面延伸,具有与第一隔离结构的底表面的至少一部分竖直地间隔开的顶表面。与半导体衬底的第一表面相比,第一隔离结构的底表面更靠近半导体衬底的第二表面。

    图像传感器
    4.
    发明公开
    图像传感器 审中-实审

    公开(公告)号:CN112929585A

    公开(公告)日:2021-06-08

    申请号:CN202011036929.1

    申请日:2020-09-27

    摘要: 公开了一种图像传感器,其包括:第一光电二极管组;第二光电二极管组;第一转移晶体管组;第二转移晶体管组;其中存储有第一光电二极管组中产生的电荷的衬底的浮置扩散区;以及用于向第二光电二极管组施加电源电压的电源节点。将势垒电压施加到第二转移晶体管组的至少一个转移晶体管。电源电压使第二光电二极管组中产生的电荷迁移到电源节点,势垒电压在第二光电二极管组与浮置扩散区之间形成势垒。

    图像传感器
    6.
    发明公开
    图像传感器 审中-实审

    公开(公告)号:CN110034138A

    公开(公告)日:2019-07-19

    申请号:CN201811561957.8

    申请日:2018-12-20

    IPC分类号: H01L27/146

    摘要: 提供了图像传感器。图像传感器可以包括多个单元像素以及在所述多个单元像素上的滤色器阵列。滤色器阵列可以包括滤色器单元,该滤色器单元包括布置为二乘二阵列的四个滤色器,并且所述四个滤色器可以包括两个黄色滤色器、青色滤色器、以及红色滤色器和绿色滤色器中的一个。

    图像传感器
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110021612A

    公开(公告)日:2019-07-16

    申请号:CN201811352594.7

    申请日:2018-11-14

    IPC分类号: H01L27/146

    摘要: 一种图像传感器可以包括具有多个块区域的基底。每个块区域可以包括分离的多个像素区域。每个像素区域可以包括位于基底中的多个光电元件中的单独的光电元件以及位于基底上的多个微透镜中的单独的微透镜。多个微透镜中的每个微透镜可以从像素区域的垂直中心线朝向块区域的中心横向偏移。多个块区域中的每个块区域可以包括块区域的多个微透镜的共同偏移形状。