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公开(公告)号：CN112929585B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202011036929.1
申请日：2020-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N25/704 , H04N23/67 , H04N25/60 , H10F39/12 , H10F39/18
Abstract: 公开了一种图像传感器，其包括：第一光电二极管组；第二光电二极管组；第一转移晶体管组；第二转移晶体管组；其中存储有第一光电二极管组中产生的电荷的衬底的浮置扩散区；以及用于向第二光电二极管组施加电源电压的电源节点。将势垒电压施加到第二转移晶体管组的至少一个转移晶体管。电源电压使第二光电二极管组中产生的电荷迁移到电源节点，势垒电压在第二光电二极管组与浮置扩散区之间形成势垒。
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公开(公告)号：CN111508979B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN201911098958.8
申请日：2019-11-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器可以包括：像素隔离结构，设置在半导体衬底中，用于限定第一像素区域；第一光电转换区域和第二光电转换区域，设置在第一像素区域中；以及分离结构，设置在第一像素区域中，在第一光电转换区域与第二光电转换区域之间。像素隔离结构可以包括：第一像素隔离部分，在第二方向上彼此间隔开并在第一方向上纵向延伸；以及第二像素隔离部分，在第一方向上彼此间隔开并在第二方向上纵向延伸以连接到第一像素隔离部分。分离结构可以在第一方向和第二方向上与像素隔离结构间隔开，并且在与第一方向和第二方向垂直的第三方向上至少部分地与第一光电转换区域和第二光电转换区域处于相同的水平。
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公开(公告)号：CN117457690A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202310845461.8
申请日：2023-07-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 公开了图像传感器。根据本公开的图像传感器包括：第一像素组，第一像素组包括第一像素单元，第一像素单元与第一颜色对应并且包括以m×n形式布置的多个第一像素。第一像素组还包括第二像素单元，第二像素单元与第二颜色对应并且包括以m×n形式布置的多个第二像素。第一像素组还包括第三像素单元，第三像素单元与第三颜色对应并且包括以m×n形式布置的多个第三像素，并且m和n是大于或等于3的自然数。第一微透镜被包括在第一像素单元中，并且由所述多个第一像素之中的在第一方向上的至少两个邻近的第一像素共享。
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公开(公告)号：CN115225835A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210259465.3
申请日：2022-03-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/355 , H04N9/04 , H01L27/146
Abstract: 提供了相机模块和相机模块的操作方法。所述相机模块包括：多个像素，每个像素包括第一子像素至第四子像素；行驱动器，通过多条行线连接到所述多个像素；模数转换电路，通过多条列线连接到所述多个像素，并且将所述多条列线的信号转换为数字值；以及逻辑电路。第一子像素至第四子像素中的每个包括第一区域和第二区域。第一区域和第二区域中的每个包括光电检测器。响应于行驱动器激活包括在所述多个像素之中的一个像素中的一半或更少的光电检测器的信号，模数转换电路生成第一信号。逻辑电路基于第一信号生成自动对焦信号。
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公开(公告)号：CN115118938A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210288610.0
申请日：2022-03-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N9/04 , H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括像素阵列，所述像素阵列包括在第一方向和与第一方向相交的第二方向上排列的像素。每个像素包括光电二极管、位于光电二极管下方的像素电路和位于光电二极管上方的滤色器。逻辑电路通过在第二方向上延伸的多条列线从像素获取像素信号。像素包括彩色像素和白色像素，白色像素的数量大于彩色像素的数量。像素电路包括浮动扩散器和晶体管，光电二极管的电荷在浮动扩散器中累积，并且晶体管输出与浮动扩散器中的电荷量对应的电压。每个彩色像素与白色像素当中的在第二方向上邻近于该彩色像素的至少一个相邻白色像素共享浮动扩散器。
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公开(公告)号：CN114388543A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111170310.4
申请日：2021-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器。该图像传感器包括位于半导体衬底内的第一像素区和第二像素区、围绕第一像素区和第二像素区的第一隔离层、位于第一像素区和第二像素区之间的第二隔离层、以及布置在第一像素区和第二像素区上的微透镜。第一像素区和第二像素区中的每个包括光电转换器件。第二隔离层包括至少一个第一开口区，该至少一个第一开口区暴露位于第一像素区和第二像素区之间的区域的一部分。
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公开(公告)号：CN111343396A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201911270280.7
申请日：2019-12-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种图像传感器，包括：像素，其包括将入射光转换为电信号的光电转换元件、调节在其处存储与电信号相对应的电荷的浮动扩散(FD)节点的电容的开关、以及基于FD节点将输出电压输出的读出电路。A/D转换器可以分别在第一时间和第二时间对通过输出线从读出电路传输的输出电压进行采样，并且基于它们之间的差来生成数字代码。转换增益控制器可以通过在第一时间和第二时间之间的第三时间将通过输出线从读出电路传输的输出电压与阈值电压进行比较来生成转换增益控制信号，并且将转换增益控制信号提供给开关以设置像素的转换增益。
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公开(公告)号：CN105336754A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201510474389.8
申请日：2015-08-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/374
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H01L27/14645 , H01L27/14689 , H04N5/3696 , H04N5/3745
Abstract: 图像像素包括在半导体衬底中形成的多个光电二极管和多个沟槽。每个光电二极管被配置为累积透过微镜头在每个光电二极管处接收到的光的强度相对应的多个光电荷。多个沟槽被配置为将光电二极管彼此电隔离。
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公开(公告)号：CN101677106A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200910173854.9
申请日：2009-09-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/82 , H04N3/15 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L27/14689
Abstract: 本发明公开了一种像素单元、一种包括所述像素单元的图像传感器、一种包括所述像素单元的系统及一种形成像素单元的方法。所述像素单元包括基底、外延层和在外延层中的光电转换装置。外延层具有凸出形状的掺杂浓度曲线，并包括堆叠在基底上的多个层。光电转换装置不包括沿垂直方向电势恒定的中性区域。因此，包括所述像素单元的图像传感器具有高量子化效率，并且减小了光电转换装置之间的串扰。
