公开(公告)号：CN119677197A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202411824217.4

申请日：2021-10-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟勋 ,  金范锡 ,  李允基 ,  金保美 ,  李宽熙 ,  郑允智

IPC: H10F39/18 ,  H04N25/779 ,  H04N25/76 ,  H04N25/77

Abstract: 本发明提供了一种像素阵列和包括其的图像传感器。该像素阵列包括多个像素组，每个像素组包括：多个单位像素，分别包括设置在半导体衬底中的光电转换元件；沟槽结构，设置在半导体衬底中，并在垂直方向上从半导体衬底的第一表面延伸到半导体衬底的第二表面，以使光电转换元件彼此电分离且光学分离；以及微透镜，设置在半导体衬底上方或下方，微透镜覆盖所述多个单位像素中的所有的光电转换元件，以将入射光聚焦到光电转换元件。

公开(公告)号：CN111354750B

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN201910688062.9

申请日：2019-07-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李允基 ,  朴钟勋 ,  朴俊城

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了背侧照明(BSI)图像传感器。一种BSI图像传感器包括基板和多个像素，该多个像素配置为响应于入射在基板上的光而产生电信号。多个像素中的每个包括：光电二极管；红外辐射(IR)截止滤波器，在光电二极管之上；遮光图案，在光电二极管之上并包括对应于多个像素中的每个的1％至15％的面积的开口；平坦化层，在遮光图案上；以及透镜，在平坦化层上。

公开(公告)号：CN111325125B

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202010088100.X

申请日：2018-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金笵锡 ,  李允基 ,  金正生 ,  朴钟勋 ,  朴俊城 ,  文昌碌

IPC: G06V40/13

Abstract: 提供了一种电子装置，所述电子装置可包括光电元件、位于光电元件上的屏蔽层以及位于屏蔽层上的滤色器结构。屏蔽层可限定位于光电元件之上的第一开口。滤色器结构可限定位于光电元件和第一开口之上的第二开口。滤色器结构可从面对滤色器结构的视角呈现黑暗。

公开(公告)号：CN116799019A

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202310271574.1

申请日：2023-03-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑允智 ,  金廷玹 ,  李京镇 ,  李准植 ,  朴钟勋 ,  李允基

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器包括：衬底，其包括第一表面和第二表面；像素隔离结构，其穿透衬底、布置在从衬底的第一表面延伸到第二表面的像素隔离沟槽中并且限定像素区域；在像素区域上的多个子像素区域；在多个子像素区域上的多个光电转换区域；在多个子像素区域之间的信号分离结构，信号分离结构在从衬底的第二表面朝着衬底的第一表面延伸到衬底中的信号分离沟槽中；以及在衬底的第二表面上的微透镜，微透镜与像素区域对应，其中，信号分离结构包括绝缘层，并且像素隔离结构包括导电层；以及在导电层和衬底之间的衬垫层。

公开(公告)号：CN115706124A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202210864315.5

申请日：2022-07-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李允基 ,  朴钟勋 ,  金范锡 ,  金廷玹 ,  俞铉根 ,  郑允智

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种图像传感器及其制造方法。制造图像传感器的方法包括：形成第一导电类型的半导体衬底；在所述半导体衬底中形成像素隔离沟槽以限定像素区域；在所述像素隔离沟槽中形成衬垫绝缘层；用所述第一导电类型的掺杂剂掺杂所述衬垫绝缘层；在掺杂所述掺杂剂之后，在所述衬垫绝缘层上形成半导体层以填充所述像素隔离沟槽；以及对所述半导体衬底执行热处理工艺。

公开(公告)号：CN112929585A

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN202011036929.1

申请日：2020-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 藤田雅人 ,  李允基 ,  沈殷燮 ,  李景镐 ,  金范锡 ,  金泰汉

IPC: H04N5/369 ,  H04N5/232 ,  H04N5/357 ,  H01L27/146

Abstract: 公开了一种图像传感器，其包括：第一光电二极管组；第二光电二极管组；第一转移晶体管组；第二转移晶体管组；其中存储有第一光电二极管组中产生的电荷的衬底的浮置扩散区；以及用于向第二光电二极管组施加电源电压的电源节点。将势垒电压施加到第二转移晶体管组的至少一个转移晶体管。电源电压使第二光电二极管组中产生的电荷迁移到电源节点，势垒电压在第二光电二极管组与浮置扩散区之间形成势垒。

公开(公告)号：CN110034138A

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201811561957.8

申请日：2018-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金保美 ,  金范锡 ,  金正生 ,  李允基 ,  郑泰燮

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了图像传感器。图像传感器可以包括多个单元像素以及在所述多个单元像素上的滤色器阵列。滤色器阵列可以包括滤色器单元，该滤色器单元包括布置为二乘二阵列的四个滤色器，并且所述四个滤色器可以包括两个黄色滤色器、青色滤色器、以及红色滤色器和绿色滤色器中的一个。

公开(公告)号：CN118158556A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202311304692.4

申请日：2023-10-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泰汉 ,  琴东旻 ,  金范锡 ,  金镇浩 ,  李允基

IPC: H04N25/70 ,  H04N25/11 ,  H04N25/75 ,  H04N25/78 ,  H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器包括：芯片结构，包括普通像素和自动对焦像素；网格结构，设置在芯片结构上；以及滤色器区域，在芯片结构上方由网格结构限定。滤色器区域包括普通滤色器区域和自动对焦滤色器区域。普通滤色器区域对应于普通像素。芯片结构包括处于第一距离处的第一区域和处于比第一距离大的第二距离处的第二区域。自动对焦滤色器区域包括第一区域上的第一自动对焦滤色器区域和第二区域上的第二自动对焦滤色器区域。网格结构之中的与第一自动对焦滤色器区域相邻设置的第一网格部分的第一宽度窄于网格结构之中的与第二自动对焦滤色器区域相邻设置的第二网格部分的第二宽度。

公开(公告)号：CN118073383A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202311527524.1

申请日：2023-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔哲秀 ,  金范锡 ,  李允基 ,  金政勋 ,  朴钟勋

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器包括：具有彼此相反的第一表面和第二表面的基板，基板包括在平行于第一表面并且彼此交叉的第一方向和第二方向上布置的多个像素区；深器件隔离图案，延伸到基板中并且在所述多个像素区之间；以及颜色分离透镜阵列，在基板的第二表面上。颜色分离透镜阵列包括在基板的第二表面上的间隔物层和在间隔物层上彼此水平地间隔开的多个纳米柱。

公开(公告)号：CN116705811A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202310198261.8

申请日：2023-03-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李准植 ,  金廷玹 ,  李京镇 ,  郑允智 ,  朴钟勋 ,  李允基

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器包括：衬底，具有彼此相对的第一表面和第二表面；电路互连结构，设置在衬底的第一表面下方；组，设置在衬底中，并且包括多个像素衬底区；以及隔离结构，设置在衬底中，其中，隔离结构包括围绕组的隔离部、以及从隔离部延伸到组的多个像素衬底区之间的区域的延伸部，其中，在组中，延伸部具有彼此间隔开的端部，并且其中，至少一个延伸部包括宽度在远离隔离部的方向上减小的宽度减小区。