公开(公告)号：CN119450251A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202411031009.9

申请日：2024-07-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 俞铉根 ,  琴东旻 ,  金正生 ,  金范锡 ,  李允基

IPC: H04N25/70 ,  H04N25/60

Abstract: 提供了一种图像传感器。图像传感器包括：第一像素组，其包括第一像素、第二像素、第三像素和第四像素；第二像素组，其包括第五像素、第六像素、第七像素和第八像素，其中，第二像素组被设置为在第一方向上与第一像素组相邻；第一透镜，其与第一像素和第二像素对应；第二透镜，其与第三像素和第四像素对应；装置隔离图案，其将第一像素组与第二像素组电隔离；以及读出电路，其被配置为：基于从第一像素组接收的相位信号中的至少一部分输出相位数据；以及基于从第二像素组接收的彩色信号中的至少一部分输出图像数据。

公开(公告)号：CN115706124A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202210864315.5

申请日：2022-07-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李允基 ,  朴钟勋 ,  金范锡 ,  金廷玹 ,  俞铉根 ,  郑允智

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种图像传感器及其制造方法。制造图像传感器的方法包括：形成第一导电类型的半导体衬底；在所述半导体衬底中形成像素隔离沟槽以限定像素区域；在所述像素隔离沟槽中形成衬垫绝缘层；用所述第一导电类型的掺杂剂掺杂所述衬垫绝缘层；在掺杂所述掺杂剂之后，在所述衬垫绝缘层上形成半导体层以填充所述像素隔离沟槽；以及对所述半导体衬底执行热处理工艺。

公开(公告)号：CN115692440A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210878295.7

申请日：2022-07-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金廷玹 ,  金范锡 ,  朴钟勋 ,  俞铉根 ,  李允基

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器，包括：衬底，其包括像素区并具有第一表面、与第一表面相对的第二表面、以及从第一表面凹陷的第一沟槽；浅器件隔离图案，设置在第一沟槽中；以及深器件隔离图案，位于像素区之间并设置在衬底中。深器件隔离图案包括穿透衬底的至少一部分的半导体图案，以及设置在衬底和半导体图案之间的隔离图案。隔离图案包括与第二表面相邻的第一隔离图案和与第一表面相邻的第二隔离图案。第一隔离图案与第二隔离图案接触处的第一界面与浅器件隔离图案间隔开。第一隔离图案包括与第二隔离图案的材料不同的材料。

公开(公告)号：CN111435667B

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN201911091800.8

申请日：2019-11-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李允基 ,  金正生 ,  俞铉根

IPC: H10F39/12

Abstract: 一种图像传感器，包括：半导体层，其包括第一部分和第二部分，该半导体层具有彼此面对的第一表面和第二表面；器件隔离层，其在半导体层中并限定多个像素；第一栅格图案，其在半导体层的第一部分上的第一表面上；以及遮光图案，其在半导体层的第二部分上的第一表面上。第一栅格图案的顶表面位于第一高度处，遮光图案的顶表面位于第二高度处，第一高度低于第二高度，并且第一高度和第二高度相对于半导体层的第一表面被限定。

公开(公告)号：CN111435667A

公开(公告)日：2020-07-21

申请号：CN201911091800.8

申请日：2019-11-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李允基 ,  金正生 ,  俞铉根

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器，包括：半导体层，其包括第一部分和第二部分，该半导体层具有彼此面对的第一表面和第二表面；器件隔离层，其在半导体层中并限定多个像素；第一栅格图案，其在半导体层的第一部分上的第一表面上；以及遮光图案，其在半导体层的第二部分上的第一表面上。第一栅格图案的顶表面位于第一高度处，遮光图案的顶表面位于第二高度处，第一高度低于第二高度，并且第一高度和第二高度相对于半导体层的第一表面被限定。