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公开(公告)号：CN113348662B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202080010261.5
申请日：2020-01-30
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
Inventor： 川崎凌平
IPC: H04N25/76 , H04N25/779 , H04N25/77 , H04N25/78 , H04N25/75
Abstract: 多个像素分别包括：产生响应于接收到的光的电荷的光接收元件(100)；输出与由光接收元件产生的电荷相对应的模拟信号的像素电路(11)；和基于电压呈阶梯状变化的参考信号将从像素电路输出的模拟信号转换成数字信号的转换电路(12)。生成单元(5)生成将被提供给多个像素的第一像素的第一参考信号以及将被提供给与第一像素不同的多个像素的第二像素的第二参考信号作为参考信号。第一参考信号经由第一配线(1031a)被提供给多个像素的第一像素，并且第二参考信号经由第二配线(1031b)被提供给多个像素中与第一像素不同的第二像素。
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公开(公告)号：CN119137970A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202280093828.9
申请日：2022-10-25
Applicant: XO半导体有限公司
Abstract: 本发明的图像传感器可以包括：SPAD阵列，包括一个以上的SPAD元件；多路转换器，用于接收从所述SPAD阵列输出的信号；控制器，向所述多路转换器传送模式设定信号；以及第一计数器以及第二计数器，基于所述SPAD阵列输出的信号来输出数字信号。所述多路转换器可以根据所述模式设定信号来变更所述第一计数器以及所述第二计数器的连接关系。
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公开(公告)号：CN114554119B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202111169622.3
申请日：2021-10-08
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Inventor： 李在原
Abstract: 本公开涉及一种图像感测装置，其可以包括：基板，该基板包括彼此相对的正面和背面，其中，图像感测装置被构造成通过经由基板的背面接收穿过入射光而进行操作；耗尽区，该耗尽区在基板中被设置为与基板的背面接触；外延层，该外延层在基板中被设置为与基板的正面接触或在基板的正面附近；以及多个检测结构，该多个检测结构设置在外延层中，所述多个检测结构各自被配置成捕获由入射光产生并且通过在外延层中流动的电流而移动的光电荷。
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公开(公告)号：CN113766159B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202110195270.2
申请日：2021-02-20
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Abstract: 公开了图像感测装置及包括其的拍摄装置。图像感测装置包括：像素阵列，其被配置为包括至少一个第一像素和至少一个第二像素；以及定时控制器，其被配置为基于目标对象与像素阵列之间的距离来激活第一像素或第二像素。第一像素和第二像素具有包括以下中的至少一项的不同特性：与有效地感测距离的能力有关的有效测量距离、与辨识时间差的能力有关的时间分辨率、与辨识空间差的能力有关的空间分辨率、或指示生成像素信号所需的功率量的单位功耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118431249B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410898204.5
申请日：2024-07-05
Applicant: 南京大学
IPC: H01L27/146 , H04N25/75 , H04N25/78
Abstract: 本发明公开了一种高信噪比的复合介质栅光敏探测器及阵列控制方法，属于成像探测技术领域。该复合介质栅光敏探测器包括4个成像单元和成像单元间的转移区，通过在光敏探测单元中设置转移区，并通过控制各成像单元的栅极电压使得各成像单元处于读出或复位状态，控制转移区的栅极电压使得相邻成像单元之间的收集区处于联通或隔离状态，在保留单一成像单元读出功能的前提下，实现了光敏探测单元中所有成像单元的信号电荷转移至一个成像单元后合并再读出的功能。该功能解决了弱光成像的问题，达到了提高图像的信噪比的效果。
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公开(公告)号：CN118741337A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410761340.X
申请日：2024-06-13
Applicant: 中国科学院高能物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种pnCCD背景数据星载处理系统，其特征在于，包括FPGA、FLASH、SRAM；所述FLASH用于存储地面标定期间计算的pnCCD每个像素的偏移噪声数据；所述SRAM用于从FLASH读取偏移噪声数据并缓存；所述FPGA用于根据收到的指令处理偏移噪声，包括偏移噪声搬移与计算模块，偏移噪声修正模块，指令修改偏移噪声模块，更新静态偏移噪声模块；其中，所述偏移噪声搬移与计算模块用于在轨计算偏移噪声；所述偏移噪声修正模块用于根据在轨计算得到的偏移噪声对pnCCD每个像素的偏移噪声进行在轨修正；所述更新静态偏移噪声模块用于根据在轨修正的偏移噪声更新FLASH中存储的偏移噪声数据。
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公开(公告)号：CN113725238B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202011154531.8
申请日：2020-10-26
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Inventor： 林成祐
IPC: H01L27/146 , H04N25/76 , H04N25/779 , H04N25/75 , H04N25/78
Abstract: 一种图像感测装置包括：基板，其被构造为包括在基板的第一侧的第一表面和在基板的第二侧的第二表面，且包括在基板的在第二表面附近的部分中的第一有源区域和第二有源区域；至少一个光电转换元件，其形成在基板中，并被构造为通过执行对经由基板的第一表面接收的入射光的光电转换产生光电荷；浮置扩散区域，其形成在基板的第二表面附近，并被构造为从光电转换元件接收光电荷并临时存储接收的光电荷；晶体管，其形成在第一有源区域中，并被构造为包括联接到浮置扩散区域的第一源极/漏极区域；以及阱拾取区域，其形成在第二有源区域中，并被构造为向基板施加偏置电压。第一源极/漏极区域和阱拾取区域具有互补的导电性，并被形成为彼此接触。
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公开(公告)号：CN118574029A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410198761.6
申请日：2024-02-22
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H04N25/773 , H04N25/766 , H04N25/706 , H04N25/709 , H04N25/75
Abstract: 本发明提供一种光电转换装置、光电转换装置的控制方法和存储介质。光电转换装置包括：多个像素，多个像素包括被配置为接收光的有效像素和被遮蔽光的光学黑像素；确定单元，确定单元用于基于从所述光学黑像素获取的信号，来确定用于校正所述有效像素的信号值的校正值；以及输出单元，输出单元用于使用所述校正值来输出图像。所述确定单元基于第一信号值与第二信号值之间的差和第三信号值来确定所述校正值，第一信号值指示在将遮光部插入摄像光学系统的光学路径中的状态下的所述光学黑像素的信号值，第二信号值指示所述有效像素的信号值，而第三信号值指示在将所述遮光部从所述摄像光学系统的所述光学路径移除的状态下的所述光学黑像素的信号值。
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公开(公告)号：CN114666519B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202111537740.5
申请日：2021-12-15
Applicant: 半导体元件工业有限责任公司
Inventor： M·H·因诺森特
IPC: H04N25/47 , H04N25/44 , H04N25/75 , H04N25/78 , H04N25/772
Abstract: 本申请涉及图像传感器及其操作方法以及数据转换器，该图像传感器可包括模拟‑数字转换器。该转换器可具有输入电容器、一个或多个金属氧化物半导体电容器、数字‑模拟转换器和比较器。在该金属氧化物半导体电容器被激活时，可将输入信号采样到该输入电容器上。在该金属氧化物半导体电容器被激活时，可执行几个转换步骤。在该几个转换步骤之后，将该金属氧化物半导体电容器去激活以实现电压增益，这使得该转换器对比较器噪声不太敏感。
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