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公开(公告)号：CN119585862A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202380050606.3
申请日：2023-12-15
Applicant: 半导体元件工业有限责任公司
IPC: H01L23/00
Abstract: 烧结薄膜框架(68)的具体实施可包括：框架，该框架包括外周边(78)和内周边(76)，该内周边(76)限定穿过该框架的开口(74)；位置检测开口(80)，该位置检测开口穿过该框架；至少两个对准孔(82)，该至少两个对准孔穿过该框架；和框架标识符(86)，该框架标识符位于该框架的侧面上。
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公开(公告)号：CN119547207A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202480003408.6
申请日：2024-05-08
Applicant: 半导体元件工业有限责任公司
Inventor： 黑濑英司
IPC: H01L23/48
Abstract: 一种半导体器件部件包括：接触垫(12)，该接触垫设置在半导体衬底(10)的表面上；种子金属层(14)，该种子金属层设置在该接触垫上；和互连件，该互连件设置在该种子金属层上。该种子金属层具有比该互连件的宽度大的宽度，其中该种子金属层的脚部部分(14F)延伸到该互连件的该宽度之外。该半导体器件部件还包括抗蚀刻保护结构(18)，该抗蚀刻保护结构设置在该互连件的表面以及该种子金属层的延伸到该互连件的该宽度之外的该脚部部分的表面上。
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公开(公告)号：CN113097296B
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202011543305.9
申请日：2020-12-23
Applicant: 半导体元件工业有限责任公司
Inventor： 克利福德·德劳利 , 安德鲁·P·爱德华兹 , 苏巴什·斯里尼瓦·皮达帕蒂 , 雷·米拉诺
Abstract: 一种垂直结型场效应晶体管(Junction Field Effect Transistor，JFET)包括：衬底；有源区，该有源区具有多个半导体鳍；在鳍的上表面上的源极金属层；源极金属盘层，该源极金属盘层通过源极金属层耦合到半导体鳍；栅极区，该栅极区围绕半导体鳍；以及体二极管，该体二极管围绕栅极区。
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公开(公告)号：CN111162119B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN201910990771.2
申请日：2019-10-18
Applicant: 半导体元件工业有限责任公司
Abstract: 本发明题为“电子器件及其形成方法”。本发明公开了一种电子器件，该电子器件可包括半导体层以及与该层形成欧姆接触的接触结构。在一个实施方案中，半导体层可包含III‑N材料，并且接触结构包括第一相和第二相，其中第一相包含Al，第二相包含金属，并且第一相接触半导体层。在另一个实施方案中，半导体层可为具有沿着晶面的表面的单晶层。接触结构可包含多晶材料，该多晶材料包含具有与单晶层的表面接触的表面的晶体，其中单晶层的表面与晶体的表面之间的晶格失配为至多20％。
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公开(公告)号：CN110957283B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN201910889568.6
申请日：2019-09-20
Applicant: 半导体元件工业有限责任公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/495 , H01L21/50 , H01L21/56 , H02M7/00
Abstract: 本发明题为“功率模块和相关方法”。功率模块的实施方式可包括：基板，该基板具有第一侧和第二侧。功率模块可包括耦接到基板的第二侧的多根引线和在基板的五个或更多个表面的一部分上方的模塑料。功率模块还可包括从基板的第一侧延伸到模塑料的外边缘的开口。开口可被构造成接纳耦接设备，并且耦接设备可被构造成与散热器或封装支撑件耦接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119422459A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202380042086.1
申请日：2023-12-06
Applicant: 半导体元件工业有限责任公司
Inventor： A·V·博罗特尼科夫 , 吉米·罗伯特·汉内斯·弗兰奇 , 克里斯特·古梅柳斯
Abstract: 可使用自对准技术来制造具有减小的间距的JFET晶体管器件(100)，同时避免可能导致击穿电压减小和/或RDSon增大的未对准。因此，与常规器件相比，所描述的器件对于给定有源区域和栅极电压提供了附加电流沟道、增大的电流和减小的RDSon，同时保持高BVgs值。
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公开(公告)号：CN119422232A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202380048179.5
申请日：2023-10-16
Applicant: 半导体元件工业有限责任公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/498
Abstract: 一种模块，包括半导体器件管芯(110)、连接到该半导体器件管芯的引线框架(120,130)、以及连接到该引线框架的衬底(112)的组件。该衬底包括至少一个电镀通孔(PTH)(162)。模体(150)封装该组件。该模体包括与该衬底的包括该至少一个PTH的部分对准的模制过孔(TMV)(160)。该PTH在该TMV中暴露于该模体外部的环境中，并且通过该TMV从该模体外部能够进行物理接触。
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公开(公告)号：CN119328320A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202410458908.0
申请日：2024-04-17
Applicant: 半导体元件工业有限责任公司
Inventor： M·J·塞登
Abstract: 本公开涉及铜特征部和相关的形成方法。一种形成铜特征部的方法的具体实施可包括：提供厚度大于1mm的铜层；使用激光切割出部分地穿过该厚度的沟槽，留下剩余厚度；以及在切割之后，使用水射流移除该剩余厚度。
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公开(公告)号：CN119318016A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202480002763.1
申请日：2024-02-28
Applicant: 半导体元件工业有限责任公司
IPC: H01L23/373 , H01L23/433 , H05K7/20 , H01L23/14 , H01L23/10 , H01L23/31 , H01L23/051 , H01L25/07 , H01L25/11 , H01L23/367 , H01L23/40 , H01L23/538
Abstract: 在汽车和工业应用中，可注入导电组分(114)可用于将高功率半导体芯片组件(101)耦合到散热器(106)。该可注入导电组分(114)提供低电阻界面材料并且还充当结合剂(105)。由该芯片组件(101)和该散热器(106)界定的腔(113)可形成用于该可注入导电组分(114)的容器，该可注入导电组分在该芯片组件(101)的操作期间保持为液相。该容器可通过移除该散热器(106)的一部分或通过使用密封材料在该芯片组件(101)和该散热器(106)之间引入间隔件而形成为腔(113)。该可注入导电组分(114)可通过经由形成于该散热器(106)的背侧中的孔(116)注入而被引入到该腔(113)中。
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公开(公告)号：CN119309481A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202410479722.3
申请日：2024-04-22
Applicant: 半导体元件工业有限责任公司
Inventor： J·J·伯廷
Abstract: 本公开涉及用于感应式位置传感器的转子。实施例公开了一种感应式位置传感器子系统。感应式位置传感器包括：精密转子，该精密转子位于第一印刷电路板上；和金属粗略转子，该金属粗略转子包括金属支撑件，第一印刷电路板耦接到该金属支撑件。感应式位置传感器还包括精密传感器接收器和粗略传感器接收器，精密传感器接收器和粗略传感器接收器基于精密转子和金属粗略转子的旋转生成相应的多个传感器信号。精密传感器接收器和粗略传感器接收器位于与第一印刷电路板分离的第二印刷电路板上。
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