公开(公告)号：CN118969757A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202411036632.3

申请日：2024-07-31

申请人： 杭州熙驰科技有限公司

发明人： 刘宝珠

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L23/04 ,  H01L23/10

摘要： 本发明公开了一种集成电路封装导线支架，包括设置在壳体内部的芯片和芯片焊盘，芯片的左右两侧分别均匀设有多个引脚本体，引脚本体包括内引脚和外引脚，外引脚外部包覆设有防护罩壳，防护罩壳包括上防护壳和下防护壳，上防护壳和下防护壳相互靠近的侧面分别开设有第一容纳槽和第二容纳槽，上防护壳顶部设有滑块，滑块上方设有固定块，固定块和滑块之间设有第一伸缩柱，第一伸缩柱外部套设有第一弹簧，滑块的顶部设有滑杆，固定块上开设有供滑杆滑动贯穿的通孔，固定块的上方设有辅助组件；本装置可对其中某个外引脚进行打开检修，操作简单省力，通过辅助组件可一次性完成所有的上防护壳底部和下防护壳拼接操作，简化安装操作，提高工作效率。

公开(公告)号：CN118969741A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202411099627.7

申请日：2024-08-12

申请人： 英诺赛科(珠海)科技有限公司

发明人： 程浪 ,  陈邦星 ,  曹凯

IPC分类号： H01L23/29 ,  H01L23/495 ,  H01L23/49 ,  H01L23/31

摘要： 本发明公开了一种封装结构，包括：框架、待封装芯片和塑封层；其中，框架包括主体部和至少一个管脚，待封装芯片设置于主体部表面；塑封层设置于框架设置有待封装芯片的表面；塑封层与框架之间具有第一空腔，待封装芯片设置于第一空腔中；且塑封层填充于主体部和管脚之间的缝隙中。本发明避免了塑封层在短路测试时发生起火和熔化，提高了封装结构的安全性。

公开(公告)号：CN118899294A

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202411364782.7

申请日：2024-09-29

申请人： 河北博威集成电路有限公司

发明人： 张家祺 ,  郭跃伟 ,  段磊 ,  黎荣林 ,  卢啸 ,  要旭 ,  于长江 ,  孔令旭

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L23/49 ,  H01L23/367 ,  H01L21/48

摘要： 本申请适用于半导体器件技术领域，提供了一种碳化硅晶体管分立器件及其制备方法，该器件包括铜框架的上方有SiC MOSFET芯片和SiC SBD芯片；铜框架的侧边有漏端子、源端子、开尔文端子和栅端子；漏端子与铜框架相连；其它端子与铜框架电气隔离；SiC MOSFET芯片的上表面有源极焊盘和栅极焊盘；源极焊盘包括第一、第二和第三源极焊盘；SiC SBD芯片的上表面有阳极焊盘；第一源极焊盘与阳极焊盘、第二源极焊盘与源端子、第三源极焊盘与开尔文端子、栅极焊盘与栅端子相连，使芯片形成反并联。本申请能减小SiC MOSFET的续流和开关损耗，降低成本，分散器件热耗，提高器件的散热能力，满足大功率场景的应用。

公开(公告)号：CN118899293A

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202411088025.1

申请日：2024-08-09

申请人： 安徽芯塔电子科技有限公司

发明人： 倪炜江

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48

摘要： 本发明公开了一种碳化硅半桥器件及其制造方法，所述模块包括两块相对设置的上桥铜基板、下桥铜基板，两块铜基板的内侧均设置有一颗碳化硅MOSFET芯片和两个覆铜陶瓷片，覆铜陶瓷片用于电气绝缘、电气连接和电极引出，下桥铜基板上与上桥芯片源极相连的覆铜陶瓷片内部设置有通孔，用于对该覆铜陶瓷片的正反两面进行电气连接，从而形成一个半桥电路拓扑。本发明焊接工艺简洁，碳化硅MOSFET芯片的正面焊接采用“凸点+回流焊”方案，便于焊接和组装。

公开(公告)号：CN118866854A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410774982.3

申请日：2024-06-17

申请人： 泰州市航宇电器有限公司

发明人： 周宏虎 ,  李雷超 ,  吴灯宽

IPC分类号： H01L23/495

摘要： 本发明提供一种陶瓷外壳用引线框架，涉及引线框架技术领域。该陶瓷外壳用引线框架，包括外框架和引脚，所述外框架的顶部固定连接有陶瓷外壳，所述外框架的前后侧壁上均设置有插孔，并且引脚位于插孔的内部，所述插孔的底部设置有安装槽，所述安装槽的内部设置有下胶垫，所述插孔的顶部设置有收纳槽，所述收纳槽的内部滑动连接有滑板，所述滑板的底部固定连接有上胶垫。通过设置插孔、安装槽、下胶垫、收纳槽、滑板、上胶垫、螺杆和旋钮，使引脚与外框架之间为可拆卸连接，当引脚发生折断时，方便将折断的引脚进行拆卸更换，避免引线框架因引脚的折断而无法使用的问题，另外下胶垫与上胶垫的设置可以对插孔进行密封，避免水汽进入。

公开(公告)号：CN113496976B

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202010895058.2

申请日：2020-08-31

申请人： 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

发明人： 岩渊春彦

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L23/49

摘要： 本实施方式的半导体装置具备半导体元件、第一端子、多个第二端子、以及内包部。半导体元件为矩形状。第一端子在上表面接合半导体元件的背面。多个第二端子配置于第一端子的周围。内包部将架设于半导体元件的表面与多个第二端子的上表面之间的导电线、半导体元件、第一端子以及多个第二端子密封，具有包含第一至四边的矩形状的底面、并具有分别与第一至四边相接的第一至四侧面，第一侧面与第三侧面对置，第二侧面与第四侧面对置。多个第二端子配置为在内包部的4角从底面露出，半导体元件的各边与第一至四边对置，第一端子与第一侧面以及第三侧面分离，该第一端子下表面从底面露出，该第一端子一部分从第二侧面以及第四侧面露出。

公开(公告)号：CN108511413B

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN201810469035.8

申请日：2018-05-16

申请人： 珠海格力新元电子有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

发明人： 李鑫

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L23/367 ,  H01L21/48

摘要： 本发明提供了一种散热结构(1)和具有其的功率模块。散热结构(1)，由下至上依次为散热片(11)和焊接层(12)，所述焊接层(12)由锡膏和印刷线网组成，所述印刷线网开设有若干窗口，所述锡膏印刷在所述窗口中。具有该散热结构(1)的功率模块，包括引线框架(2)和所述散热结构(1)，所述引线框架(2)上需散热的部位与所述窗口的位置对应，并通过焊接使所述锡膏熔化，将所述引线框架(2)与所述散热结构(1)连接为一体。本发明还提供了一种制造该功率模块的制造工艺。本发明能改善散热效果，提高生产效率，保持产品整体高度一致，确保产品可靠性，以及降低制造成本。

公开(公告)号：CN118824979A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410453767.3

申请日：2024-04-16

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 横山脩平 ,  柴田祥吾

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L23/367

摘要： 提供在引线框与散热用金属板之间充分地填充有树脂的半导体装置。半导体装置具有：散热器；芯片焊盘，其与散热器分离地设置于散热器的上侧；功率芯片，其设置于芯片焊盘的与散热器相对的面的相反侧的面；以及模塑树脂，其将散热器的一部分、芯片焊盘及功率芯片封装，散热器的与芯片焊盘相对的面在与芯片焊盘重叠且不与功率芯片重叠的区域包含流动促进部，该流动促进部是以远离包含芯片焊盘的平面的方式形成的。

公开(公告)号：CN118800767A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202410399069.X

申请日：2024-04-03

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： J·阿库纳

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L23/492 ,  H01L23/495 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

摘要： 公开了具有不含接合导线的连接件的HEMT封装。一种半导体封装包括：金属基板；第一HEMT(高电子迁移率晶体管)管芯和第二HEMT(高电子迁移率晶体管)管芯，均包括主表面，源极端子、漏极端子和栅极端子设置在主表面上；多个金属封装端子；以及电绝缘材料的包封体，其中，第一HEMT管芯和第二HEMT管芯安装在金属基板上，其中第一HEMT管芯和第二HEMT管芯中的每者的主表面背离金属基板，其中，包封体包封第一HEMT管芯和第二HEMT管芯，其中，金属封装端子中的每个金属封装端子的外端从包封体暴露，并且其中，第一HEMT管芯和第二HEMT管芯的源极端子、漏极端子和栅极端子中的每者经由不含接合导线的连接件电连接到金属封装端子中的至少一个金属封装端子。

公开(公告)号：CN111968956B

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202010781937.2

申请日：2020-08-06

申请人： 四川富美达微电子股份有限公司

发明人： 曾尚文 ,  陈久元 ,  杨利明

IPC分类号： H01L23/495

摘要： 一种整流桥框架，包括重叠使用的下片和上片。下片包括下框体，以及阵列于下框体的下片功能列，下片功能列包括两条下片连接件，以及阵列于各下片连接件的下片功能区，下片功能区包括第一引脚、第二引脚、第三引脚，第一引脚、第一基岛、第二基岛、第三基岛、第四基岛、第五基岛、第六基岛；上片包括上框体，以及阵列于上框体的上片功能列，上片功能列包括两条上片连接件，以及阵列于各上片连接件的上片功能区，上片功能区包括第四引脚、第五引脚、第七基岛、第八基岛、第九基、第十基岛。其应用，可缩小封装后的体积，缩短工时，降低生产成本；预设有功能区，可供封装时用于根据功能需求将恒流或续流等芯片封装于一体，提高集成性，实用性强。