公开(公告)号：CN111819688B

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN201980015661.2

申请日：2019-02-22

申请人： 维迪科研究所

发明人： 弗雷德保德·基尔

IPC分类号： H01L25/16 ,  H02M7/00 ,  H01L23/051 ,  H01L23/473

摘要： 根据本发明的母线组件包括以接合和电接触的方式围绕中心轴线(C)设置的多个母线扇区(S1至S6)，以及垂直于中心轴线的上部和下部封闭板(BPD)，母线扇区各自包括界定多个内部容积的外部母线部分(B11至B16)和至少一个内部母线部分(B21至B26、B31至B36)，上部和下部封闭板分别接触母线部分的上表面和下表面，并且母线部分包括多个所谓的“压装”类型的电接触面。

公开(公告)号：CN117410237A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202311565973.5

申请日：2023-11-22

申请人： 美台高科(上海)微电子有限公司

发明人： 秦志方 ,  杜家旺 ,  薛嘉文

IPC分类号： H01L23/047 ,  H01L23/051

摘要： 本发明涉及二极管技术领域，且公开了一种双向TVS二极管结构，该双向TVS二极管结构，包括二极管本体，所述二极管本体的端部固定安装有连接套，所述二极管本体的端部固定安装有连接芯，所述连接套的内部设置有锁紧连接机构。为了保证外部电路线插入后可以稳定的与二极管保持连接，通过设置有锁紧连接机构，配合接触凸球与螺旋滑槽，以使得传动环会带动传动筒进行转动，配合连接杆，以带动定位筒进行转动，此时配合定位板，以更好的对外部的电路连接线进行定位，使得外部的电路连接线在插入到连接芯中后可以得到定位保护的效果，同时连接套的设置可以为外部的电路连接线与二极管之间的连接部起到防漏电和防触电的保护效果。

公开(公告)号：CN114207817A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202080054574.0

申请日：2020-07-29

申请人： 日立能源瑞士股份公司

发明人： Z·普塔科娃 ,  M·蒂尔瑟

IPC分类号： H01L25/16 ,  H01L25/11 ,  H01L23/58 ,  H01L23/00 ,  H01L23/60 ,  H01L23/62 ,  H01L23/051

摘要： 提供了一种功率半导体器件(10)，包括：盘状第一电极(12a)和盘状第二电极(12b)；晶片(16)，晶片夹在第一电极(12a)和第二电极(12b)之间；附接到第一电极(12a)和第二电极(12b)的外绝缘环(24)，该外绝缘环(24)包围晶片(16)；在外绝缘环(24)的内侧的内绝缘环(42)；环状第一法兰部分(50)，第一法兰部分侧向地包围第一电极(12a)的主体部分(121a)；以及径向地夹在内绝缘环(42)和第一法兰部分(50)之间的O形环(20)，其中，该O形环(20)在松弛状态下具有伸长的横截面形状，诸如沿垂直于径向方向(R)的方向(Z)伸长的椭圆形横截面。

公开(公告)号：CN111919296A

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN201980022355.1

申请日：2019-03-05

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： J·莫兰德 ,  R·佩林 ,  R·姆莱德 ,  J·万楚克 ,  S·莫洛夫

IPC分类号： H01L25/11 ,  H01L25/00 ,  H01L23/00 ,  H01L21/50 ,  H01L23/051 ,  H01L23/24 ,  H01L23/538

摘要： 公开了一种功率模块(1)，该功率模块(1)包括：‑第一基板和第二基板(10)，各个基板包括导电材料构图层(12)；‑定位在基板之间的多个预包装功率单元(20)，各个单元包括：○嵌入有至少一个功率管芯(21)的电绝缘芯(21)，以及○在电绝缘芯(21)的相对侧的两个导电材料外层(23)，所述外层分别连接到基板的各个构图层，其中，预包装功率单元的各个外层包括通过布置在电绝缘芯(21)中的连接来连接到功率管芯的相应触点(220)的接触焊盘(230)，所述接触焊盘的表面积大于与其连接的功率管芯电触点的表面积。

公开(公告)号：CN110892524A

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201880046692.X

申请日：2018-07-03

申请人： ABB电网瑞士股份公司

发明人： T.维克斯特雷姆 ,  R.鲍曼 ,  S.波普洛 ,  B.奥厄德加德

IPC分类号： H01L23/051 ,  H01L23/62 ,  H01L23/492

摘要： 旁路晶闸管装置（20）包括：半导体装置（22），其提供晶闸管（24），晶闸管（24）具有阴极侧（28）上的阴极电极（26）、阴极侧（28）上的被阴极电极（26）环绕的栅电极（30）和阳极侧（32）上的阳极电极（34）；导电盖元件（38），其设置在阴极侧（28）上并且在接触侧（50）上与阴极电极（26）电接触；以及栅极接触元件（46），其电连接到栅电极（30）并且设置在盖元件（38）的接触侧（50）中的栅极接触开口（48）中；其中盖元件（38）在面对阴极侧（28）的接触侧（50）中具有气体膨胀体积（56），该气体膨胀体积（56）与栅极接触开口（48）互连以便进行气体交换。

公开(公告)号：CN110268522A

公开(公告)日：2019-09-20

申请号：CN201880009835.X

申请日：2018-01-31

申请人： ABB瑞士股份有限公司

发明人： 柳春雷 ,  F.杜加尔 ,  M.拉希莫 ,  P.K.施泰默

IPC分类号： H01L23/62 ,  H01L25/07 ,  H01L29/16 ,  H01L23/051 ,  H01L23/535

摘要： 功率半导体装置（10）包括提供Si开关（14）的Si芯片（12）以及提供宽带隙材料开关（18）的宽带隙材料芯片（16），其中Si开关（14）和宽带隙材料开关（18）被并联电连接。用于控制功率半导体装置（10）的方法包括：在正常操作模式期间，通过将对应栅极信号施加到至少宽带隙材料开关（18）来控制至少宽带隙材料开关（18）以用于切换经过功率半导体装置（10）的电流；感测功率半导体装置（10）中的故障；以及在所感测故障的情况下，通过施加栅极信号来控制Si开关（14），使得在Si芯片（12）中生成电流，所述电流将Si芯片（12）加热到形成经过Si芯片（12）的永久导通通路的温度。

公开(公告)号：CN107924882A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201680042658.6

申请日：2016-03-21

申请人： ABB瑞士股份有限公司

发明人： F.莫恩 ,  P.科姆明

IPC分类号： H01L23/051

摘要： 一种半导体装置(10)包括：具有相反面(14)的两个电极(12a，12b);夹在所述两个电极(12a，12b)之间的半导体晶圆(16);附接到所述两个电极(12a，12b)且围绕所述半导体晶圆(16)的外绝缘环(24);在所述外绝缘环(24)内且围绕所述半导体晶圆(16)的中间绝缘环(40)，由此所述中间绝缘环(40)由塑料材料制成;以及在所述中间绝缘环(40)内的内绝缘环(42)，由此所述内绝缘环(42)由陶瓷和/或玻璃材料制成。所述中间绝缘环(40)或所述内绝缘环(42)具有榫舌(56)，且其另一个具有凹槽(58)，使得所述榫舌(56)适合于所述凹槽(58)以用于它们的旋转对准。所述中间绝缘环(40)和所述内绝缘环(42)具有用于接收所述半导体装置(10)的栅极连接(28)的径向开口(54)。

公开(公告)号：CN104521125B

公开(公告)日：2017-11-14

申请号：CN201380041268.3

申请日：2013-07-10

申请人： 日立汽车系统株式会社

发明人： 高木佑辅 ,  松下晃 ,  吉成英人 ,  露野圆丈

IPC分类号： H01L23/051 ,  H01L23/24 ,  H01L23/42 ,  H02M7/00

CPC分类号： H05K5/062 ,  H01L23/051 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/42 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/73 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H02M7/003 ,  H05K7/20409 ,  H05K7/20418 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明的功率半导体组件提高金属制壳体和功率半导体组件的密封力。功率半导体组件(3)利用第一密封树脂(6)将功率半导体元件(31U、31L)和导体板(33～36)的外周侧面覆盖而一体化。金属制壳体(40)的内表面形成有氧化层(粗糙面层)(46)。对设置在金属制壳体(40)的氧化层(46)和功率半导体组件(30)的空间(S)注入具有流动性的树脂材料，形成第二密封树脂(52)。第二密封树脂(52)进入氧化层(46)的凹陷，因此密封力提高。

公开(公告)号：CN103531430B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201310505645.6

申请日：2013-10-24

申请人： 苏州图卡节能科技有限公司

发明人： 魏辉

IPC分类号： H01J45/00 ,  H01L23/04 ,  H01L23/051

摘要： 本发明涉及一种热离子器件，此器件包括一个用于发射热离子的发射极板,一个用于捕获热离子的接收极板,一个用于控制两个极板间隙的控制环,所述控制环与两个极板之间通过绝热绝缘层进行连接，两个极板之间的间隔隙缝通过利用控制环的热膨胀性控制在0.1～100纳米之间，两个极板、绝热绝缘层和控制环之间组成一密闭的真空腔。采用此器件可以大幅度提高热能发电的效率；另外,此器件通电后能够进行制冷，体积大大缩小，制冷效率可以达到或超过传统蒸汽压缩式制冷效率，节约能耗。

公开(公告)号：CN102646667A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201210046920.8

申请日：2012-02-17

申请人： ABB研究有限公司

发明人： 柳春雷 ,  N·舒尔茨 ,  S·基辛

IPC分类号： H01L23/62 ,  H01L23/488 ,  H01L23/051 ,  H01L25/07 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L25/072 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/492 ,  H01L23/62 ,  H01L24/29 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/03505 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/0568 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/32506 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/3718 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/40227 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/84424 ,  H01L2224/84439 ,  H01L2224/84444 ,  H01L2224/84447 ,  H01L2224/8448 ,  H01L2224/8484 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/92246 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/83205

摘要： 本发明名称为功率半导体模块及制造功率半导体模块的方法，涉及功率半导体模块，包括半导体器件(12)，尤其是绝缘栅双极晶体管、反向导电绝缘栅双极晶体管或双模绝缘栅晶体管，具有发射电极和集电极，将导电上层(14)烧结到发射电极，上层(14)至少部分地能够与半导体器件(12)的半导体形成共晶体，且至少部分地具有如下热膨胀系数：与半导体的热膨胀系数相差的范围是≤250％、尤其是≤50％，以及将导电基板(20)烧结到集电极。半导体模块(10)还包括与基板(20)电隔离且经由直接电连接(22)连接到上层(14)的导电区(24)。根据本发明的半导体模块易于制备，具有改进可靠性且呈现短路故障模式能力。