公开(公告)号：CN107078130B

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201580053118.3

申请日：2015-09-16

申请人： 株式会社三社电机制作所

发明人： 高村明男

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L23/04 ,  H01L23/24 ,  H01L23/28 ,  H01L23/48 ,  H01L23/50 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L23/049 ,  H01L23/04 ,  H01L23/041 ,  H01L23/043 ,  H01L23/053 ,  H01L23/08 ,  H01L23/10 ,  H01L23/24 ,  H01L23/28 ,  H01L23/48 ,  H01L23/492 ,  H01L23/50 ,  H01L23/562 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/07 ,  H01L25/072 ,  H01L25/18 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 半导体模块具备：矩形状的底板；基板，在该底板上形成有包含半导体芯片等的电路；长方体形状的树脂制的壳体，被安装于前述底板，在内部收纳有前述基板；以及多个外部端子，使上端在前述壳体的上表面露出，下端被固定于前述基板。设置有沿着长尺寸方向将前述壳体的前表面和背面从上边切下后的第一壳体开口部和第二壳体开口部，在前述第一壳体开口部与第二壳体开口部之间的前述壳体上表面具备沿着长尺寸方向使前述多个外部端子的上端露出来保持的外部端子保持部。从前述第一壳体开口部和第二壳体开口部向前述基板上表面注入密封材料来密封半导体模块。

公开(公告)号：CN109585436A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201811544796.1

申请日：2018-12-17

申请人： 深圳市慧成功率电子有限公司

发明人： 周卫国

IPC分类号： H01L25/18 ,  H01L23/492 ,  H01L23/047

CPC分类号： H01L2224/49111 ,  H01L2224/49113 ,  H01L25/18 ,  H01L23/047 ,  H01L23/492

摘要： 一种穿插分支布局的功率模块，包括：第一功率电极、第二功率电极，第一绝缘基板、输出电极、设置在第一绝缘基板上且与第一功率电极电连接的第一桥臂导电层、设置在第一桥臂导电层上的多个第一桥臂功率芯片组、设置在第一绝缘基板上且与输出电极电连接的第二桥臂导电层、设置在第二桥臂导电层上的多个第二桥臂功率芯片组、多个第一桥臂辅助导电层、多个第二桥臂辅助导电层；多个第一桥臂辅助导电层设于多个第一桥臂功率芯片组之间，各第一桥臂功率芯片与相邻的第一桥臂辅助导电层电连接；多个第二桥臂辅助导电层设于多个第二桥臂功率芯片组之间，各第二桥臂功率芯片与相邻的第二桥臂辅助导电层电连接。与现有技术相比，具有较低的寄生电感。

公开(公告)号：CN108962761A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201810571152.5

申请日：2018-06-05

申请人： 信利半导体有限公司

发明人： 廖亿彬 ,  吴振忠 ,  刘秀霞 ,  何基强

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L23/492 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L21/4846 ,  H01L21/561 ,  H01L23/492

摘要： 本发明公开了一种COF制备方法，包括步骤：（a）提供临时基板；（b）在所述临时基板的上表面贴合柔性薄膜；（c）在所述柔性薄膜上沉积金属层；（d）使用LCD/TFT曝光蚀刻工艺，将所述金属层图案化，形成金属走线层；（e）将芯片键合在所述金属走线层上；（f）将临时基板与柔性薄膜分离，从而去掉所述临时基板，最终获得所需的COF。如此，可以实现提升工艺精度、提高柔性度和弯折能力，适用范围大，成本低等技术效果。

公开(公告)号：CN105103289B

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201480020406.4

申请日：2014-05-12

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 堀尾真史 ,  仲村秀世 ,  仲野逸人 ,  池田良成

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L25/072 ,  H01L23/12 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/64 ,  H01L24/01 ,  H01L24/06 ,  H01L24/32 ,  H01L25/18 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7827 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48139 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

摘要： 提供一种在半导体芯片的栅电极与源电极之间连接电路阻抗降低元件，从而具有电流旁路效果的半导体装置。具备：绝缘基板(3)，具有绝缘板和电路板；半导体芯片(4)，在正面具有栅电极和源电极；印刷基板(5)，具有第一金属层和第二金属层，并且与上述绝缘基板(3)对置；第一导电柱(8)，电连接且机械连接到上述栅电极和第一金属层；第二导电柱(9)，电连接且机械连接到上述源电极和第二金属层；以及电路阻抗降低元件(10)，通过所述第一导电柱(8)和第二导电柱(9)而电连接在所述栅电极与所述源电极之间。

公开(公告)号：CN108269766A

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201711387524.0

申请日：2017-12-20

申请人： 深南电路股份有限公司

发明人： 谷新

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L23/492 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L2224/16225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L23/12 ,  H01L21/4821 ,  H01L23/492

摘要： 本发明公开了一种超薄封装基板结构及其加工制作方法，方法可包括：提供一基础载体，所述基础载体包括中间的载体介质层和两面的复合铜箔层；在复合铜箔层上，制作出包括至少两层线路层的封装基板，并对所述封装基板远离所述复合铜箔层的第二表面进行阻焊和表面涂覆处理，利用高温可剥离胶粘结临时载体；将所述复合铜箔层包括的两层超薄铜箔分离，将所述封装基板上附着的超薄铜箔蚀刻去除，显露出与所述第二表面相对的第一表面。本发明通过将封装基板在加工过程中粘附在一临时载体，从而容易实现封装基板的加工，还有利于封装厂的封装，可解决现有技术中超薄封装基板的加工及封装难题。

公开(公告)号：CN105280578B

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201410443444.2

申请日：2014-09-03

申请人： 力智电子股份有限公司

发明人： 温兆均 ,  李兴武

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/492 ,  H01L23/585 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L2021/6027 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05014 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/06155 ,  H01L2224/08113 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/14155 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32104 ,  H01L2224/32221 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014

摘要： 本发明公开一种可携式装置及其集成电路的封装结构、封装体与封装方法。封装结构包括集成电路的封装体与载板。封装体包括晶粒与冶金层。晶粒具有接触部、切割边界保留部与密封环。密封环位于接触部与切割边界保留部之间。冶金层设置于接触部上且冶金层至少部分设置于密封环之上。冶金层包括涂布有锡膏的可焊层。载板包括焊垫。焊垫耦接涂布有锡膏的可焊层。

公开(公告)号：CN107731773A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201611010456.1

申请日：2016-11-17

申请人： 艾马克科技公司

发明人： 格兰·瑞讷 ,  丹尼尔·李徹特

IPC分类号： H01L23/492 ,  H01L23/498

CPC分类号： H01L24/14 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/06177 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13015 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/14051 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/14133 ,  H01L2224/14135 ,  H01L2224/14141 ,  H01L2224/14151 ,  H01L2224/14153 ,  H01L2224/14154 ,  H01L2224/14177 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/10156 ,  H01L2924/15311 ,  H01L21/78 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L23/492

摘要： 一种用于半导体装置的衬底。所提供为用于优化芯片/衬底上的半导体装置的数目的揭示。所述优化包括有效率地布置、切割和包装所述装置。

公开(公告)号：CN107408565A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201680011685.7

申请日：2016-02-18

申请人： 索尼公司

发明人： 安藤幸弘

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H04N5/369

CPC分类号： H01L27/14601 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/32 ,  H01L23/492 ,  H01L23/522 ,  H01L27/146 ,  H04N5/369

摘要： 本发明涉及能够减少晶体管特性的变化和劣化的半导体装置和电子设备。在第一基板的接合面处形成与第一布线连接的第一连接垫和大于第一连接垫的第一浮动金属，而在第二基板的接合面处形成与第二布线连接的第二连接垫和大于第二连接垫的第二浮动金属。第一连接垫和第二浮动金属彼此连接，第二浮动金属和第一浮动金属彼此连接，并且第一浮动金属和第二连接垫彼此连接，由此形成在第一基板和第二基板处的第一浮动金属和第二浮动金属彼此接合。例如，本发明适用于用于诸如相机等成像设备的CMOS固态成像装置。

公开(公告)号：CN105144370B

公开(公告)日：2017-11-14

申请号：CN201480023631.3

申请日：2014-09-25

申请人： 京瓷株式会社

发明人： 辻野真广 ,  作本大辅

IPC分类号： H01L23/02 ,  H01L23/04

CPC分类号： H01L23/047 ,  H01G2/10 ,  H01G4/224 ,  H01L23/057 ,  H01L23/492 ,  H01L33/48 ,  H01L33/483 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/02208 ,  H01S5/02216 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/02284 ,  H01L2924/00

摘要： 电子部件收纳用封装件(10)具有借助焊料而与框体(2)的孔部(20)接合的输入输出构件(3)。该输入输出构件(3)具有第一侧壁部(21)的内侧的、与第一侧壁部(21)以及第二侧壁部(22)接合的上表面(3a)，上表面在与第一侧壁部接合的部分具备宽度窄的缩颈部(30a)。在接合输入输出构件(3)时，能够通过缩颈部(30a)控制上表面(3a)上的焊料的流动。

公开(公告)号：CN104425473B

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201410450460.4

申请日：2014-09-05

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： G.比尔 ,  I.埃舍尔-珀佩尔 ,  J.赫格尔 ,  O.霍尔费尔德 ,  P.坎沙特

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L25/072 ,  H01L21/561 ,  H01L21/566 ,  H01L21/568 ,  H01L23/051 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/48 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/562 ,  H01L24/24 ,  H01L24/33 ,  H01L24/72 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/96 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/20643 ,  H01L2924/20644 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及半导体装置及制造和运行方法和制造多个芯片组件的方法。该半导体装置包括上和下接触板、多个芯片组件、介电填料以及控制电极互连结构。每个芯片组件具有拥有半导体本体的半导体芯片，半导体本体具有上侧和对置的在垂直方向上隔开的下侧。每个半导体芯片具有在上和下侧上的上和下主电极、在上侧上的控制电极和导电上补偿小板，通过填料将芯片组件以材料决定的方式彼此连接成固定复合体。每个芯片组件的上补偿小板的背离半导体本体的侧并不或至少不完全被填料覆盖。控制电极互连结构布置在复合体上并且将芯片组件的控制电极彼此导电连接。每个芯片组件布置在上与下接触板之间，使得上补偿小板的背离半导体本体的侧电接触上接触板。