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公开(公告)号：CN107210240B
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201680007974.X
申请日：2016-02-01
申请人： 伊文萨思公司
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/81 , H01L21/768 , H01L23/49838 , H01L23/528 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/10126 , H01L2224/1182 , H01L2224/13023 , H01L2224/13105 , H01L2224/13109 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13184 , H01L2224/13562 , H01L2224/1357 , H01L2224/1379 , H01L2224/13809 , H01L2224/13811 , H01L2224/13847 , H01L2224/13855 , H01L2224/1601 , H01L2224/16014 , H01L2224/16058 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/16503 , H01L2224/16505 , H01L2224/16507 , H01L2224/81007 , H01L2224/81048 , H01L2224/81143 , H01L2224/81193 , H01L2224/8181 , H01L2224/8182 , H01L2224/81862 , H01L2224/81895 , H01L2224/81903 , H01L2224/81905 , H01L2224/94 , H01L2924/01029 , H01L2924/01051 , H01L2924/01327 , H01L2924/364 , H01L2224/11 , H01L2224/81 , H01L2924/00014 , H01L2924/2064
摘要： 本发明提供了一种大体上涉及微电子器件的设备。在此类设备中，第一基板具有第一表面，其中第一互连件位于所述第一表面上，第二基板具有与所述第一表面间隔开的第二表面，所述第一表面与所述第二表面之间具有间隙。第二互连件位于所述第二表面上。所述第一互连件的下表面和所述第二互连件的上表面彼此耦接以用于所述第一基板和所述第二基板之间的导电性。导电衬圈围绕第一互连件和第二互连件的侧壁，并且介电层围绕所述导电衬圈。
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公开(公告)号：CN106457383B
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201580026546.7
申请日：2015-04-10
申请人： 阿尔法装配解决方案公司
CPC分类号： H01L24/29 , B22F1/0003 , B22F1/0014 , B22F1/0074 , B22F1/025 , B22F7/04 , B22F2007/047 , B22F2301/255 , B22F2302/45 , B23K1/0016 , B23K35/025 , B23K35/3006 , B23K35/3601 , B23K35/3613 , B23K35/3618 , B23K35/365 , B23K2101/40 , B23K2103/56 , H01B1/22 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/50 , H01L51/5246 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05155 , H01L2224/05644 , H01L2224/11003 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/131 , H01L2224/13339 , H01L2224/13347 , H01L2224/13355 , H01L2224/13387 , H01L2224/1339 , H01L2224/13439 , H01L2224/1349 , H01L2224/13499 , H01L2224/16227 , H01L2224/27003 , H01L2224/271 , H01L2224/27332 , H01L2224/27436 , H01L2224/27505 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/29387 , H01L2224/2939 , H01L2224/29439 , H01L2224/2949 , H01L2224/29499 , H01L2224/32145 , H01L2224/32146 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/81075 , H01L2224/81192 , H01L2224/81203 , H01L2224/8121 , H01L2224/8184 , H01L2224/81948 , H01L2224/83075 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83203 , H01L2224/8321 , H01L2224/83439 , H01L2224/83447 , H01L2224/8384 , H01L2224/83948 , H01L2224/92247 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/0665 , H01L2924/12041 , H01L2924/12044 , H01L2924/1461 , H01L2924/20102 , H01L2924/20103 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/206 , H01L2924/2064 , H05K3/321 , H01L2924/00012 , H01L2224/83 , H01L2924/0105 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/01028 , H01L2924/0103 , H01L2924/0493 , H01L2924/01004 , H01L2224/27 , H01L2924/01074 , H01L2224/81 , H01L2224/11436 , H01L2224/11 , H01L2224/45099 , H01L2924/00
摘要： 一种烧结粉末，其包含：具有从100nm至50μm的平均最长尺寸的第一类型的金属颗粒。
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公开(公告)号：CN104701288B
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201410734193.3
申请日：2014-12-04
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/17 , H01L21/56 , H01L23/3114 , H01L23/3142 , H01L23/3171 , H01L24/11 , H01L24/81 , H01L2224/03462 , H01L2224/05008 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05568 , H01L2224/05569 , H01L2224/05573 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/11334 , H01L2224/1181 , H01L2224/11849 , H01L2224/1191 , H01L2224/13005 , H01L2224/13111 , H01L2224/16057 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81815 , H01L2224/83104 , H01L2224/83365 , H01L2224/92125 , H01L2224/94 , H01L2924/181 , H01L2924/1811 , H01L2924/2064 , H01L2924/381 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/207 , H01L2224/11 , H01L2224/81 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029
摘要： 本发明提供了一种使用改进的焊料接合结构的半导体器件封装件及其形成方法。该封装件包括具有比顶部更薄的底部的焊料接合件。底部由模塑料围绕而顶部未由模塑料围绕。该方法包括使用离型膜在中间焊料接合件周围沉积并且形成液态模塑料，和然后蚀刻模塑料以降低高度。生成的焊料接合件在模塑料和焊料接合件的界面不具有腰部。与形成时的模塑料相比，模塑料在蚀刻之后具有大于约3微米的较大的粗糙度。本发明涉及用于晶圆级封装件中的球栅阵列的焊料接合结构。
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公开(公告)号：CN104425473B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201410450460.4
申请日：2014-09-05
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
CPC分类号： H01L25/072 , H01L21/561 , H01L21/566 , H01L21/568 , H01L23/051 , H01L23/3107 , H01L23/48 , H01L23/492 , H01L23/49562 , H01L23/562 , H01L24/24 , H01L24/33 , H01L24/72 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L24/96 , H01L25/50 , H01L2224/03002 , H01L2224/06181 , H01L2224/24137 , H01L2224/24195 , H01L2224/29011 , H01L2224/32245 , H01L2224/82039 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2224/8385 , H01L2224/96 , H01L2924/12042 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/2064 , H01L2924/20643 , H01L2924/20644 , H01L2224/03 , H01L2224/82 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及半导体装置及制造和运行方法和制造多个芯片组件的方法。该半导体装置包括上和下接触板、多个芯片组件、介电填料以及控制电极互连结构。每个芯片组件具有拥有半导体本体的半导体芯片，半导体本体具有上侧和对置的在垂直方向上隔开的下侧。每个半导体芯片具有在上和下侧上的上和下主电极、在上侧上的控制电极和导电上补偿小板，通过填料将芯片组件以材料决定的方式彼此连接成固定复合体。每个芯片组件的上补偿小板的背离半导体本体的侧并不或至少不完全被填料覆盖。控制电极互连结构布置在复合体上并且将芯片组件的控制电极彼此导电连接。每个芯片组件布置在上与下接触板之间，使得上补偿小板的背离半导体本体的侧电接触上接触板。
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公开(公告)号：CN105390455A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510511079.9
申请日：2015-08-19
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/485 , H01L21/56
CPC分类号： H01L25/0655 , H01L21/31051 , H01L21/31053 , H01L21/4846 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/566 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L21/76877 , H01L21/76885 , H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L23/3192 , H01L23/481 , H01L23/49816 , H01L23/528 , H01L23/5384 , H01L23/5389 , H01L24/06 , H01L24/14 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L25/50 , H01L2221/68372 , H01L2224/02371 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05569 , H01L2224/05572 , H01L2224/12105 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2924/01029 , H01L2924/1811 , H01L2924/1815 , H01L2924/18162 , H01L2924/2064 , H01L2924/014
摘要： 一种器件封装件包括：多个管芯；模塑料，沿着多个管芯的侧壁延伸；和聚合物层，位于模塑料上方并且接触模塑料。模塑料包括非平坦的顶面，并且聚合物层的顶面的总厚度变化(TTV)小于模塑料的非平坦的顶面的TTV。该器件封装件还包括位于聚合物层上的导电部件，其中，导电部件电连接至多个管芯中的至少一个。本发明实施例涉及用于晶圆级封装件的互连结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN102956468B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201210304404.0
申请日：2012-08-24
申请人： 英特尔移动通信有限责任公司
CPC分类号： H01L21/561 , H01L21/02013 , H01L21/02016 , H01L21/304 , H01L21/311 , H01L21/56 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L21/78 , H01L23/3107 , H01L23/3121 , H01L23/3135 , H01L23/3157 , H01L23/3185 , H01L24/02 , H01L24/13 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/96 , H01L2221/68327 , H01L2223/6677 , H01L2224/0231 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/05548 , H01L2224/12105 , H01L2224/13022 , H01L2224/73267 , H01L2924/01029 , H01L2924/12042 , H01L2924/1461 , H01L2924/18162 , H01L2924/2064 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开了半导体器件以及包括研磨步骤的制造半导体器件的方法。一种制造器件的方法包括提供具有第一面和与第一面相对的第二面的半导体芯片，其中接触垫被布置在第一面上。所述半导体芯片被放置在载体上，其中第一面面对载体。利用封装材料封装所述半导体芯片。所述载体被移除，并且从第一半导体芯片的第二面移除半导体材料而同时不移除封装材料。
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公开(公告)号：CN104835746A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201510071017.0
申请日：2015-02-10
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/56 , H01L21/60 , H01L23/498 , H01L23/31
CPC分类号： H01L24/83 , H01L21/4832 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/78 , H01L23/49513 , H01L23/49541 , H01L23/49562 , H01L23/562 , H01L24/05 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/24 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/82 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L2224/04026 , H01L2224/04105 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05639 , H01L2224/06181 , H01L2224/24246 , H01L2224/27831 , H01L2224/291 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29147 , H01L2224/2918 , H01L2224/2926 , H01L2224/29393 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/82031 , H01L2224/82039 , H01L2224/83005 , H01L2224/83192 , H01L2224/83203 , H01L2224/83447 , H01L2224/83455 , H01L2224/83801 , H01L2224/8382 , H01L2224/83825 , H01L2224/8384 , H01L2224/8385 , H01L2224/83931 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2924/01013 , H01L2924/12042 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/2064 , H01L2924/20641 , H01L2924/20642 , H01L2924/20644 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2224/82 , H01L2224/83 , H01L2224/19 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/01079 , H01L2924/01029 , H01L2924/0105 , H01L2924/01047 , H01L2924/01006 , H01L2924/01023
摘要： 具有被结合到金属箔的半导体管芯的半导体模块。一种制造半导体模块的方法包括提供包括被附着于金属层的金属箔的金属复合材料衬底，该金属箔比金属层更薄且包括与之不同的材料，在将金属箔结构化之前将多个半导体管芯的第一表面附着于金属箔，并将被附着于金属箔的半导体管芯装入电绝缘材料中。在用电绝缘材料包住半导体管芯之后将金属层和金属箔结构化，使得电绝缘材料的表面区没有金属箔和金属层。沿着没有金属箔和金属层的表面区划分电绝缘材料以形成单个模块。
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公开(公告)号：CN104766850A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201410437081.1
申请日：2014-08-29
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L23/49838 , H01L22/14 , H01L23/481 , H01L23/49811 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49894 , H01L24/02 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/11614 , H01L2224/11622 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/13294 , H01L2224/133 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/16238 , H01L2224/1712 , H01L2224/17132 , H01L2224/81424 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/81466 , H01L2224/81815 , H01L2924/01057 , H01L2924/01072 , H01L2924/05042 , H01L2924/0533 , H01L2924/0534 , H01L2924/05342 , H01L2924/05432 , H01L2924/05442 , H01L2924/05994 , H01L2924/14 , H01L2924/1531 , H01L2924/15787 , H01L2924/2064 , H01L2924/20641 , H05K1/0268 , H05K1/113 , H05K3/4007 , H05K3/4682 , H05K2201/0367 , H05K2201/096 , H05K2201/0989 , H05K2201/10674 , H05K2203/0353 , H01L2924/014 , H01L2924/00014
摘要： 本发明提供了一种管芯和一种衬底。该管芯包括至少一个集成电路芯片，且该衬底包括至少部分延伸穿过该衬底的导电柱的第一子集和第二子集。导电柱的第一子集的每个都包括突出于衬底的表面的凸块焊盘，且导电柱的第二子集的每个都部分形成凹进衬底的表面中的迹线。通过多个导电凸块将管芯连接到衬底，多个导电凸块的每个都延伸到凸块焊盘的一个焊盘和管芯之间。
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公开(公告)号：CN104603921A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201280075614.5
申请日：2012-09-04
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/05 , H01L23/498 , H01L24/01 , H01L24/03 , H01L24/08 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/034 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05083 , H01L2224/05124 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/0603 , H01L2224/16113 , H01L2224/16245 , H01L2224/29101 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73251 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/07025 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/2064 , H01L2924/20641 , H01L2924/20642 , H01L2924/20643 , H01L2924/20644 , H01L2924/20645 , H01L2924/20646 , H01L2924/20647 , H01L2924/20648 , H01L2924/20649 , H01L2924/2065 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2924/01201 , H01L2924/01014
摘要： 本申请的发明所涉及的半导体装置，其特征在于，具有：半导体元件；表面电极，其形成在该半导体元件的表面；金属膜，其形成在该表面电极上，具有接合部、以及以与该接合部接触并且包围该接合部的方式形成的应力缓和部；焊料，其避开该应力缓和部而与该接合部接合；以及外部电极，其经由该焊料而与该接合部接合。
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公开(公告)号：CN104285287A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201380023826.3
申请日：2013-05-07
申请人： 贺利氏材料工艺有限责任两合公司
CPC分类号： H01L24/48 , B21C1/003 , B21C9/00 , B32B15/01 , H01B1/023 , H01B1/026 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L24/85 , H01L25/072 , H01L25/165 , H01L2224/43 , H01L2224/4321 , H01L2224/4382 , H01L2224/43848 , H01L2224/45014 , H01L2224/45015 , H01L2224/45033 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45572 , H01L2224/45624 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/45669 , H01L2224/4569 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/4847 , H01L2224/85051 , H01L2224/85205 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/00015 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01047 , H01L2924/01322 , H01L2924/1203 , H01L2924/12041 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/14 , H01L2924/16151 , H01L2924/20303 , H01L2924/20304 , H01L2924/20305 , H01L2924/2064 , H01L2924/20641 , H01L2924/20642 , H01L2924/20643 , H01L2924/207 , H01L2924/2075 , Y10T29/49117 , Y10T428/1275 , H01L2924/01028 , H01L2924/01014 , H01L2924/01012 , H01L2924/01008 , H01L2924/01205 , H01L2924/01204 , H01L2924/01203 , H01L2924/01201 , H01L2924/01206 , H01L2924/00 , H01L2924/013 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2224/05599 , H01L2924/00013 , H01L2924/01049
摘要： 本发明涉及一种条带，优选地用于微电子学中的结合的结合条带，包括包含具有表面的铜的第一层（2）和被叠加在第一层（2）的表面上的至少一个涂层（3）以及中间层（7），其中，该涂层（3）包括铝，其中，在条带的截面图中，基于条带的截面的总面积，第一层（2）的面积份额在从50至96%范围内，其中，截面图中的条带的宽度和高度之间的纵横比在从0.03至小于0.8范围内，其中，所述条带具有在从25000μm2至800000μm2范围内的截面面积，其中，所述中间层（7）被布置在第一层（2）与涂层（7）之间。其中，所述中间层（7）包括至少一个金属间相，其包括第一层（2）的材料和涂层（3）的材料。本发明还涉及一种用于制作导线的工艺、由所述工艺可获得的导线、包括至少两个元件和至少上述导线的电设备、包括所述电设备的推进设备和由楔结合通过上述导线来连接两个元件的工艺。
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