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公开(公告)号:CN105074914B
公开(公告)日:2018-06-01
申请号:CN201480019865.0
申请日:2014-01-31
申请人: 伊文萨思公司
IPC分类号: H01L23/498 , H01L21/48
CPC分类号: H01L21/4853 , H01L21/565 , H01L23/3128 , H01L23/49811 , H01L24/73 , H01L25/105 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45624 , H01L2224/45655 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06558 , H01L2225/06562 , H01L2225/06565 , H01L2225/06568 , H01L2225/1023 , H01L2225/1052 , H01L2225/1058 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/19107 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45664 , H01L2924/00014
摘要: 此处公开了微电子部件和形成这种微电子部件的方法。该微电子部件可以包括从基底12的键合表面30(诸如,在基底12的表面处的导电元件的表面)延伸的接线键合32形式的多个导电过孔。
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公开(公告)号:CN104011858B
公开(公告)日:2017-10-10
申请号:CN201280062529.5
申请日:2012-10-16
申请人: 英闻萨斯有限公司
IPC分类号: H01L25/10 , H01L23/31 , H01L23/495 , H01L23/498 , H01L21/48
CPC分类号: H01L24/85 , H01L21/4853 , H01L21/56 , H01L21/565 , H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L23/3677 , H01L23/4334 , H01L23/49517 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L24/06 , H01L24/16 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/78 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/05599 , H01L2224/131 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/4554 , H01L2224/45565 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/4824 , H01L2224/48245 , H01L2224/48247 , H01L2224/48997 , H01L2224/49171 , H01L2224/73204 , H01L2224/73207 , H01L2224/73253 , H01L2224/73257 , H01L2224/73265 , H01L2224/78301 , H01L2224/851 , H01L2224/8518 , H01L2224/85399 , H01L2224/85951 , H01L2224/85986 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06558 , H01L2225/06562 , H01L2225/06565 , H01L2225/06568 , H01L2225/1023 , H01L2225/1029 , H01L2225/1052 , H01L2225/1058 , H01L2225/1088 , H01L2225/1094 , H01L2924/00011 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/12042 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/1715 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/19107 , H01L2924/3511 , H05K3/3436 , H05K2201/10515 , H05K2201/1053 , Y10T29/49149 , Y10T29/49151 , H01L2224/45664 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/20759 , H01L2924/2076
摘要: 一种微电子封装(10)可以包括具有键合至衬底(12)上的各个导电元件(28)的基(34)和相对于基(34)的端部(36)的线键合(32)。介质封装层(42)从衬底(12)延伸且覆盖线键合(32)的部分,以使线键合(32)的被覆盖部分通过封装层(42)相互分离,其中线键合(32)的未封装部分(39)由线键合(32)的未被封装层(42)覆盖的部分限定。未封装部分(39)设置成具有最小间距的图案,该最小间距大于相邻的线键合(32)的基(34)之间的第一最小间距。
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公开(公告)号:CN107109532A
公开(公告)日:2017-08-29
申请号:CN201580062949.7
申请日:2015-11-26
申请人: 贺利氏材料新加坡私人有限公司
CPC分类号: C22C9/00 , B32B15/01 , B32B15/018 , C22C1/02 , C22C1/03 , C22C9/06 , C22F1/08 , C23C18/1651 , C23C18/1653 , C23C28/023 , C23C28/042 , C25D5/10 , C25D7/0607 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L2224/43848 , H01L2224/45014 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45572 , H01L2224/45639 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/45669 , H01L2924/00014 , H01L2224/45015 , H01L2924/2075 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/206 , H01L2924/01028 , H01L2924/01047 , H01L2924/01201 , H01L2924/01202 , H01L2924/01203
摘要: 一种包括芯的线,所述芯包括以下各项或由以下各项组成:(a)镍,其量处于从0.005wt.‑%到5wt.‑%的范围中,(b)任选地,银,其量处于从0.005wt.‑%到1wt.‑%的范围中,c)铜,其量处于从94wt.‑%到99.98wt.‑%的范围中,及(d)0wt.‑ppm到100wt.‑ppm的其它组分,其中以wt.‑%及wt.‑ppm计的所有量均基于所述芯的总重量,其中所述芯具有处于从1.5μm到30μm的范围中的平均晶粒大小,所述平均大小是根据线截取方法而确定,其中所述线具有处于从8μm到80μm的范围中的平均直径。
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公开(公告)号:CN104103616B
公开(公告)日:2017-03-29
申请号:CN201410108153.8
申请日:2014-03-21
申请人: 田中电子工业株式会社
CPC分类号: H01L24/45 , H01L24/05 , H01L24/43 , H01L24/48 , H01L2223/6611 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05664 , H01L2224/05669 , H01L2224/43 , H01L2224/43848 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45565 , H01L2224/45639 , H01L2224/48511 , H01L2224/48624 , H01L2224/48644 , H01L2224/48664 , H01L2224/48669 , H01L2924/00011 , Y10T428/2958 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01204 , H01L2924/01045 , H01L2924/01077 , H01L2924/01044 , H01L2924/01029 , H01L2924/01028 , H01L2924/01026 , H01L2924/01012 , H01L2924/0103 , H01L2924/01013 , H01L2924/01049 , H01L2924/01014 , H01L2924/01032 , H01L2924/01004 , H01L2924/01083 , H01L2924/01034 , H01L2924/01058 , H01L2924/01039 , H01L2924/01057 , H01L2924/0102 , H01L2924/01063 , H01L2924/01203 , H01L2924/00 , H01L2924/013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01025 , H01L2924/00013 , H01L2924/01079 , H01L2924/0105 , H01L2924/01022 , H01L2924/01052 , H01L2224/45644 , H01L2924/00015 , H01L2224/45664 , H01L2224/45669 , H01L2924/01048
摘要: 本发明的目的在于提供一种Ag-Pd-Pt三元合金或Ag-Pd-Pt三元系合金的高速信号线用接合线,即使在该接合线的表面形成不稳定的硫化银层时,仍无坚固的硫化银(Ag2S)膜,并可传送稳定的数千兆赫频带等的超高频信号。该高速信号线用接合线是由0.8~2.5质量%的钯(Pd)、0.1~0.7质量%的铂(Pt)、及剩余部分为纯度99.99质量%以上的银(Ag)所构成的三元合金、或于该三元合金中添加微量元素所构成的三元系合金,该接合线的剖面是由表皮膜与芯材构成,该银合金的表皮膜中存在具有高浓度银(Ag)的表面偏析层。
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公开(公告)号:CN104183503B
公开(公告)日:2017-03-01
申请号:CN201310203920.9
申请日:2013-05-28
申请人: 吕传盛 , 洪飞义 , 骏码科技(香港)有限公司
CPC分类号: H01L2224/45139 , H01L2224/45565 , H01L2224/45664 , H01L2924/01079 , H01L2924/00015
摘要: 本发明有关于一种无镀层钯网合金线及其制造方法。该制造方法是于一银基线表面镀上5nm-120nm的钯层后,加热至600-800℃的温度,持续该温度不超过4小时,使表层钯完全热扩散至银基线晶界网格表面,由此形成含钯的晶界带。该无镀层钯网合金线是由上述方法制备得到的,也就是由银基底与含钯网格晶界带所组成。与公知的银系接合线相较下,本发明的无镀层钯网合金线具有较佳的球部硬度、颈部强度以及熔断电流密度,更具有极佳耐候性。本发明的无镀层钯网合金线无须保护气体可直接应用在LED工艺中,不仅兼顾低阻抗且可避免公知接合线于实施使用时因凝固偏析所造成的歪球,颈部强度低,甚至保存时间短等应用问题。
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公开(公告)号:CN102890976B
公开(公告)日:2016-09-07
申请号:CN201210252581.9
申请日:2012-07-20
申请人: 日立金属株式会社
CPC分类号: H01B1/026 , H01L24/05 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L24/46 , H01L24/48 , H01L2224/05624 , H01L2224/4321 , H01L2224/43848 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/48824 , H01L2924/00011 , H01L2924/00015 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/10253 , Y10T428/12431 , H01L2224/45664 , H01L2224/45618 , H01L2224/45655 , H01L2224/45644 , H01L2224/45669 , H01L2224/45639 , H01L2924/01022 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01025 , H01L2924/01024 , H01L2924/00014 , H01L2924/01204 , H01L2924/01205 , H01L2924/20755 , H01L2224/45124 , H01L2924/013 , H01L2924/00 , H01L2924/2011 , H01L2924/01006 , H01L2924/01004 , H01L2924/01033 , H01L2924/01008 , H01L2924/01016
摘要: 本发明的目的是提供具有高导电性,并且即使为软质材也具有高抗拉强度、伸长,并且硬度小的软质低浓度铜合金线、软质低浓度铜合金板以及软质低浓度铜合金捻线。作为解决本发明课题的方法涉及软质低浓度铜合金线、软质低浓度铜合金板以及软质低浓度铜合金捻线中的任一种,其特征在于,从软质低浓度铜合金线或板的表面向内部直至至少线径或板厚的20%的深度为止的平均晶粒尺寸为20μm以下,所述软质低浓度铜合金线或板由包含选自由Ti、Mg、Zr、Nb、Ca、V、Ni、Mn和Cr所组成的组中的添加元素且其余部分为铜的软质低浓度铜合金材料构成。
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公开(公告)号:CN105914195A
公开(公告)日:2016-08-31
申请号:CN201610024309.3
申请日:2016-01-14
申请人: 田中电子工业株式会社
IPC分类号: H01L23/49
CPC分类号: H01L2224/05624 , H01L2224/43 , H01L2224/4312 , H01L2224/4321 , H01L2224/43848 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45572 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/45669 , H01L2224/48 , H01L2224/48463 , H01L2224/48507 , H01L2224/78601 , H01L2224/85045 , H01L2224/85439 , H01L2924/00011 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/01015 , H01L2924/01205 , H01L2924/01204 , H01L2924/00014 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/1204 , H01L2924/00015 , H01L2924/013 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01033 , H01L23/49
摘要: 本发明是为了解决量产的焊丝在通过FAB形成熔球方面不稳定的问题而进行的,其目的在于提供一种丝的解卷性良好,并且可以形成稳定熔球的用于球焊的包覆钯的铜丝。一种用于球焊的包覆钯的铜丝,其特征在于,线径为10~25μm,在由铜或铜合金所形成的芯材上形成有钯包覆层,在该钯包覆层中存在有钯单独的纯净层,并且在该钯包覆层上形成有来自该芯材的铜的渗出层,该铜的渗出层的表面被氧化。此外,提供一种用于球焊的包覆钯的铜丝,其特征在于,线径为10~25μm,在由铜或铜合金所形成的芯材上包覆有钯包覆层和金表皮层,在该金表皮层上形成有铜的渗出层,该铜的渗出层的表面被氧化,并且在钯包覆层中存在有钯单独的纯净层。
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公开(公告)号:CN105849900A
公开(公告)日:2016-08-10
申请号:CN201480070939.3
申请日:2014-12-23
申请人: 密克罗奇普技术公司
发明人: J·D·费尔南德斯 , 埃克高柴·根加南塔诺 , G·佩尔扎诺斯基 , T·顺托内维帕塔 , O·马布塔斯
IPC分类号: H01L23/495
CPC分类号: H01L23/49582 , H01L21/4821 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/6836 , H01L23/3107 , H01L23/3121 , H01L23/49503 , H01L23/49541 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L2221/68327 , H01L2223/54486 , H01L2224/2919 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45664 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48177 , H01L2224/48247 , H01L2224/48639 , H01L2224/48839 , H01L2224/49 , H01L2224/73265 , H01L2224/85439 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/01047 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/35121 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要: 本发明揭示一种用于制造集成电路装置的方法。提供引线框,其具有经配置以接纳集成电路裸片的裸片支撑区域及与所述裸片支撑区域相邻的多个引线框指状件,每一引线框指状件包含所述引线框指状件的一端处的指状件尖端区域。所述引线框经遮蔽使得所述引线框的一或多个区域被覆盖且所述引线框的一或多个区域暴露,其中针对每一引线框指状件,所述相应指状件尖端区域的第一区由所述遮蔽覆盖且所述相应指状件尖端区域的第二区暴露。将所述引线框的所述一或多个暴露区域镀银,使得针对每一引线框指状件,所述相应指状件尖端区域的所述第二区镀银且所述相应指状件尖端区域的所述第一区不镀银。
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公开(公告)号:CN105745356A
公开(公告)日:2016-07-06
申请号:CN201380081083.5
申请日:2013-11-21
申请人: 贺利氏德国有限两合公司
CPC分类号: B23K35/40 , B23K20/007 , B23K20/10 , B23K35/0261 , B23K35/0272 , B23K35/30 , B23K35/3006 , B23K35/302 , B23K35/322 , B23K35/404 , B23K2101/42 , C22F1/08 , C23C14/14 , C23C18/08 , C23C28/00 , C23C30/00 , C23F17/00 , C25D5/34 , C25D7/0607 , H01B1/026 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/745 , H01L24/85 , H01L2224/05124 , H01L2224/05624 , H01L2224/4321 , H01L2224/43823 , H01L2224/43825 , H01L2224/43826 , H01L2224/43848 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45639 , H01L2224/45644 , H01L2224/45647 , H01L2224/45663 , H01L2224/45664 , H01L2224/45669 , H01L2224/45673 , H01L2224/45676 , H01L2224/45678 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48472 , H01L2224/48824 , H01L2224/85181 , H01L2224/85205 , H01L2224/85444 , H01L2924/00011 , H01L2924/01076 , H01L2924/12044 , H01L2924/181 , H05K1/09 , H05K2201/10287 , H05K2203/049 , Y10T428/12875 , Y10T428/12889 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/01046 , H01L2924/2075 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/01014 , H01L2924/013 , H01L2924/20303 , H01L2924/20304 , H01L2924/20305 , H01L2924/00012 , H01L2924/01006 , H01L2924/01001 , H01L2924/01008 , H01L2924/01007 , H01L2924/01204 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/00013 , H01L2924/01049 , H01L2924/01005 , H01L2924/01015 , H01L2924/01033
摘要: 本发明涉及接合线,其包含具有表面(15)的芯(2)和涂层(3),其中芯(2)包含选自铜和银的芯主要组分,涂层(3)至少部分叠加在芯(2)的表面(15)上,其中涂层(3)包含选自钯、铂、金、铑、钌、锇和铱的涂层组分,其中通过使液体的膜沉积在线芯前体上从而将涂层施加在芯的表面上,其中所述液体包含涂层组分前体,并且其中加热所沉积的膜以使涂层组分前体分解成金属相。
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公开(公告)号:CN105679730A
公开(公告)日:2016-06-15
申请号:CN201510884600.3
申请日:2015-12-03
申请人: 瑞萨电子株式会社
IPC分类号: H01L23/485 , H01L21/60
CPC分类号: H01L24/08 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/85 , H01L2224/023 , H01L2224/02317 , H01L2224/024 , H01L2224/033 , H01L2224/05166 , H01L2224/05554 , H01L2224/05644 , H01L2224/05664 , H01L2224/05669 , H01L2224/05673 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/4554 , H01L2224/45565 , H01L2224/45664 , H01L2224/4807 , H01L2224/48095 , H01L2224/48247 , H01L2224/48463 , H01L2224/48465 , H01L2224/49431 , H01L2224/85345 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/20753 , H01L2224/45157 , H01L2924/00 , H01L2224/0231 , H01L2224/02331
摘要: 提供一种提高半导体器件的集成度的半导体器件及其制造方法。半导体器件(1A)包括:形成于半导体衬底(1P)上的多个Al布线层(5、7、9);形成于多个Al布线层的最上层的焊盘电极(9a);在焊盘电极上具有焊盘开口(10a)的基底绝缘膜(10);再布线,其与焊盘电极电连接,并在基底绝缘膜上延伸。而且,半导体器件包括:保护膜(12),其覆盖再布线(RM)的上表面,并具有使再布线的上表面的一部分露出的外部焊盘开口(12a);外部焊盘电极(13),其在外部焊盘开口处与再布线电连接,并在保护膜上延伸;以及与外部焊盘电极连接的导线(27)。并且,外部焊盘电极的一部分位于再布线的外侧区域。
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