形成互连结构的方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103560107A

    公开(公告)日:2014-02-05

    申请号:CN201310412208.X

    申请日:2007-10-05

    CPC classification number: H01L21/76808 H01L2221/1031

    Abstract: 一种在半导体器件中形成互连结构的方法,其中,在电介质层上沉积另一电介质层(66)之前,用诸如孔生材料之类的填充材料(64)填充在所述电介质层中限定的通孔(62)。在另一电介质层中形成沟槽(72),其后去除在通孔中暴露出的填充材料。该方法提供了鲁棒的工艺,该工艺提供了改善的通孔和沟槽形状控制。

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