Patent search cpc:"H01L2924/1205" Page 1

1.

发明公开
提供具有已知良好晶粒的三维晶圆组件的系统和方法有权

公开(公告)号：CN108475646A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201680073092.3

申请日：2016-12-05

Applicant: 英帆萨斯公司

Inventor： 沈虹 , 王亮 , 高桂莲

IPC: H01L21/48 , H01L21/18 , H01L27/108 , H01L21/822

CPC classification number: H01L24/94 , H01L21/304 , H01L21/30625 , H01L21/31051 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L21/76877 , H01L21/76898 , H01L21/78 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2224/32145 , H01L2224/83005 , H01L2224/83895 , H01L2224/83896 , H01L2225/06541 , H01L2924/10253 , H01L2924/1032 , H01L2924/1205 , H01L2924/1207 , H01L2924/1304 , H01L2924/1436

Abstract: 本发明提供用于提供具有已知良好晶粒的三维晶圆组件的范例系统和方法。一种范例方法编辑一半导体晶圆上的晶粒的索引编号并且移除有缺陷的晶粒，以便提供一具有全部为可操作的晶粒的晶圆。多个晶圆上的有缺陷晶粒可以被平行移除，并且产生于三维晶圆组件中堆栈全部为良好晶粒的晶圆。于一施行方式中，被移除的有缺陷的晶粒所留下的空间可以可操作的晶粒或是一填补材料被至少部分填补。有缺陷的晶粒可以在晶圆至晶圆组装之前或之后被置换，以避免生产有缺陷的堆栈式装置，或者，所述空间亦可以保持空白。一底部装置晶圆亦可以移除或是置换其有缺陷的晶粒，从而产生会提供没有任何有缺陷晶粒的三维堆栈的晶圆至晶圆组件。

2.

发明授权
包括嵌入式表面安装器件的半导体器件及其形成方法失效

公开(公告)号：CN104851842B

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201410165979.8

申请日：2014-04-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宪伟 , 陈英儒

IPC: H01L23/12 , H01L21/58

CPC classification number: H01L25/0657 , H01L21/565 , H01L23/12 , H01L23/13 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L23/49811 , H01L23/50 , H01L23/538 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L23/5389 , H01L23/562 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/19 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/1145 , H01L2224/11462 , H01L2224/11849 , H01L2224/12105 , H01L2224/13082 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/16225 , H01L2224/1703 , H01L2224/17181 , H01L2224/2518 , H01L2224/27015 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32258 , H01L2224/32502 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73259 , H01L2224/73265 , H01L2224/81815 , H01L2224/92125 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06568 , H01L2225/06572 , H01L2225/06586 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/1205 , H01L2924/1206 , H01L2924/1207 , H01L2924/1431 , H01L2924/1432 , H01L2924/1434 , H01L2924/15153 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19104 , H01L2924/351 , H01L2924/00012 , H01L2224/82 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207

Abstract: 本发明的实施例包括器件及其形成方法。一个实施例涉及一种器件，该器件包括：位于衬底的第一侧上方的阻焊涂层、通过第一连接件接合至衬底的第一侧的管芯的有源表面、以及通过第二组连接件安装至管芯的表面安装器件，表面安装器件位于管芯和衬底的第一侧之间，表面安装器件与阻焊涂层间隔开。本发明涉及包括嵌入式表面安装器件的半导体器件及其形成方法。

3.

发明授权
封装组件及其制造方法有权

公开(公告)号：CN103730444B

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201410024227.X

申请日：2014-01-20

Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司

Inventor： 谭小春 , 叶佳明

IPC: H01L23/495 , H01L21/60

CPC classification number: H01L25/165 , H01L21/4842 , H01L23/3107 , H01L23/495 , H01L23/49548 , H01L23/49572 , H01L23/49575 , H01L23/49861 , H01L24/17 , H01L24/81 , H01L25/50 , H01L2224/16 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16245 , H01L2224/16265 , H01L2224/81801 , H01L2924/1203 , H01L2924/1205 , H01L2924/1206 , H01L2924/1207 , H01L2924/1304 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/00

Abstract: 公开了封装组件以及制造封装组件的方法。所述封装组件包括：引线框，所述引线框包括至少两组引脚；以及堆叠成至少两个层面的多个电子元件，其中，每一组引脚与相应一个层面的电子元件形成电连接，以及，所述封装组件还包括用于将一组引脚中的任意一个或多个引脚连接到另一组引脚中的任意一个或多个引脚的连接部分。本发明的封装组件可以提高封装密度，减少封装组件内键合线的使用，提高封装组件的可靠性和抗干扰能力。

4.

发明授权
倒装芯片、正面和背面中心键合存储线键合组件失效

公开(公告)号：CN103620778B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201280030801.1

申请日：2012-04-11

Applicant: 泰塞拉公司

Inventor： 贝尔加桑·哈巴 , 理查德·德威特·克里斯普 , 韦勒·佐尼

IPC: H01L25/10 , H01L25/065 , H01L23/31

CPC classification number: H01L23/50 , H01L23/13 , H01L23/3128 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/0652 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L25/16 , H01L25/18 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05599 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/06135 , H01L2224/06136 , H01L2224/13099 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16245 , H01L2224/29101 , H01L2224/29191 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32227 , H01L2224/32245 , H01L2224/45099 , H01L2224/48095 , H01L2224/48137 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/4824 , H01L2224/48247 , H01L2224/4826 , H01L2224/48472 , H01L2224/4911 , H01L2224/49112 , H01L2224/49175 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/73215 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2225/0651 , H01L2225/06562 , H01L2225/06575 , H01L2225/06589 , H01L2225/1023 , H01L2225/1029 , H01L2225/1047 , H01L2225/1052 , H01L2225/1058 , H01L2225/107 , H01L2924/0001 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01076 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01087 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12 , H01L2924/1205 , H01L2924/1206 , H01L2924/1207 , H01L2924/1431 , H01L2924/1433 , H01L2924/1435 , H01L2924/1436 , H01L2924/1437 , H01L2924/1438 , H01L2924/1443 , H01L2924/14511 , H01L2924/15151 , H01L2924/15165 , H01L2924/1517 , H01L2924/15172 , H01L2924/15182 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/157 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/1579 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/3011 , H01L2924/00 , H01L2924/00012

Abstract: 一种微电子组件10可以包括具有第一表面34、第二表面58、在其间延伸的孔39以及端子36的衬底30。组件10还可以包括具有面对第一表面34的前表面16的第一微电子元件12、具有突出于第一微电子元件的边缘29之外的前表面22的第二微电子元件14、将微电子元件的触点20、52电连接到端子的第一引线70和第二引线76、以及将第一微电子元件的触点和第二微电子元件的触点电互连的第三引线73。第一微电子元件的触点20可以设置为邻近边缘29。第二微电子元件14的触点26可以设置在其前表面22的中心区域19中。引线70、76、99可以具有与孔39对齐的部分。

5.

发明授权
偏差补偿的多晶片封装失效

公开(公告)号：CN103782383B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201280043482.8

申请日：2012-07-10

Applicant: 泰塞拉公司

Inventor： 理查德·德威特·克里斯普 , 贝尔加桑·哈巴 , 韦勒·佐尼

IPC: H01L25/065 , G11C5/06

CPC classification number: H01L23/48 , G11C5/06 , H01L23/3128 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/50 , H01L24/73 , H01L24/86 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L2224/0401 , H01L2224/05554 , H01L2224/06135 , H01L2224/06136 , H01L2224/12105 , H01L2224/13024 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/291 , H01L2224/2919 , H01L2224/29193 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48011 , H01L2224/48227 , H01L2224/4824 , H01L2224/73203 , H01L2224/73215 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06562 , H01L2225/06565 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/1203 , H01L2924/1205 , H01L2924/1431 , H01L2924/1432 , H01L2924/1433 , H01L2924/14335 , H01L2924/1434 , H01L2924/1436 , H01L2924/1438 , H01L2924/1443 , H01L2924/15311 , H01L2924/15312 , H01L2924/15313 , H01L2924/157 , H01L2924/15786 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/1579 , H01L2924/18161 , H01L2924/18165 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H01L2924/19106 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207

Abstract: 一种微电子封装(10)，可以具有设置在其面少一个外部部件，例如电路板(70)。第一微电子元件(12)和第二微电子元件(14)可以附接至其中的封装结构(30)。第一电连接件(51A、40A、74A)可以从封装(10)的各个端子(36A)延伸到第一微电子元件(12)上的相应触点(20A)，第二电连接件(53A、40B、52A)可以从各个端子(36A)延伸到第二微电子元件(14)上的相应触点(26A)，第一微电子元件和第二微电子元件构造为使得通过第一连接件和第二连接件承载的各个信号在各个端子和联接至各个端子的每个相应触点(20A、26A)之间经历相同持续时间的传播延迟。(32)处的多个端子(36)，端子(36)构造为连接至

6.

发明公开
半导体封装结构有权

公开(公告)号：CN106129020A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201610272277.9

申请日：2016-04-27

Applicant: 联发科技股份有限公司

Inventor： 林子闳 , 彭逸轩 , 刘乃玮 , 萧景文 , 黄伟哲

IPC: H01L23/31 , H01L23/528

CPC classification number: H01L25/0652 , H01L23/3128 , H01L23/3171 , H01L23/5226 , H01L23/5385 , H01L23/5389 , H01L23/552 , H01L23/66 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L25/16 , H01L2223/6677 , H01L2224/02331 , H01L2224/02379 , H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2924/1205 , H01L2924/1206 , H01L2924/1207 , H01L2924/1421 , H01L2924/1435 , H01L2924/1438 , H01L2924/19011 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/3025 , H01L23/31 , H01L23/528

Abstract: 本发明公开了一种半导体封装结构。其包括：半导体封装，该半导体封装包括：重分布层结构，具有第一表面及相对于该第一表面的第二表面；半导体晶粒，设置在该第一重分布层结构的该第一表面上；模塑料，设置在该第一重分布层结构的该第一表面上且围绕该半导体晶粒；以及金属间介电结构，设置在该模塑料和该半导体晶粒上，其中，该金属间介电结构包括：导电层或者金属屏蔽层，其中该导电层具有天线图案并且电性耦接至该重分布层结构，其中，该金属屏蔽层覆盖该第一半体晶粒。本发明，通过将天线或金属屏蔽集成于半导体封装结构中，从而使得半导体封装结构的可靠性、良品率和生产量均可以得到提高。