公开(公告)号：CN104051459B

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201410089273.8

申请日：2014-03-12

申请人： 英特尔公司

发明人： A.A.埃尔谢比尼 ,  K.P.奥布里恩 ,  H.布劳尼施 ,  K.巴拉思

IPC分类号： H01L27/06

CPC分类号： H01L27/06 ,  H01F17/0006 ,  H01F2017/0066 ,  H01L23/64 ,  H01L25/16 ,  H01L27/016 ,  H01L28/10 ,  H01L28/40 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 描述了包括用于集成电压调节器的磁芯感应器（MCI）结构的半导体封装。在示例中，半导体封装包括封装衬底和耦合到该封装衬底第一表面的半导体裸晶。该半导体裸晶在其上具有第一多金属‑绝缘体‑金属（MIM）电容器层。该半导体封装还包括耦合到该封装衬底第二表面的磁芯感应器（MCI）裸晶。该MCI裸晶包括一个或多个切槽感应器，且其上具有第二多MIM电容器层。

公开(公告)号：CN105793997B

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201480066011.8

申请日：2014-01-17

申请人： LG伊诺特有限公司

发明人： 约翰·谷内

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/772 ,  H01L27/06

CPC分类号： H01L27/0629 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/085 ,  H01L28/10 ,  H01L28/40 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872

摘要： 公开了一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底；以及多个器件，位于衬底上，其中该多个器件中的第一器件包括：第一氮化物半导体层，位于衬底上；第二氮化物半导体层，与第一氮化物半导体层一起在衬底与第一氮化物半导体层之间形成第一异质结界面；第三氮化物半导体层，与第二氮化物半导体层一起在衬底与第二氮化物半导体层之间形成第二异质结界面；以及第一接触件，电连接至第一异质结界面和第二异质结界面。

公开(公告)号：CN109786355A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201811342215.6

申请日：2018-11-13

申请人： 亚德诺半导体无限责任公司

发明人： J·库比克 ,  B·P·斯滕森 ,  M·N·莫里塞

IPC分类号： H01L23/50 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L21/76885 ,  C23C18/1605 ,  C23C18/1651 ,  C25D5/022 ,  C25D5/10 ,  C25D7/123 ,  H01L21/0331 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76873 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238 ,  H01L28/10 ,  H05K1/0265 ,  H05K3/184 ,  H05K3/188 ,  H05K3/244 ,  H05K3/422 ,  H05K3/424 ,  H05K2201/0367 ,  H05K2201/0391 ,  H05K2201/09563 ,  H05K2201/096 ,  H05K2201/09845 ,  H05K2203/0716 ,  H05K2203/1407 ,  H05K2203/1423 ,  H05K2203/1476

摘要： 本公开涉及电镀金属化结构。所公开的技术一般涉及通过电镀形成用于集成电路器件的金属化结构，更具体地说，涉及比用于限定金属化结构的模板更厚的金属化结构。在一方面，一种金属化集成电路器件的方法包括：在通过第一掩模层形成的第一开口中在基板上电镀第一金属，其中第一开口限定基板的第一区域，并且在通过第二掩模层形成的第二开口中在基板上电镀第二金属，其中第二开口限定基板的第二区域。第二开口比第一开口宽，并且第二区域包括基板的第一区域。

公开(公告)号：CN109509748A

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201811017190.2

申请日：2018-08-31

申请人： 恩智浦有限公司

发明人： 多尔芬·阿贝索卢比责 ,  雅努什·托马兹·克利姆扎克 ,  德特勒夫·克劳因 ,  拉杜·米尔恰·塞卡雷亚努

IPC分类号： H01L27/02

CPC分类号： H01L27/0288 ,  H01L23/5225 ,  H01L23/66 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0676 ,  H01L28/10 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/3011 ,  H02H9/046

摘要： 一种静电放电ESD保护结构(200)形成于集成电路装置(600)的半导体衬底内。所述集成电路装置(600)包括：射频域(632)；数字域(610)。所述ESD保护结构(200)另外包括位于所述射频域(632)与所述数字域(610)之间的中间域，所述中间域包括显示随着操作频率增大而增大的阻抗特性的至少一个射频RF无源或有源装置。

公开(公告)号：CN109148413A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810492650.0

申请日：2018-05-22

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 田中敬一郎

IPC分类号： H01L23/522 ,  H03F3/04

CPC分类号： H01L23/5227 ,  H01L23/5225 ,  H01L28/10 ,  H03F1/565 ,  H03F3/45475 ,  H03F3/04

摘要： 本发明提供一种半导体器件以及放大电路，其目的在于能够易于鉴别因电感中的布线间短路引起的不良。将第一电感(5a)、第二电感(5b)的多个电感形成于多个布线层，在多个布线层的每一层中，第一电感(5a)的金属层和第二电感(5b)的金属层各自从内周朝向外周一边沿着同一方向绕转一边延伸，第一电感(5a)的金属层和第二电感(5b)的金属层以彼此相邻的方式配置。

公开(公告)号：CN108493180A

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201810349949.0

申请日：2013-11-13

申请人： 电力集成公司

发明人： D·龚 ,  D·M·H·马修斯 ,  B·巴拉克里什南

IPC分类号： H01L23/495

CPC分类号： H01L23/552 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/48 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/5227 ,  H01L24/48 ,  H01L27/0248 ,  H01L28/10 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2924/00014 ,  H04B15/005 ,  H05K7/14 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 本公开内容涉及利用引线框架对磁耦合通信链路的噪声消除，特别地涉及一种隔离的同步开关模式功率转换器控制器集成电路封装件，包括包封部和引线框架，所述引线框架的一部分被布置在所述包封部内。所述引线框架包括形成在所述引线框架中的第一导体，所述第一导体具有基本被布置在所述包封部内的第一导电环路和第三导电环路。第二导体形成在所述引线框架中，与所述第一导体电流隔离。所述第二导体包括第二导电环路，所述第二导电环路基本被布置在所述包封部内靠近所述第一导电环路，以在所述第一导体与所述第二导体之间提供通信链路。所述第三导电环路以相对于所述第一导电环路的相反的方向卷绕在所述包封部中。

公开(公告)号：CN105575959B

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201510588853.6

申请日：2015-09-16

申请人： 威盛电子股份有限公司

发明人： 李胜源 ,  张银谷

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L23/522

CPC分类号： H01L27/0288 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5225 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5283 ,  H01L27/0641 ,  H01L27/0788 ,  H01L27/0805 ,  H01L28/10 ,  H01L28/40 ,  H01L28/60 ,  H01L29/93 ,  H01L29/94 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开一种集成电路装置。一种集成电路装置，上述集成电路装置包括一基板；一第一电容，设置于上述基板上；一第一金属图案，耦接至上述第一电容的第一电极；一第二金属图案，耦接至上述第一电容的第二电极；一第三金属图案，设置于上述第一金属图案和上述第二金属图案上方，且覆盖上述第一电容、上述第一金属图案和上述第二金属图案，其中上述第三金属图案为电性接地；一电感，设置于上述第三金属图案上方。

公开(公告)号：CN103066059B

公开(公告)日：2018-05-22

申请号：CN201210407786.X

申请日：2012-10-24

申请人： 恩智浦美国有限公司

发明人： T·B·涛 ,  J·E·卡亚斯 ,  H·A·鲁尔达 ,  P·W·桑德斯

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L29/78 ,  H01L21/768 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L21/26586 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/66 ,  H01L28/10 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/868 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种半导体器件结构(10)包括衬底(12)，所述衬底具有第一浓度和第一导电类型的背景掺杂。穿过衬底通路(TSV)(46)穿过所述衬底。半导体器件(20‑30)耦合到衬底上第一侧的TSV。掺杂区域具有大于第一浓度的第二浓度和第一导电类型的掺杂。

公开(公告)号：CN104969312B

公开(公告)日：2018-05-15

申请号：CN201480006959.4

申请日：2014-01-31

申请人： 高通股份有限公司

发明人： J·T·多伊尔 ,  F·马默帝 ,  A·S·阿拉尼

IPC分类号： H01F17/00 ,  H01L23/64 ,  H01L49/02

CPC分类号： H01L23/49822 ,  H01F17/0006 ,  H01L23/645 ,  H01L25/105 ,  H01L28/10 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/19106 ,  Y10T29/4902 ,  H01L2924/00

摘要： 一些创新性特征涉及电感器结构，其包括第一电感器绕组、第二电感器绕组和填充物。第一电感器绕组包括导电材料。第二电感器绕组包括导电材料。填充物横向位于第一电感器绕组与第二电感器绕组之间。填充物配置成提供第一电感器绕组和第二电感器绕组的结构耦合。在一些实现中，第一电感器绕组与第二电感器绕组横向共面。在一些实现中，第一电感器绕组具有第一螺旋形状，并且第二电感器绕组具有第二螺旋形状。在一些实现中，第一电感器绕组和第二电感器绕组具有拉长的圆形形状。在一些实现中，该填充物是环氧树脂。

公开(公告)号：CN105261459B

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201510400040.X

申请日：2015-07-09

申请人： 乾坤科技股份有限公司

发明人： 李奇勋 ,  谢协伸 ,  陈森辉

IPC分类号： H01F27/28 ,  H01F41/00

CPC分类号： H01F17/045 ,  H01F3/10 ,  H01F27/022 ,  H01F27/292 ,  H01F2017/048 ,  H01L24/00 ,  H01L28/10

摘要： 本发明公开了一种电子元件及其制造方法，所述电子元件包括：一本体；一导电元件，设于该本体中，其中该导电元件的一端子的至少一部分露出该本体的外侧；一金属箔片，该金属箔片的底面具有一黏着材料，该金属箔片通过该黏着材料黏着于该本体并且覆盖该导电元件的该端子的一第一部分，其中该导电元件的该端子的一第二部分未被该金属箔片及该黏着材料覆盖；以及一第一金属层，覆着于该金属箔片并且覆盖该导电元件的该端子的一第二部分，其中该第一金属层电性连接于该导电元件的该端子的该第二部分，用于电性连接一外部电路。