公开(公告)号：CN109509748B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN201811017190.2

申请日：2018-08-31

申请人： 恩智浦有限公司

发明人： 多尔芬·阿贝索卢比责 ,  雅努什·托马兹·克利姆扎克 ,  德特勒夫·克劳因 ,  拉杜·米尔恰·塞卡雷亚努

IPC分类号： H01L27/02

摘要： 一种静电放电ESD保护结构(200)形成于集成电路装置(600)的半导体衬底内。所述集成电路装置(600)包括：射频域(632)；数字域(610)。所述ESD保护结构(200)另外包括位于所述射频域(632)与所述数字域(610)之间的中间域，所述中间域包括显示随着操作频率增大而增大的阻抗特性的至少一个射频RF无源或有源装置。

公开(公告)号：CN109509748A

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201811017190.2

申请日：2018-08-31

申请人： 恩智浦有限公司

发明人： 多尔芬·阿贝索卢比责 ,  雅努什·托马兹·克利姆扎克 ,  德特勒夫·克劳因 ,  拉杜·米尔恰·塞卡雷亚努

IPC分类号： H01L27/02

CPC分类号： H01L27/0288 ,  H01L23/5225 ,  H01L23/66 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0676 ,  H01L28/10 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/3011 ,  H02H9/046

摘要： 一种静电放电ESD保护结构(200)形成于集成电路装置(600)的半导体衬底内。所述集成电路装置(600)包括：射频域(632)；数字域(610)。所述ESD保护结构(200)另外包括位于所述射频域(632)与所述数字域(610)之间的中间域，所述中间域包括显示随着操作频率增大而增大的阻抗特性的至少一个射频RF无源或有源装置。