公开(公告)号：CN107154394A

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201610116570.6

申请日：2016-03-02

申请人： 扬智科技股份有限公司

发明人： 篮子为 ,  宋厚宽 ,  庄志禹

IPC分类号： H01L23/522

CPC分类号： H01L23/5223 ,  H01L23/5225 ,  H01L28/60

摘要： 一种电容结构，其包括至少一隔离层、第一金属层、第二金属层，以及第三金属层。第一金属层包括第一电极的第一金属部分。第二金属层包括第一电极的第二金属部分与第二电极的第一金属部分。第三金属层包括第一电极的第三金属部分。第二电极的第一金属部分包括多个连接部，这些连接部各自往第一方向、第二方向、第三方向以及第四方向延伸而向外凸出于第一电极的包覆范围。上述的隔离层的上视图案是基于这些连接部的位置与样式而决定。

公开(公告)号：CN104218020B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201310224040.X

申请日：2013-06-05

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 王西宁 ,  程仁豪 ,  刘凌

IPC分类号： H01L23/522

CPC分类号： H01L28/10 ,  H01L23/5225 ,  H01L23/5227 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19051 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/00

摘要： 一种接地屏蔽结构及半导体器件，该屏蔽结构包括：衬底；位于衬底上方的介质层；多个间隔排列的导电环，位于衬底或介质层内，导电环又包括多个间隔排列的子导电环，任意两个子导电环中，其中一个子导电环被另一个子导电环包围，相邻两个子导电环之间的间距小于相邻两个导电环之间的间距；接地环，与所有子导电环电连接。导电环被分割为多个子导电环，每个子导电环可等效为电阻，由于所有子导电环均与具有固定电位的接地环电连接，使得每个导电环中的所有子导电环并联在一起；减小了每个导电环的电阻值，进而使得接地屏蔽结构向半导体器件中引入的寄生电阻效应有所减小，提高了感应器元件的品质因数Q。

公开(公告)号：CN104425454B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201410363851.2

申请日：2014-07-28

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 清水和宏

IPC分类号： H01L23/538

CPC分类号： H01L29/0649 ,  H01L21/762 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5225 ,  H01L27/0203 ,  H01L27/1203 ,  H01L28/86 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

摘要： 得到一种能够降低制造成本，能够使动作稳定化的半导体装置。在填埋氧化膜(2)上设有活性硅层(3)。活性硅层具有低压区域(4)、高压区域(5)及连接区域(6)。沟槽隔离部(7)将低压区域、高压区域及连接区域彼此绝缘隔离。在低压区域设有低电位信号处理电路(8)，在高压区域设有高电位信号处理电路(9)。电容(15、17)设置在连接区域上，将交流信号从低电位信号处理电路传送至高电位信号处理电路。电容具有与低电位信号处理电路连接的低电位电极(15a、17a)和与高电位信号处理电路连接的高电位电极(15b、17b)。低电位电极和高电位电极分别具有层叠的多个配线层，两者的配线层彼此的侧壁相对而进行电容耦合。

公开(公告)号：CN102738118B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201210092828.5

申请日：2012-03-31

申请人： 索尼公司

发明人： 泽田宪

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L23/50

CPC分类号： H01L23/5384 ,  H01L23/5225 ,  H01L23/5286 ,  H01L23/552 ,  H01L23/66 ,  H01L24/34 ,  H01L25/0657 ,  H01L2223/6616 ,  H01L2223/6627 ,  H01L2225/06537 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/37099 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/8385

摘要： 本发明涉及半导体器件。该半导体器件包括层叠的第一半导体基板和第二半导体基板；第一传输线，包括信号线和地线；第二传输线，包括信号线和地线；用于信号线的第一通孔层，由形成在通孔内的导体层构成，连接到第一传输线的信号线和第二传输线的信号线；用于地线的第一通孔层，由形成在通孔内的导体层构成，连接到第一传输线的地线和第二传输线的地线；以及用于地线的第二通孔层，由形成在通孔内的导体层构成，连接到第一传输线的地线和/或第二传输线的地线，且包括带状的通孔层，带状的通孔层形成为与用于信号线的第一通孔层相对。本发明的半导体器件能对用于将传输线互相连接的通孔层周围的接地进行强化并能调整通孔部分的特征阻抗。

公开(公告)号：CN103779329B

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201210406422.X

申请日：2012-10-23

申请人： 无锡华润上华半导体有限公司

发明人： 何小东

IPC分类号： H01L23/544

CPC分类号： H01L22/34 ,  H01L23/5225 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/552 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种用于MOSFET噪声测试的半导体测试结构，所述半导体测试结构包括：形成在半导体衬底的具有第一导电类型的第一阱区上的MOSFET器件；形成在所述MOSFET器件上方的金属屏蔽层，所述金属屏蔽层完全覆盖所述MOSFET器件并且延伸超出所述第一阱区的四周；紧邻所述第一阱区的底面形成在所述半导体衬底中的具有第二导电类型的深阱区，所述深阱区延伸超出所述第一阱区的四周；其中在所述金属屏蔽层的超出所述第一阱区的部分与所述深阱区的超出所述第一阱区的部分之间形成有垂直通孔以使所述金属屏蔽层与所述深阱区耦接，所述金属屏蔽层被用于在测试时与测试机台的接地端连接，并且所述第一导电类型与所述第二导电类型为相反的导电类型。

公开(公告)号：CN104160484B

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201280069446.9

申请日：2012-12-14

申请人： 吉尼亚科技公司

发明人： R·J·A·陈

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L23/552 ,  B82Y15/00 ,  G01N27/44756 ,  G01N27/44791 ,  G01N33/48721 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5225 ,  H01L23/585 ,  H01L28/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 公开了一种具有集成噪声屏蔽物的装置。装置包括基本上包围半导体装置的多个垂直屏蔽结构。装置进一步包括位于半导体装置上方基本上充满导电流体的开口，其中，多个垂直屏蔽结构和导电流体屏蔽半导体装置免受环境辐射的影响。在一些实施例中，装置进一步包含位于半导体装置下方的导电底部屏蔽物，其屏蔽半导体装置免受环境辐射的影响。在一些实施例中，开口被配置为允许将生物样本引入至半导体装置中。在一些实施例中，垂直屏蔽结构包括多个通孔，其中，多个通孔中的每个把多于一个的导电层连接在一起。在一些实施例中，装置包括纳米孔装置，并且其中，纳米孔装置包括纳米孔阵列的单一单元。

公开(公告)号：CN105934824A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201480073620.6

申请日：2014-12-01

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 神藏护 ,  高桥庆多 ,  春名延是

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L23/00 ,  H01L23/29 ,  H01L23/48 ,  H01L25/18 ,  H02M7/48

CPC分类号： H01L23/5225 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/367 ,  H01L23/3672 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/642 ,  H01L24/36 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L25/07 ,  H01L25/072 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/40139 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/1205 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H02M7/003 ,  H02M7/68 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/37099

摘要： 一种电力用半导体装置，具备：第一极侧半导体元件，第一极侧的主极接合于绝缘基板的第一极侧表面电极；第二极侧半导体元件，第一极侧的主极接合于绝缘基板的中间侧表面电极；中间侧导体，连接中间侧表面电极和第一极侧半导体元件的第二极侧的主极；散热器，与绝缘基板接合；密封树脂，密封第一极侧半导体元件、第二极侧半导体元件、绝缘基板以及中间侧导体；以及板状的第二极侧端子，与第二极侧半导体元件的第二极侧的主极连接，延伸到密封树脂的外侧，在所述电力用半导体装置中，设置调整用电极，该调整用电极被设置成与散热器连接并具有与第二极侧端子对置的面。

公开(公告)号：CN103311219B

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201310058749.7

申请日：2013-02-25

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 蔡豪益 ,  陈宪伟 ,  郭鸿毅 ,  陈洁 ,  陈英儒 ,  于宗源

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L23/552 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L23/5227 ,  H01L21/768 ,  H01L23/5225 ,  H01L23/552 ,  H01L23/585 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L28/10 ,  H01L2224/02351 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/06515 ,  Y10T29/4902

摘要： 提供了一种电感器器件和形成电感器器件的方法。在一些实施例中，电感器器件包括所设置的后钝化互连(PPI)层和凸块下金属化(UBM)层，每个都设置在衬底之上。PPI层形成线圈和伪焊盘。伪焊盘设置在线圈的大部分周围，以使线圈免受电磁干扰。UBM层的第一部分电连接至线圈并且被配置成与电连接件相接合。本发明还提供了一种用于后钝化互连的电感器。

公开(公告)号：CN105185769A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201510106424.0

申请日：2015-03-11

申请人： 阿尔特拉公司

发明人： C·L·乐儿 ,  S·陈

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L28/10 ,  H01L23/5225 ,  H01L23/5227 ,  H01L27/0207 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及具有改进的品质因数的电感器结构。在一个实施例中，提供了电感器结构。该电感器结构包括第一伸长分段和第二伸长分段。该第一伸长分段平行于该电感器结构的纵向轴线。该第二伸长分段也平行于该纵向轴线。该第一伸长分段在第一方向上输送电流，并且该第二伸长分段在不同于该第一方向的第二方向上输送该电流。

公开(公告)号：CN102956607B

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201210111630.7

申请日：2012-04-16

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 卓秀英

IPC分类号： H01L23/522

CPC分类号： H01L23/5227 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5225 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T29/49165 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底，在X方向和与X方向垂直的Y方向上延伸。半导体器件包括互连结构，在衬底上方在与X方向和Y方向均垂直的Z方向上形成该互连结构。该互连结构包括通过多个通孔在Z方向上互连在一起的多条金属线。互连结构包括变压器器件，该变压器器件包括初级线圈和次级线圈。初级线圈和次级线圈均至少部分地沿着Z方向缠绕。本发明还提供了一种垂直定向的半导体器件及其屏蔽结构。