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公开(公告)号：CN111095486B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN201880059923.0
申请日：2018-06-15
申请人： 株式会社斯库林集团
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/42 , H01L21/302 , H01L21/3065 , H01L21/683
摘要： 一种抗蚀剂去除方法以及抗蚀剂去除装置，所述抗蚀剂去除装置(1)的加热板(4)配置于处理空间(20)且被加热至规定的温度。多个升降销(51)在处理空间(20)中保持在上表面(91)上具有抗蚀剂的图案的基板(9)，所述抗蚀剂在表面形成有变质层。销升降机构(32)使多个升降销(51)相对于加热板(4)相对地移动。臭氧气体供给部(6)向基板(9)的上表面(91)供给臭氧气体。控制部(10)将基板(9)配置在与加热板(4)隔开间隙的第一处理位置而利用臭氧气体进行变质层(96)的去除，然后，通过控制移动机构(32)，将基板(9)配置在该间隙比第一处理位置更小的第二处理位置而利用臭氧气体进行抗蚀剂的去除。由此，能够一边防止爆裂一边高效地去除基板(9)上的抗蚀剂。
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公开(公告)号：CN118402042A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202280082153.8
申请日：2022-11-02
申请人： AGC株式会社
IPC分类号： H01L21/302
摘要： 本发明涉及一种制造具有凹部结构的构件的方法，所述方法具有：(1)在被处理体的第一表面的一部分设置催化剂材料的步骤，其中，所述第一表面由氟化物的沸点为550℃以下的元素构成，所述催化剂材料包含具有极性官能团的有机化合物；和(2)在80℃以上的温度下将所述被处理体暴露于含氟气体的步骤，在所述(2)的步骤之后，在所述第一表面的所述催化剂材料的下侧形成凹部结构。
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公开(公告)号：CN110890332B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN201910841825.9
申请日：2019-09-06
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/29 , H01L21/302 , H01L29/739 , H01L29/12 , H01L29/76 , H01L29/78
摘要： 本发明涉及具有包括硅和氮的部分的半导体器件和制造的方法。半导体器件（500）包括半导体本体（100）和包括硅和氮的第一部分（410）。第一部分（410）与半导体本体（100）直接接触。包括硅和氮的第二部分（420）与第一部分（410）直接接触。第一部分（410）在半导体本体（100）和第二部分（420）之间。在第一部分（410）中的平均硅含量比在第二部分（420）中更高。
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公开(公告)号：CN111512417B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN201880081456.1
申请日：2018-12-04
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L21/302
摘要： 光刻构图方法包括：在半导体衬底上形成多层构图材料膜叠层，该构图材料膜叠层包括在一个或多个附加层上形成的抗蚀剂层；以及在抗蚀剂层上形成含金属的顶涂层。该方法进一步包括使多层构图材料膜叠层暴露于通过含金属的顶涂层的构图辐射以在抗蚀剂层中形成期望的图案，去除含金属的顶涂层，对在抗蚀剂层中形成的图案显影，根据显影的图案蚀刻至少一层底层，并去除抗蚀剂层的剩余部分。可以例如通过在抗蚀剂层上的原子层沉积或旋涂沉积，或通过从抗蚀剂层的自分离来形成含金属的顶涂层。
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公开(公告)号：CN109637958B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN201910051002.6
申请日：2019-01-21
申请人： 苏州赛森电子科技有限公司
发明人： 伍志军
IPC分类号： H01L21/673 , H01L21/68 , H01L21/687 , H01L21/302
摘要： 本发明公开了一种硅片腐蚀工艺固定载具，涉及硅片腐蚀技术领域，包括载具主体、第一固定单元、至少二调整固定件、传导件。第一固定单元具有凹口。调整固定件处于相对方向，调整固定件的相对端面朝向载具主体的中心，调整固定件连接载具主体与第一固定单元，其中一个调整固定件具有正螺纹，另一个调整固定件具有逆螺纹，调整固定件还具有延伸件、滑件，延伸件具有一定长度，滑件连接延伸件。传导件具有伸缩口，延伸件位于伸缩口中，伸缩口具有滑槽，滑槽连接滑件。本发明在两个调整固定件的正螺纹和逆螺纹作用下，两个第一固定单元以相同的速度和相同的力度夹紧硅片。在夹紧硅片的同时防止硅片中心与载具主体中心产生偏离，影响产品质量。
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公开(公告)号：CN117321735A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202280028480.5
申请日：2022-03-30
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/302
摘要： 本文中的技术包括形成直写可调应力膜的方法和使用所述应力膜校正晶片弯曲的方法。该方法可以在涂布机显影机工具或基于轨道的工具上执行。应力膜可以基于在外部刺激下经历交联/解交联的膜，其中直写通过但不限于365nm曝光实现，并且随后的固化用于“图案化”应力。可能不需要显影步骤，这在保持膜平坦性方面提供了额外的显著益处。弯曲量(或产生或影响弯曲特征的内应力)可以通过曝光剂量、烘烤温度、烘烤时间和烘烤次数来调谐。
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公开(公告)号：CN110546739B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN201980001937.1
申请日：2019-01-09
申请人： 古河电气工业株式会社
IPC分类号： H01L21/301 , B23K26/351 , C09J7/22 , C09J7/38 , C09J133/00 , C09J163/00 , C09J175/04 , H01L21/302 , H01L21/304 , H01L21/3065
摘要： 在半导体晶片(1)的磨削后，使半导体晶片晶片(1)固定于静电夹头(9)。接着，在贴合有表面保护带(3)的状态下，在经磨削的半导体晶片(1)的背面(B)形成掩模材料层。接着，从背面(B)侧，对与在图案面(2)适宜形成为格子状等的多个切割道相当的部分照射激光，切断掩模带(11)，将半导体晶片(1)的切割道开口。接着，从背面(B)侧照射SF6等离子体，对在切割道部分露出的半导体晶片(1)进行蚀刻。接着，利用O2等离(1)的表面(S)侧与静电夹头(9)相向，将半导体(56)对比文件CN 107210207 A,2017.09.26CN 107210204 A,2017.09.26CN 103865416 A,2014.06.18CN 107452596 A,2017.12.08
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公开(公告)号：CN117043912A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202280023141.8
申请日：2022-02-10
申请人： 索克普拉科学与工程公司
发明人： 穆罕默德·雷扎·阿齐兹扬 , 伊奥尼拉-罗萨纳·阿尔文特 , 阿博德拉夫·布塞里夫 , 理查德·阿里斯
IPC分类号： H01L21/302
摘要： 描述了一种制造光电器件的方法。该方法通常具有：蚀刻单晶锗晶片，所述蚀刻形成包含于所述单晶锗内的给定密度的孔，其中所述孔中的至少一些孔在所述晶片的表面处暴露；在所述表面上沉积给定晶体材料的衬底层，所述衬底层封闭所述孔中的暴露的孔；加热所述晶片和所述衬底层，所述加热将所述孔转变成在所述晶片内彼此互连的空腔穿插的柱；制作与所述衬底层成一体的半导体部件，包括共同形成所述光电器件；以及使所述晶片的所述空腔穿插的柱断开，从而从所述晶片的剩余晶片部分释放所述光电器件。
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公开(公告)号：CN109545677B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201810903028.4
申请日：2018-08-09
申请人： 株式会社斯库林集团
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/306 , H01L21/67
摘要： 本发明供一种基板处理方法以及基板处理装置，能够抑制从喷嘴的喷出口吹溅液体。该基板处理方法包括第一步骤与第二步骤。第一步骤中，将硫酸与双氧水的混合液，通过配管从喷嘴喷向基板。第一步骤之后，在第二步骤中，将双氧水通过配管从喷嘴喷向基板。第一步骤包括：(A)将所述混合液开始导入至所述配管的混合液导入开始步骤；(B)在(A)之后，向所述配管停止导入所述硫酸的混合液导入停止步骤；(C)在所述混合液与所述双氧水的界面部形成气体层的气体层形成步骤；(D)在与(B)同时或其刚结束后，降低导入至所述配管的所述双氧水的流量或者使流量为零的缓冲步骤。
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