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公开(公告)号：CN111357078A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201880073753.1
申请日：2018-11-22
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 本发明的实施例可以包括一种用于确保半导体设计完整性的方法。该方法可包括分析半导体电路的光掩模设计。光掩模可以包括半导体电路的操作所必需的初级电气设计和没有初级电气设计的空白空间。该方法可以包括将次级电气设计插入到用于半导体电路的光掩模设计的空白空间中。所述次级电气设计可以具有用于验证半导体电路设计的已知电性能。
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公开(公告)号：CN111512417B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN201880081456.1
申请日：2018-12-04
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/302
Abstract: 光刻构图方法包括：在半导体衬底上形成多层构图材料膜叠层，该构图材料膜叠层包括在一个或多个附加层上形成的抗蚀剂层；以及在抗蚀剂层上形成含金属的顶涂层。该方法进一步包括使多层构图材料膜叠层暴露于通过含金属的顶涂层的构图辐射以在抗蚀剂层中形成期望的图案，去除含金属的顶涂层，对在抗蚀剂层中形成的图案显影，根据显影的图案蚀刻至少一层底层，并去除抗蚀剂层的剩余部分。可以例如通过在抗蚀剂层上的原子层沉积或旋涂沉积，或通过从抗蚀剂层的自分离来形成含金属的顶涂层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110709777B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201880036453.6
申请日：2018-06-11
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 实施例针对用于确定光刻工具的有效剂量的方法和系统。该方法包括使用光刻工具在基板上进行一系列的开放框架曝光，以在抗蚀剂中产生一组受控的曝光剂量块，然后烘烤和显影曝光基板。该方法还包括用斜射光扫描所得到的开放框架图像和捕获从基板表面散射的光。该方法还包括从散射光数据的背景信号生成雾度图，将雾度图转换为图形图像文件，并分析图形图像文件以确定光刻工具的有效剂量，其中图形图像文件的亮度与光刻工具的有效剂量有关。
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公开(公告)号：CN111512417A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201880081456.1
申请日：2018-12-04
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/302
Abstract: 光刻构图方法包括：在半导体衬底上形成多层构图材料膜叠层，该构图材料膜叠层包括在一个或多个附加层上形成的抗蚀剂层；以及在抗蚀剂层上形成含金属的顶涂层。该方法进一步包括使多层构图材料膜叠层暴露于通过含金属的顶涂层的构图辐射以在抗蚀剂层中形成期望的图案，去除含金属的顶涂层，对在抗蚀剂层中形成的图案显影，根据显影的图案蚀刻至少一层底层，并去除抗蚀剂层的剩余部分。可以例如通过在抗蚀剂层上的原子层沉积或旋涂沉积，或通过从抗蚀剂层的自分离来形成含金属的顶涂层。
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公开(公告)号：CN111316174B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN201880072828.4
申请日：2018-11-22
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明的实施例可以包括一种用于确保半导体设计完整性的方法。该方法可包括分析半导体电路的光掩模设计。光掩模可以包括半导体电路的操作所必需的电气设计和没有电气设计的空白空间。该方法可以包括将光学设计插入到用于半导体电路的光掩模设计的空白空间中。所述光学设计可以具有用于验证半导体电路设计的已知光学图案。在本发明的实施例中，可以将所述光学设计与所述电气设计物理隔离。在本发明的另一实施例中，所述光学设计可以包括一个或多个光掩模层并且覆盖所述电气设计。在本发明的另一个实施例中，所述光学设计可以包括盖形。
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公开(公告)号：CN111316174A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201880072828.4
申请日：2018-11-22
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明的实施例可以包括一种用于确保半导体设计完整性的方法。该方法可包括分析半导体电路的光掩模设计。光掩模可以包括半导体电路的操作所必需的电气设计和没有电气设计的空白空间。该方法可以包括将光学设计插入到用于半导体电路的光掩模设计的空白空间中。所述光学设计可以具有用于验证半导体电路设计的已知光学图案。在本发明的实施例中，可以将所述光学设计与所述电气设计物理隔离。在本发明的另一实施例中，所述光学设计可以包括一个或多个光掩模层并且覆盖所述电气设计。在本发明的另一个实施例中，所述光学设计可以包括盖形。
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公开(公告)号：CN110709777A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201880036453.6
申请日：2018-06-11
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 实施例针对用于确定光刻工具的有效剂量的方法和系统。该方法包括使用光刻工具在基板上进行一系列的开放框架曝光，以在抗蚀剂中产生一组受控的曝光剂量块，然后烘烤和显影曝光基板。该方法还包括用斜射光扫描所得到的开放框架图像和捕获从基板表面散射的光。该方法还包括从散射光数据的背景信号生成雾度图，将雾度图转换为图形图像文件，并分析图形图像文件以确定光刻工具的有效剂量，其中图形图像文件的亮度与光刻工具的有效剂量有关。
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