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公开(公告)号：CN111512417B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN201880081456.1
申请日：2018-12-04
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/302
Abstract: 光刻构图方法包括：在半导体衬底上形成多层构图材料膜叠层，该构图材料膜叠层包括在一个或多个附加层上形成的抗蚀剂层；以及在抗蚀剂层上形成含金属的顶涂层。该方法进一步包括使多层构图材料膜叠层暴露于通过含金属的顶涂层的构图辐射以在抗蚀剂层中形成期望的图案，去除含金属的顶涂层，对在抗蚀剂层中形成的图案显影，根据显影的图案蚀刻至少一层底层，并去除抗蚀剂层的剩余部分。可以例如通过在抗蚀剂层上的原子层沉积或旋涂沉积，或通过从抗蚀剂层的自分离来形成含金属的顶涂层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116601775A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202180084899.8
申请日：2021-11-12
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/06
Abstract: 提供一种场效应晶体管。该场效应晶体管包括在衬底(110)上的第一源极/漏极、在衬底上的第二源极/漏极、以及在第一源极/漏极和第二源极/漏极之间的沟道区(130)。该场效应晶体管还包括在第一源极/漏极和/或第二源极/漏极的至少三个侧面上的金属衬里(210)，其中该金属衬里覆盖小于第一源极/漏极和/或第二源极/漏极的侧壁的全部长度。该场效应晶体管还包括在金属衬里和第一源极/漏极和/或第二源极/漏极之间的金属‑硅化物(215)，以及在第一源极/漏极和/或第二源极/漏极上的金属衬里上的导电接触(218)，其中该导电接触是与金属衬里的导电材料不同的导电材料。在形成该源极/漏极之后并在沉积该金属衬里之前，进行非晶化步骤。
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公开(公告)号：CN111512417A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201880081456.1
申请日：2018-12-04
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/302
Abstract: 光刻构图方法包括：在半导体衬底上形成多层构图材料膜叠层，该构图材料膜叠层包括在一个或多个附加层上形成的抗蚀剂层；以及在抗蚀剂层上形成含金属的顶涂层。该方法进一步包括使多层构图材料膜叠层暴露于通过含金属的顶涂层的构图辐射以在抗蚀剂层中形成期望的图案，去除含金属的顶涂层，对在抗蚀剂层中形成的图案显影，根据显影的图案蚀刻至少一层底层，并去除抗蚀剂层的剩余部分。可以例如通过在抗蚀剂层上的原子层沉积或旋涂沉积，或通过从抗蚀剂层的自分离来形成含金属的顶涂层。
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公开(公告)号：CN103261137A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201180060130.9
申请日：2011-11-21
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: C07C39/367 , G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/039
CPC classification number: G03F7/0046 , C07C39/42 , C07C69/96 , C07C2603/92 , G03F7/0382 , G03F7/0392
Abstract: 酚醛分子玻璃如杯芳烃包含至少一种含氟代醇的单元，该含氟代醇的分子玻璃可用于光致抗蚀剂组合物。本发明还公开了利用该光致抗蚀剂组合物在基质上产生光致防蚀影像的方法。
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