公开(公告)号：CN116711012A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202180088522.X

申请日：2021-11-12

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： R·维加 ,  安藤崇志 ,  池澄 ,  P·埃杜苏米利

IPC: G11C11/22

Abstract: 提供了一种场效应晶体管(FET)器件。该器件包括在支撑衬底上的隔离区域，其将第一背栅极与第二背栅极分离，以及在第一沟道区域和第二沟道区域上的栅极电介质层。该器件还包括在栅极电介质层上的具有功函数值的导电栅极层和铁电体层，其中第一背栅极能够调整第一沟道区的阈值电压，并且第二背栅极能够调整第二沟道区的阈值电压。

公开(公告)号：CN116601775A

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202180084899.8

申请日：2021-11-12

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 谢瑞龙 ,  E·A·德希尔瓦 ,  郭婧 ,  唐浩 ,  池澄

IPC: H01L29/06

Abstract: 提供一种场效应晶体管。该场效应晶体管包括在衬底(110)上的第一源极/漏极、在衬底上的第二源极/漏极、以及在第一源极/漏极和第二源极/漏极之间的沟道区(130)。该场效应晶体管还包括在第一源极/漏极和/或第二源极/漏极的至少三个侧面上的金属衬里(210)，其中该金属衬里覆盖小于第一源极/漏极和/或第二源极/漏极的侧壁的全部长度。该场效应晶体管还包括在金属衬里和第一源极/漏极和/或第二源极/漏极之间的金属‑硅化物(215)，以及在第一源极/漏极和/或第二源极/漏极上的金属衬里上的导电接触(218)，其中该导电接触是与金属衬里的导电材料不同的导电材料。在形成该源极/漏极之后并在沉积该金属衬里之前，进行非晶化步骤。

公开(公告)号：CN116548097A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202180081224.8

申请日：2021-11-30

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： R·维加 ,  D·沃尔珀特 ,  安藤崇志 ,  P·阿杜苏米利 ,  池澄

IPC: H10N97/00 ,  H01L23/64

Abstract: 一种形成半导体设备的方法，其中该半导体设备包括第一电源轨(3A，3B)，该第一电源轨具有将该第一电源轨连接到第一去耦电容器的一部分的一个或多个竖直堆叠的接触通孔。该半导体设备包括在第一栅极切割沟槽中的半导体衬底的第一部分中的第一去耦电容器。

公开(公告)号：CN111133380B

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN201880062143.1

申请日：2018-09-25

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： I.塞沙德里 ,  E.A.德席尔瓦 ,  刘其俊 ,  池澄 ,  郭婧 ,  L.梅里汤普森

IPC: G03F7/00

Abstract: 本发明的实施方案提供了用于捕获胺的体系和方法。这又减轻了光致抗蚀剂中的不期望的浮渣和底脚效应。聚合物刷接枝到氮化硅表面上。所述聚合物刷的官能团和分子量分别提供质子和施加空间位阻以捕获从氮化硅表面扩散的胺。

公开(公告)号：CN116569321A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202180080239.2

申请日：2021-12-03

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 安藤崇志 ,  R·维加 ,  池澄 ,  P·阿杜萨米利

IPC: H01L21/8238

Abstract: 提供了一种负电容场效应晶体管(NCFET)器件(100)。该NCFET器件包括衬底(102)和形成在该衬底上的晶体管堆叠结构(PFET，NFET)。该纳米片堆叠结构包括PFET区域和NFET区域，该PFET区域包括pWF金属层堆叠(124)并且该NFET区域包括nWF金属层堆叠(126)。该NCFET器件还包括形成在晶体管堆叠结构上的电介质界面层(122)，该电介质界面层包括金属诱发的氧空位，并且该电介质界面层形成在晶体管堆叠结构的一部分上。该NCFET器件还包括形成在该电介质界面层上的顶部电极(130)。

公开(公告)号：CN116584168A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202180079488.X

申请日：2021-10-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·阿杜苏米利 ,  A·钱德拉 ,  安藤崇志 ,  池澄 ,  R·维加

IPC: H10B63/10 ,  H10N70/20

Abstract: 一种蘑菇型相变存储器(PCM)器件，包括：衬底；下互连，被设置在衬底中；第一电介质层，被设置在衬底上；底电极，被设置在第一电介质层中并且在第一电介质层的上表面上方延伸；类型漂移减轻内衬，环绕在第一电介质层的上表面上方延伸的底电极的上部；PCM元件，被设置在内衬和底电极的上表面上；顶电极，被设置在PCM元件上；以及第二电介质层，被设置在第一电介质层的暴露部分和顶电极上，其中第二电介质层被设置在内衬、PCM元件和顶电极的侧壁上。

公开(公告)号：CN111133380A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201880062143.1

申请日：2018-09-25

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： I.塞沙德里 ,  E.A.德席尔瓦 ,  刘其俊 ,  池澄 ,  郭婧 ,  L.梅里汤普森

IPC: G03F7/00

Abstract: 本发明的实施方案提供了用于捕获胺的体系和方法。这又减轻了光致抗蚀剂中的不期望的浮渣和底脚效应。聚合物刷接枝到氮化硅表面上。所述聚合物刷的官能团和分子量分别提供质子和施加空间位阻以捕获从氮化硅表面扩散的胺。

公开(公告)号：CN116548082A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202180077627.5

申请日：2021-11-03

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·埃杜苏米利 ,  安藤崇志 ,  R·维加 ,  池澄

IPC: H10B63/00 ,  H10N70/20

Abstract: 提供了一种电阻随机存取存储器(ReRAM)器件。该ReRAM器件(100)包括堆叠结构，该堆叠结构包括第一电极(126)、与第一电极接触的金属氧化物层(128)、以及与金属氧化物(128)层接触的第二电极(130)。通过离子注入来修改堆叠结构的一部分，并且堆叠结构的修改部分从堆叠结构的边缘偏移。

公开(公告)号：CN116548081A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202180077623.7

申请日：2021-10-11

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 安藤崇志 ,  P·埃杜苏米利 ,  R·维加 ,  池澄

IPC: H10B63/00 ,  H10N70/00

Abstract: 提供了一种电阻式随机存取存储器(ReRAM)器件。该ReRAM器件包括第一电极、与第一电极接触的第一电阻结构、与第一电阻结构接触的介电层、以及与介电层接触的第二电阻结构。第二电阻结构包括电阻材料层和高功函数金属芯。ReRAM器件还包括与第二电阻结构接触的第二电极。