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公开(公告)号：CN119575728A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411893408.6
申请日：2024-12-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于电控液晶立方相位板的太赫兹艾里光束产生方法，属于太赫兹信号调制技术领域，包括以下步骤：S1、计算制作立方相位板所需的结构电极图案；S2、使用剥离工艺对DMSO掺杂型PEDOT:PSS有机薄膜进行光刻蚀，制作带有立方相位图案的结构电极；S3、利用结构电极加载垂直电场驱动液晶的方法制作产生艾里光束需要的液晶立方相位板；S4、利用太赫兹液晶立方相位板实现艾里波束的产生。本发明采用上述的一种基于电控液晶立方相位板的太赫兹艾里光束产生方法，制作的太赫兹艾里波束产生器件成品周期短、成本低，且具有良好的宽带光学各向异性和电光、磁光调制特性，可以实现大工作带宽、可调谐性能要求，有助于加快太赫兹成像技术的实际应用进程。
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公开(公告)号：CN119556522A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202510063770.9
申请日：2025-01-15
Applicant: 苏州新维度微纳科技有限公司
IPC: G03F7/00
Abstract: 本发明公开了一种纳米压印方法，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成压印胶层；在所述压印胶层表面形成热塑性弹性体薄膜层，所述热塑性弹性体薄膜层在常温状态下为固态层结构且具有拉伸性，在受热状态下能转变为液态；提供具有纳米压印图案的模板，施压进行纳米压印，并固化；加热以液化所述热塑性弹性体薄膜层，剥离所述模板。本发明的纳米压印方法，脱模更便捷且能够实现硬质衬底和硬质模板的直接纳米压印，减少了转印子模板的步骤，减少工艺流程，节约成本。
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公开(公告)号：CN113168089B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN201980066409.4
申请日：2019-10-11
Applicant: 莫福托尼克斯控股有限公司
IPC: G03F7/00
Abstract: 一种柔性印模，包括至少三层，具有浮凸区域(203B)的作为纹理层(203)的上层、增强层(202)和保护层(201)，其特征在于，增强层(202)具有10ppm/℃或更低的热膨胀系数，10GPa‑200GPa的杨氏模量，300μm以下的层厚度，以及至少覆盖浮凸区域(203B)的区域。
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公开(公告)号：CN119547015A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202380051942.X
申请日：2023-05-23
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
IPC: G03F7/00
Abstract: 本发明涉及一种用于半导体光刻的投射曝光系统(1、101)的光学元件(Mx、117)，该光学元件包括基座元件(30)和连接到基座元件(30)的至少一个致动器(40)，其中致动器(40)被设计为环形致动器。本发明还涉及一种用于半导体光刻的投射曝光系统，其设置有对应的光学元件，以及一种光学元件，其包括用于确定光学有效表面的变形的传感器，其中传感器被设计为检测允许与光学有效表面的变形相关的信号。
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公开(公告)号：CN119535893A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411995077.7
申请日：2024-12-31
Applicant: 广州亦盛环保科技有限公司
IPC: G03F7/004 , G03F7/00 , G02F1/1335
Abstract: 本发明涉及一种黑色光刻胶组合物及其使用方法，所述黑色光刻胶组合物的组分包括含有乙烯基和羧基的树脂、含有氨基的固化剂、流平剂和引发剂的组合；所述引发剂包括光引发剂和热引发剂的组合。本发明提供的黑色光刻胶组合物将光引发剂和热引发剂共同作为引发剂，既可以降低黑色光刻胶组合物的生产成本，又可以提高黑色光刻胶组合物在基材附近的固化效率，提高固化的均匀程度，使黑色光刻胶组合物的附着力更强，耐水煮能力和抗UV老化性能也更强；此外，含有氨基的固化剂可以提升含有乙烯基和羧基的树脂的固化程度，又可以对羧基进行封端，从而提升黑色光刻胶组合物的耐碱性清洗剂清洗的能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115032862B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202210553832.0
申请日：2022-05-19
Applicant: 南方科技大学
Abstract: 本发明提供一种表面图案化方法，包括如下步骤：S1：对暂存基板进行表面化处理，使得暂存基板的表面具有一层疏水层；S2：在一目标基底上旋涂一层第一高分子涂层；S3：在暂存基板同样旋涂一层第二高分子涂层；S4：目标基底与暂存基板结合，同时施加压力和加热并保持一段时间，使得目标基板的第一高分子涂层和暂存基板的第二高分子涂层热熔结合在一起；S5：冷却后，目标基底与暂存基板分离。本发明表面图案化方法，以热转移打印的方式进行任意表面的图案化，暂存基板上的微结构不易损坏，可大大延长暂存基板的寿命；可在目标基底上图形化具有高深宽比的微纳米图案；整个过程跟纳米压印类似是低成本，可大规模应用的。
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公开(公告)号：CN119522403A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202380048445.4
申请日：2023-06-27
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 一种用于在EUV光刻设备中使用的反射构件，所述反射构件包括多层叠层，所述多层叠层包括布置成多个对的多个层，其中：每个对包括第一层和第二层；所述第一层由包括Si的材料形成；并且所述第二层由包括Ru、Nb和Mo中的至少两种的材料形成，并且其中所述第二层被配置成对于具有大约13.5 nm的波长的光具有小于或等于0.92的折射率和小于或等于0.015的吸收系数。
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公开(公告)号：CN119511644A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411513060.3
申请日：2024-10-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十八研究所
Abstract: 本发明公开了一种电子束曝光机的束闸控制电路，包括图形发生器、延时电路、脉冲生成电路和驱动电路；所述图形发生器、延时电路、脉冲生成电路和驱动电路依次相连；所述驱动电路包括第一驱动单元和第二驱动单元；第一驱动单元接正电源且与电子束曝光机的极板L相连；第二驱动单元接负电源且与电子束曝光机的极板H相连。本发明具有极板电压低、束闸开关速度快等优点。
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公开(公告)号：CN119511635A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411522077.5
申请日：2024-10-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本揭露揭示一种用于制备图案化光阻剂层的方法及光阻剂溶液，特别是揭示用于改良在EUV光学微影中使用的一金属光阻剂的硬度的多种方法及多种材料。描述与该金属光阻剂一起使用的多种不同添加剂类型。这些添加剂可作为多种现有溶液的部分应用至该光阻剂，或在用于涂覆、图案化及显影该金属光阻剂的各种步骤期间作为一成分应用于一处置溶液中。该所得光阻剂层具有增大的硬度及较高的EUV光敏感度，此情形准许一减小的辐射剂量。
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公开(公告)号：CN119511630A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411720069.1
申请日：2024-11-28
Applicant: 安徽光智科技有限公司
Abstract: 一种光刻机曝光光源聚焦深度稳定性的工艺监控方法包括步骤：S1，提供晶圆；S2，涂正胶；S3，使正胶曝光，采用掩模版步进式曝光，步进曝光在晶圆表面上按行列排布的格子进行，在要曝光的对应行中的要曝光的相邻连续的格子中，各格子的曝光剂量为恒定且对应产品线宽尺寸，聚焦深度从左往右递增，每步进一个格子聚焦深度以聚焦深度变量改变，向左步进时聚焦深度递减聚焦深度变量，向右步进时聚焦深度递增聚焦深度变量，曝光先从最左边的聚焦深度为负值开始步进曝光直到最右边的聚焦深度为正的最大设定值为止；S4，正胶显影液使正胶显影；S5，线宽扫描电镜收集每个格子不同聚焦深度对应的线宽尺寸，以确定产品线宽尺寸所对应的聚焦深度范围。
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