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公开(公告)号：CN119511631A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202410956364.0
申请日：2024-07-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本申请涉及一种抗蚀剂底层组合物。具体地，提供了一种用于极紫外光刻的抗蚀剂底层组合物。所述组合物包含第一聚合物、第二聚合物、产酸剂和溶剂。所述第一聚合物包含第一聚合物主链和经由第一接头共价键合至所述第一聚合物主链的抗蚀刻性增强单元。所述抗蚀刻性增强单元包含含有硅‑氧键的含硅单元或含有金属‑氧键的含金属单元。所述第二聚合物包含第二聚合物主链和经由第二接头共价键合至所述第二聚合物主链的交联剂单元。所述交联剂单元包含一个或多个可交联基团。
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公开(公告)号：CN113376960B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202110549003.0
申请日：2021-05-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/004
Abstract: 本公开涉及制造半导体器件的方法和图案形成方法。在制造半导体器件的方法中，在要图案化的靶层之上形成金属光致抗蚀剂层，将金属光致抗蚀剂层选择性地曝光于光化辐射以形成潜在图案，以及通过将显影剂施加到经选择性曝光的光致抗蚀剂层来显影潜在图案以形成图案。金属光致抗蚀剂层是包括两种或更多种金属元素的合金层，并且选择性曝光改变了合金层的相态。
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公开(公告)号：CN117826534A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202310585916.7
申请日：2023-05-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供了用于形成半导体装置的方法。该方法包括在基板上形成涂覆层的步骤，该涂覆层包含可切换聚合物及酸产生剂，该可切换聚合物包含聚合物主链及连接至该聚合物主链的侧基。所述侧基包括酸不稳定基团及交联基团。随后进行烘烤工艺以引起所述交联基团的交联以形成交联涂覆层。接着，将光阻剂层沉积至该交联涂覆层上。在将该光阻剂层及该交联涂覆层选择性地曝光于图案化辐射之后，显影该选择性曝光的光阻剂层及该交联涂覆层以在该光阻剂层及该交联涂覆层上形成开口的图案。
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公开(公告)号：CN114975091A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210292765.1
申请日：2022-03-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027
Abstract: 一种制造半导体装置的方法包括以下步骤：形成包括掺杂剂组成物的一掺杂剂层至一基板之上。形成包括抗蚀剂组成物的一抗蚀剂层至掺杂剂层之上。使一掺杂剂自掺杂剂层中的掺杂剂组成物扩散至抗蚀剂层中；及在抗蚀剂层中形成一图案。
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公开(公告)号：CN108227392B
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN201710827508.2
申请日：2017-09-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 根据一些实施例，本发明提供一种微影图案化的方法。该方法包括：形成光阻层于基底上方，其中光阻层包括含金属化学品；对光阻层实行曝光工艺；及使用第一显影剂对光阻层实行第一显影工艺，从而形成图案化光阻层，其中第一显影剂包括第一溶剂及化学添加剂，以移除由含金属化学品所产生的金属残余物。
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公开(公告)号：CN112445070A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010476943.7
申请日：2020-05-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开涉及具有低活化能配体或高显影剂溶解性配体的EUV光致抗蚀剂。一种光致抗蚀剂，包括含有金属的核心基团，以及附着至该核心基团的一个或多个第一配体或一个或多个第二配体。第一配体各自具有以下结构： 第二配体各自具有以下结构： 表示核心基团。L’表示包括被氢(H)或氟(F)饱和的0～2个碳原子的化学物质。L表示包括被H或F饱和的1～6个碳原子的化学物质。L”表示包括被H饱和的1～6个碳原子的化学物质。L”’表示包括被H或F饱和的1～6个碳原子的化学物质。链接基表示将L”和L”’链接在一起的化学物质。
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公开(公告)号：CN111752093A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010221722.5
申请日：2020-03-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在此提供一种用于形成半导体装置结构的方法。此方法包括形成材料层于基板之上，且形成光致抗蚀剂层于材料层之上。光致抗蚀剂层包括无机材料及辅助剂。无机材料包括多个金属核及多个第一连结基团，且第一连结基团键结至金属核。此方法包括曝光光致抗蚀剂层的一部分。光致抗蚀剂层包括曝光区域及未曝光区域。在曝光区域中，辅助剂与第一连结基团进行反应。此方法包括使用显影剂移除光致抗蚀剂层的未曝光区域，以形成经过图案化的光致抗蚀剂层。显影剂包括具有式(a)的基于酮的溶剂、或具有式(b)的基于酯的溶剂。
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公开(公告)号：CN109545666A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811076092.6
申请日：2018-09-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/336
Abstract: 提供半导体结构的形成方法。此方法包括在基底上形成材料层以及在材料层上形成光刻胶层。光刻胶层包括无机材料及辅助剂。无机材料包括多个金属核及多个第一联结剂，第一联结剂键合至金属核。此方法包括曝光光刻胶层的一部分。光刻胶层包括曝光区域及未曝光区域。在曝光区域中，辅助剂与第一联结剂反应。此方法也包括使用显影剂移除光刻胶层的未曝光区域以形成图案化光刻胶层。显影剂包括酮基溶剂，其具有式(a)， 式中R1是直链或支链C1-C5烷基，而R2是直链或支链C3-C9烷基。
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公开(公告)号：CN105093842A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510201052.X
申请日：2015-04-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/322 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0382 , G03F7/039 , G03F7/0392 , G03F7/11 , G03F7/2041 , G03F7/30
Abstract: 在一个实施例中，提供了制备和使用光敏材料的方法，该方法包括选择光刻胶，该光刻胶是正性光刻胶和负性光刻胶中的一种。基于光刻胶选择第一附加材料或第二附加材料。第一附加材料具有附接至聚合物链的氟组分和碱组分，如果提供正性光刻胶，则选择第一附加材料。第二附加材料具有附接至聚合物链的氟组分和酸组分，如果提供负性光刻胶，则选择第二附加材料。将所选择的光刻胶和所选择的附加材料施加至目标衬底。
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公开(公告)号：CN112558416B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202010942037.1
申请日：2020-09-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/09 , G03F7/38 , H01L21/027 , H01L21/67
Abstract: 本公开涉及制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法，包括在半导体衬底的第一主表面的边缘部分之上形成第一保护层。在半导体衬底的第一主表面之上形成含金属光致抗蚀剂层。去除第一保护层，并且将含金属光致抗蚀剂层选择性地曝光于光化辐射。在半导体衬底的第一主表面的边缘部分之上形成第二保护层。对经选择性曝光的光致抗蚀剂层进行显影以形成经图案化的光致抗蚀剂层，并且去除第二保护层。
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