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公开(公告)号：CN119087572B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411580908.4
申请日：2024-11-07
Applicant: 南方科技大学
Abstract: 本发明涉及一种光波导装置及其制备方法、AR近眼显示装置及其应用，在光波导装置的耦入端外表面堆叠有超表面结构层，光源器件发出的光经超表面结构层直接或者间接耦入光波导内传播。其中超表面结构层被配置为对发射至超表面结构层的第一光束进行相位调制，以使自超表面结构层出射的第二光束具备准直性与定向性。使得进入光波导内的光线具有准直性和定向性，以提高光的耦合效率，从而提高光能利用率和显示亮度。本申请的光波导装置加光源器件构成AR近眼显示装置，可应用于裸眼3D光场显示。超表面结构层不仅实现了显示面板出光的准直和定向性，提高光效和亮度，而且，有利于实现显示光机的轻薄化。
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公开(公告)号：CN119060601B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411477210.X
申请日：2024-10-22
Applicant: 珠海基石科技有限公司
IPC: C09D133/24 , C09D133/14 , C09D7/63 , G03F1/76
Abstract: 本申请实施例提供一种树脂组合物及其应用、半导体器件及其制备方法。该树脂组合物可设置于图案化薄膜的表面，其包括树脂、偶联剂和非水有机溶剂，所述偶联剂包括结构中含有至少3个烷氧基的有机硅烷；所述树脂的结构中包括第一重复单元和第二重复单元，第一重复单元的侧链带有羟基、羧基中的至少一种，第二重复单元不含羟基或羧基，且第一重复单元在树脂所有重复单元中的摩尔占比为30%‑80%。上述树脂组合物可用作图形收缩材料，实现图案化薄膜的图形间距的适度均匀缩小，满足半导体领域对高分辨率图案化的要求。
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公开(公告)号：CN119376179A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411678228.6
申请日：2024-11-22
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于聚合物微纳结构技术领域，具体为利用微/纳米光热光刻制备聚合物微纳结构的方法。本发明使用预制纳米结构的掩膜版，将具有热交联，热相变或热相分离组装等热响应特性的聚合物旋涂或贴合在掩膜版上；采用光或激光的投影等技术，基于光照下的局域等离子体谐振机制所产生的微纳尺度光热热点，诱发聚合物的热致固化、微相分离分子组装、解离等变化，从而快速形成微/纳米条纹或圆球等聚合物微纳结构，最终实现微纳光刻。本发明制备的聚合物微纳结构，其特征尺寸在十几纳米～微米，且空间排列方式可调。本发明不受到光学衍射极限限制，光刻特征尺寸直接取决于掩膜版上预制结构的尺寸,可以实现跨尺度的光刻，工艺流程也大为简化。
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公开(公告)号：CN119335810A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411692047.9
申请日：2024-11-25
Applicant: 重庆芯联微电子有限公司
Abstract: 本发明提供了一种版图优化方法及系统，属于半导体领域。该版图优化方法包括提供初始版图，所述初始版图包括若干分立排布的主图形；筛选所述主图形中的目标图形，所述目标图形包括第一目标图形和第二目标图形。获取辅助图形的添加规则，在所述第一目标图形的外围添加辅助图形。将两个所述第一辅助图形沿着朝向第二目标图形的方向延伸，并与第二辅助图形延伸的图形连接，形成目标辅助图形。基于所述目标辅助图形，使所述初始版图形成为优化版图。本发明通过采用优化版图进行光刻，当工艺条件发生变化时，在光刻胶层形成的轮廓变化更小。在接下来的刻蚀工艺中，能够保持刻蚀工艺稳定，使得光刻胶层形成的轮廓如预期，提高芯片良率。
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公开(公告)号：CN119310793A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411595781.3
申请日：2024-11-08
Applicant: 合光光掩模科技(安徽)有限公司
Inventor： 李勇
Abstract: 本公开提供了一种掩模板的制作方法及掩模板，制作方法包括以下步骤：提供堆叠结构，堆叠结构包括堆叠设置的透明基底材料层、相移材料层和遮光材料层；去除部分透明基底材料层、部分相移材料层和部分遮光材料层，以将第一图案转移至透明基底材料层、相移材料层和遮光材料层，得到第一中间体，第一图案在透明基底材料层形成凹槽；对第一中间体的凹槽执行凹槽深度控制过程，得到第二中间体；去除第二中间体的部分遮光材料层，以将第二图案转移至遮光材料层，得到第三中间体；对第三中间体的相移材料层进行高度控制过程，得到掩模板。本发明的制作方法可对相移度和透过率检测不合格的掩模板及时重新加工校正，有效保证了产品质量和出品效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119292015A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202410821117.X
申请日：2024-06-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F9/00 , G03F1/76 , G03F1/80 , G03F7/00 , H01L21/027
Abstract: 一种形成半导体晶粒的方法包含：在一晶圆上方形成一光阻层；将一第一光罩与该晶圆的一第一区域对准；对该光阻层在该晶圆的该第一区域内的一第一部分进行一第一曝光工艺；将一第二光罩与该晶圆的一第二区域对准，其中对准该第一光罩及对准该第二光罩为使用该晶圆的一接合区域内的一对准标记来进行的，该接合区域为该第一区域与该第二区域的一重叠区；对该光阻层在该晶圆的该第二区域内的一第二部分进行一第二曝光工艺；及进行一显影工艺以移除该光阻层的该第一部分及该第二部分。
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公开(公告)号：CN119291990A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411693738.0
申请日：2020-08-28
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: G03F1/80 , G03F1/76 , G03F1/62 , H01L21/033
Abstract: 根据本发明的一实施例，掩模制造方法包括：将掩模片配置在彼此隔开的第一辊及第二辊上的步骤，所述掩模片包括限定有第一区域及第二区域的图案区域；通过使所述第一辊及所述第二辊旋转以将所述图案区域配置在曝光模块上的步骤；通过所述曝光模块对所述第一区域执行第一曝光工序以在所述第一区域上形成第一图案的步骤；以及通过所述曝光模块对所述第二区域执行第二曝光工序以在所述第二区域上形成第二图案的步骤。
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公开(公告)号：CN119270579A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411817544.7
申请日：2024-12-11
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Abstract: 本发明涉及微纳光学技术领域，尤其涉及一种超表面刻蚀工艺方法，工艺方法包括：将超表面曝光版图根据线宽尺寸的不同分为多个线宽尺寸版图；针对带有套刻标记的不同线宽尺寸版图分别通过光刻工艺完成图形化；将图形化的结构转移至目标材料，刻蚀达到设计的刻蚀深度；之后通过分图层多次套刻曝光刻蚀，将不同的线宽尺寸版图分解为不同的图层分别曝光刻蚀，根据线宽尺寸设置不同的刻蚀速率及时间，使最终的刻蚀深度一致；提高超表面的加工精度，保证超表面器件性能与设计指标的一致性。
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公开(公告)号：CN113359387B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202010883215.8
申请日：2020-08-28
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: G03F1/80 , G03F1/76 , G03F1/62 , H01L21/033
Abstract: 根据本发明的一实施例，掩模制造方法包括：将掩模片配置在彼此隔开的第一辊及第二辊上的步骤，所述掩模片包括限定有第一区域及第二区域的图案区域；通过使所述第一辊及所述第二辊旋转以将所述图案区域配置在曝光模块上的步骤；通过所述曝光模块对所述第一区域执行第一曝光工序以在所述第一区域上形成第一图案的步骤；以及通过所述曝光模块对所述第二区域执行第二曝光工序以在所述第二区域上形成第二图案的步骤。
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公开(公告)号：CN113835294B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202110579299.0
申请日：2021-05-26
Applicant: 李永春
Abstract: 本发明提供形成三维微结构在诸如导光板或集成电路等等的方法和装置。本发明一方面让具有一或多特殊轮廓光罩的光罩数组与被光阻层所覆盖的底材二者间相对运动，另一方面让被投射经过光罩数组的各个光线可以被个别地且动态地调整，借以将光阻层曝光成为不同部分对应到不同三维微结构的图案化光阻层。特别地，光罩数组与底材间的相对运动方向，系与光罩数组的行方向与列方向都相互交叉的。透过调整此相对运动方向，将可以至少调整光阻层如何被图案化以及相对应地形成在底材的各个三维微结构的轮廓与分布方式。
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